光学临近修正方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种光学临近修正方法、装置及电子设备。通过以比符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值小很多的第二掩膜规则值对主图形进行光学临近修正，以使修正后的主图形的收敛度先符合设计要求；之后，再从所述修正后符合收敛度设计要求的主图形中找出不符合第一掩膜规则值的主图形组，并对主图形组中的主图形进行适应性调整，以使调整后的主图形既满足光刻工艺窗口的设计要求，又满足收敛度的设计要求，从而避免了由于掩膜规则值的原因，导致一些特征图形的光刻工艺窗口和收敛度无法兼顾的问题，进而有效的保证了一些特殊图形的收敛度问题，并进一步提升了OPC修正过程中的准确度，以及有效提升了产品良率，最终推进了研发进度。

【技术实现步骤摘要】
光学临近修正方法、装置及电子设备
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种光学临近修正方法、装置及电子设备。
技术介绍
随着半导体行业的发展，人们对芯片的性能与能耗要求越来越苛刻，要想获得更小面积、更高性能以及更低能耗的芯片，就需要进一步减小芯片上各图形大小及各图形之间的间距，间距的降低会导致版图上的某些图形之间的设计距离小于光的波长。因此需要在版图刻印在掩膜版上之前对版图进行修正，防止在光刻过程中产生光学邻近效应(OpticalProximityEffect，OPE)，避免刻印在芯片上的图形与设计不一致而产生图形失真。为了避免光学邻近效应而对版图进行修正的技术为光学邻近修正(OpticalProximityCorrection，OPC)技术。在OPC修正程序中，需要进行掩膜尺寸检查(MaskManufacturingRuleCheck)，以保证最终图形收敛性及掩膜版制作精度。通常是根据设定的掩膜规则值(MaskRuleConstraints，MRC)(包括线宽值和间距值)对经过OPC修正的掩膜版图形的线宽和间距进行检查。由于光学临近效应造成的光刻图形变形或失真现象主要可以分为几类：密集图形与孤立图形尺寸差异，掩模板尺寸与芯片上图形尺寸比例非线性，拐角圆化以及线端缩短等。因此，在基于模型的光学临近修正（OpticalProximityCorrection，简称OPC）方法得到广泛应用后，一般的光学临近效应都能得到很好的补偿，使得最终在芯片上的图形能尽量接近目标图形的尺寸和形状。而基于模型的OPC修正方法是通过模拟不同版图在特定条件下的光刻图形，从而补偿光学临近效应引起的图形失真，并通过不断的修正和模拟得到能最接近目标图形的修正后版图。以线端缩短问题为例，如图1a和图1b所示，一般未经修正的线端存在线端缩短以及线端变小圆化的问题。而针对此问题，目前业界的做法是牺牲目标版图在OPC修正过程中的收敛度，以保证晶圆上的光刻胶上的图形不会出现桥接的现象。具体的，设定目标图形在OPC修正后图形的线宽CD或间距space的最小值为X，以避免出现在OPC修正后图形的线宽CD或间距space小于X而导致晶圆上光刻胶上的图形出现桥接的问题。然而，由于版图中每层图层layout上包含的图形的复杂程度越来越高。这种做法会出现一些缺陷。例如，由于收敛度受到影响，OPC工程师检查OPC修正结果时，复查边缘放置误差（edgeplacementerror,EPE)的数量会大幅度提高，则将严重影响工程师的检查进度，从而影响T/O进度，导致研发进度缓慢。其次，当设计图形中出现如图1a和图1b所示的图形时，由于线端缩短效应的存在，此处的工艺窗口应该要有更好的收敛度。而现有技术则无法在OPC修正目标图形的过程中，同时兼顾图形的光刻工艺窗口和OPC修正的收敛度，从而降低了产品良率和延长了研发进度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种光学临近修正方法、装置及电子设备，以在保证版图的工艺窗口的同时，改善版图的收敛度，并最终提升产品良率，推进研发进度。第一方面，为解决上述技术问题，本专利技术提供一种光学临近修正方法，包括：确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线条端点图形。确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值。从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线条端点图形组。针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。进一步的，根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正的步骤，可以包括：利用基于模型的光学临近修正软件，对所述主图形的线边进行扩大和/或回缩修正处理，使相邻两个所述主图形之间的线端间距与所述第二掩膜规则值相等，以保证修正后的所述主图形的收敛度符合设计要求。进一步的，针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽的步骤，可以包括：依次选中每一所述主图形的一条线边，并将每一所述主图形的所述线边沿靠近各主图形的中心轴线的方向分别回缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大，且使变大后的所述线端间距不小于所述第一掩膜规则值。进一步的，将所述线边沿远离与该主图形相邻的所述主图形的方向收缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大的步骤，可以包括：在所述线条端点图形组中的两个相邻主图形的线端附近设置一覆盖所述两个主图形的部分线边的第一多边形。选中位于所述第一多边形中的所述主图形的第一线边，并判定同样位于所述第一多边形中的所述主图形的相邻主图形的第二线边与所述第一线边之间的距离是否小于所述第一掩膜规则值。若判定结果为是，则在所述第一线边和第二线边之间设置一第二多边形，所述第二多边形的长边的延伸线与所述第一线边和所述第二线边的延伸线垂直，且所述第二多边形的长边的边长值与所述第一掩膜规则值相等。分别将所述线条端点图形组中的所述主图形的所述第一线边和/或所述第二线边沿远离所述第二多边形的方向向里回缩，直至所述第一线边和所述第二线边之间的距离至少与所述第一掩膜规则值相等。进一步的，所述第一多边形和/或所述第二多边形可以为正四边形。第二方面，基于如上所述的光学临近修正方法，本专利技术还提供了一种光学临近修正装置，具体可以包括：测试版图确定模块，用于确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线端图形。光学临近修正模块，用于确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值。线端图形组筛选模块，用于从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线端图形组。主图形调整模块，用于针对所述线端图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线端图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。进一步的，所述光学临近修正模块可以包括：调用单元，用于调用基于模型的光学临近修正软件，并对所述主图形的线边进行扩大和/或回缩修正处理，使相邻两个所述主图形之间的线端间距与所述第二掩膜规则值相等，以保证修正后的所述主图形的收敛度符合设计要求。进一步的，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括：/n确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线条端点图形；/n确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值；/n从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线条端点图形组；/n针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括：
确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图具有多个主图形，且所述测试版图中至少包括相邻的两个主图形为存在线端缩短或者拐角圆化的线条端点图形；
确定所述主图形对应的符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值，并根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正，以使修正后的所述主图形的边缘放置误差达到预设目标值；
从修正后的所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距小于所述第一掩膜规则值的主图形组，以形成线条端点图形组；
针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽，以在使调整后的所述线条端点图形组中的所述主图形的收敛度满足设计要求的同时，又能使相邻两个所述主图形之间的线端间距不小于所述第一掩膜规则值。


