本发明提供了一种光学邻近修正模型的建模方法，至少包括以下步骤：设计测试图形，并根据所述测试图形制作测试光罩；利用所述测试光罩将所述测试图形转移至晶圆上，在所述晶圆上形成实际图形，并收集所述实际图形的第一晶圆数据；通过所述第一晶圆数据确定...

本发明提供了一种预测图形桥联的方法、装置及电子设备。具体的，通过将实际光刻工艺过程中，光刻工艺制程的波动对曝光在晶圆上的图形的桥联影响，模拟成对已建立的OPC模型的光强阈值的影响，从而在设计版图流片之前，通过对已建OPC模型的光强阈值进...

本发明公开了一种光学临近效应的修正方法及系统，其包括：获取特征图形，并将所述特征图形排列，形成多个矩阵模型；修正每个所述矩阵模型中的所述特征图形，并获取所述特征图形的平均修正移动量；获取设计图形，并根据所述平均修正移动量修正所述设计图形...

本发明提供了一种光学临近修正方法、装置及电子设备。通过以比符合版图掩膜设计规则的第一掩膜规则值小很多的第二掩膜规则值对主图形进行光学临近修正，以使修正后的主图形的收敛度先符合设计要求；之后，再从所述修正后符合收敛度设计要求的主图形中找出...

本发明提供了一种辅助图形的添加方法、装置及测试版图，应用于半导体技术领域。在本发明提供的辅助图形的添加方法中，首先通过确定相邻两个错位排布的的主图形的外围区域形成的拐角区域，然后，再在拐角区域中识别出需要添加本发明提供的L型辅助图形的待...

本发明提出一种光刻图形的仿真方法及仿真系统，包括：预设一基板厚度参数，光阻层厚度参数及掩膜版；根据所述基板厚度参数，所述光阻层厚度参数及所述掩膜版，模拟入射光照射在光阻层上，所述入射光经过所述基板反射后形成反射光，所述反射光和所述入射光...

本发明提供了一种光强阈值的获取方法以及辅助图形显影情况的检测方法，其中所述光强阈值的获取方法包括：在测试光罩上设置测试图形组，所述测试图形包括主图形以及辅助图形，所述测试图形组中的测试图形内的主图形宽度逐渐增大或者减小；利用所述测试光罩...

本发明提出一种版图边界图案的修正方法与修正系统，包括：预设一版图参数，其中，所述版图参数包括图案尺寸的模拟目标值；进行划分步骤，将版图划分成多个子版图；对任一所述子版图的边界图案进行修正，并记录修正次数，以获得所述图案尺寸的模拟实际值；...

本发明提供了一种图形显影情况的检测方法，包括：在测试光罩上放置测试图形组，测试图形包括主图形以及辅助图形；利用测试光罩进行光刻胶的曝光及显影；筛选出辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的辅助图形未被显影的测试图形分别对应的图形化的光刻胶，...

本发明公开一种亚分辨率辅助图形的获取方法，其至少包括以下步骤：提供一集成电路版图，所述集成电路版图包括多个第一图形及第一亚分辨率辅助图形；对所述第一图形进行光学邻近修正，获得多个第二图形；将所述第一亚分辨率辅助图形沿垂直于所述第二图形的...

本发明公开一种半导体结构的制备方法及其制备系统，该制备方法包括提供一具有第一区域和第二区域的半导体衬底；于该半导体衬底上形成栅极绝缘材料层，该栅极绝缘材料层包括分别覆盖第一区域和第二区域表面的第一栅极绝缘材料层和第二栅极绝缘材料层；于该...

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且所述半导体衬底上形成有栅极材料层，通过在NMOS区域中的有源区之外的区域对所述栅极材料层进行N型离子注入，然后对所...

本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法，在第一导电类型的源/漏区中形成了第二导电类型的反型掺杂区，所述源/漏区横向扩散至与栅极发生交叠，所述反型掺杂区横向扩散的边界不超过所述栅极的侧壁，纵向扩散的底部边界和所述源/漏区的底部边界具有第...

本发明公开了一种静电放电防护线路，所述静电放电防护线路包括内部集成电路、多个信号转换电路和多个静电防护模块及其之间的布线，其中所述内部集成电路包括多个相同阵列结构的输入/输出接口，每个所述信号转换电路的一端与一所述输入/输出接口连接，另...

本发明提供一种半导体结构的制备方法，至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，并在所述半导体衬底上依次形成阻挡层、介质层、金属硬掩模层、底部抗反射层及光刻胶；根据所述光刻胶上的图案刻蚀所述底部抗反射层；刻蚀所述金属掩模层，在所述金属硬掩模层上...

本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括提供一衬底；在所述衬底上形成至少一层互连层，每个所述互连层均包括导电层以及层间介质层，所述导电层中具有导电层开口，所述层间介质层填充所述导电层开口；至少在其中一层互连层中，所述导电层开口的顶部的宽...

本发明提供一种半导体结构的制作方法，先在层间介质层上的硬掩模层中形成凹槽，然后在凹槽范围内的层间介质层中形成第一开口，接着覆盖保护层，然后去除凹槽和第一开口底面的保护层并向下刻蚀，同时保留侧面的保护层，在去除全部保护层后，在层间介质层中...

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法。所述制造方法包括：于一衬底上形成一硬式掩膜层，并刻蚀形成浅沟槽，所述硬式掩膜层包括垫氧化层和位于所述垫氧化层上的垫氮化层；于所述浅沟槽内和所述硬式掩膜层上形成一阻挡层；使用第一干刻蚀制程刻蚀所述...

本发明提供一种电容的测量结构及测量方法，包括至少一个第一测量结构和一个第二测量结构，第一测量结构包括在一半导体衬底的P阱的特定区域内形成的P型区、N型区及辅助N型区，所述N型区与所述P阱构成PN结，所述N型区与所述辅助N型区串联后与所述...

本发明提出一种光阻层阻挡能力的检测方法及检测系统，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆为第一掺杂类型的晶圆；对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行第一次掺杂，以在所述第一晶圆和所述第二晶圆中形成第一掺杂区；对所述第一晶圆和...