半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且所述半导体衬底上形成有栅极材料层，通过在NMOS区域中的有源区之外的区域对所述栅极材料层进行N型离子注入，然后对所述半导体衬底进行退火处理，使注入栅极材料层的N型离子从所述NMOS区域中的有源区之外的区域向所述NMOS区域中的有源区扩散，以实现N型预掺杂。本发明专利技术通过高温退火使NMOS区域中的有源区之外的N型离子扩散至有源区，避免N型离子直接注入对栅极结构的损伤，进而避免出现栅极多晶硅晶粒增多的现象，有效抑制栅漏电，提高了半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
随着电子设备的广泛应用，半导体的制造工艺得到了飞速的发展，半导体器件的特征尺寸也越来越小，半导体器件中的栅极特性也变得越来越重要。为了减小半导体器件中的栅极电阻，降低阈值电压，高浓度掺杂工艺被使用在源漏极的掺杂及栅极的预掺杂过程中。由于随着半导体器件的特征尺寸(CD)减小，半导体器件的栅极高度也在减小，在栅极的预掺杂过程中采用的高浓度掺杂工艺，预掺杂离子破坏栅极结构，导致栅极多晶硅晶粒增多（Polygrain），且由于沟道效应导致栅漏电，严重影响最终得到半导体器件性能，特别是对N型互补金属氧化物半导体(NMOS)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，在实现栅极N型预掺杂的同时避免出现多晶硅晶粒增多的现象，减少栅漏电，提高半导体器件的性能。本专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且在所述NMOS区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且在所述NMOS区域上形成有栅极材料层；/n在所述栅极材料层上形成光刻胶层，所述光刻胶层至少覆盖所述NMOS区域中的有源区；/n以所述光刻胶层为掩模，对所述栅极材料层进行N型离子注入；以及/n对所述半导体衬底进行退火处理，使注入所述栅极材料层的N型离子从所述NMOS区域中的有源区之外的区域向所述NMOS区域中的有源区扩散，以实现N型预掺杂。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且在所述NMOS区域上形成有栅极材料层；
在所述栅极材料层上形成光刻胶层，所述光刻胶层至少覆盖所述NMOS区域中的有源区；
以所述光刻胶层为掩模，对所述栅极材料层进行N型离子注入；以及
对所述半导体衬底进行退火处理，使注入所述栅极材料层的N型离子从所述NMOS区域中的有源区之外的区域向所述NMOS区域中的有源区扩散，以实现N型预掺杂。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述N型离子为磷离子。


3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述N型离子注入的浓度为2.0E15/cm2～5.0E15/cm2，所述N型离子注入的能量为5kev～15kev。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述N型离子注入的区域围绕所述NMOS区域中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳清，崔助凤，金起準，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32