2.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，根据预选取的小于所述第一掩膜规则值的第二掩膜规则值，对所述主图形进行光学临近修正的步骤，包括：
利用基于模型的光学临近修正软件，对所述主图形的线边进行扩大和/或回缩修正处理，使相邻两个所述主图形之间的线端间距与所述第二掩膜规则值相等，以保证修正后的所述主图形的收敛度符合设计要求。


3.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，针对所述线条端点图形组中的每一主图形，适应性调整所述主图形的线宽的步骤，包括：
依次选中每一所述主图形的一条线边，并将每一所述主图形的所述线边沿靠近各主图形的中心轴线的方向分别回缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大，且使变大后的所述线端间距不小于所述第一掩膜规则值。


4.如权利要求3所述的光学临近修正方法，其特征在于，将所述线边沿远离与该主图形相邻的所述主图形的方向收缩，以将所述线条端点图形组中的两个相邻主图形之间的线端间距变大的步骤，包括：
在所述线条端点图形组中的两个相邻主图形的线端附近设置一覆盖所述两个主图形的部分线边的第一多边形；
选中位于所述第一多边形中的所述主图形的第一线边，并判定同样位于所述第一多边形中的所述主图形的相邻主图形的第二线边与所述第一线边之间的距离是否小于所述第一掩膜规则值；
若判定结果为是，则在所述第一线边和第二线边之间设置一第二多边形，所述第二多边形的长边的延伸线与所述第一线边和所述第二线边的延伸线垂直，且所述第二多边形的长边的边长值与所述第一掩膜规则值相等；
分别将所述线条端点图形组中的所述主图形的所述第一线边和/或所述第二线边沿远离所述第二多边形的方向向里回缩，直至所述第一线边和所述第二线边之间的距离至少与所述第一掩膜规则值相等。


5.如权利要求4所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述第一多边形和/或所述第二多边形为正四边形。


6.一种光学临近修正装置，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：王康，罗招龙，林建佑，李可玉，赵广，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32