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本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域，所述NMOS区域内定义有有源区，且所述半导体衬底上形成有栅极材料层，通过在NMOS区域中的有源区之外的区域对所述栅极材料层进行N型离子注入，然后对所述半...
该专利属于南京晶驱集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶驱集成电路有限公司授权不得商用。

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