【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(FinFET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于半导体衬底表面的鳍部和隔离结构，所述隔离结构覆盖部分所述鳍部的侧壁，位于衬底上且横跨的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。随着对器件性能不断提出的更高要求，催生了四面控制的全包围栅结构(Gate-all-around)。具有全包围栅极(Gate-all-around)结构的半导体器件拥有有效地限制短沟道效应(Shortchanneleffect)的特殊性能，正是业界在遵循摩尔定律不断缩小器件尺寸的革新中所极其...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：/n提供衬底，所述衬底上依次形成有第一衬层、第二衬层、第三衬层、第四衬层、第五衬层以及第六衬层；/n在所述第六衬层上形成至少一个分立排列的芯层；/n在所述芯层的侧壁上形成侧墙；/n以所述芯层和所述侧墙为掩膜，依次刻蚀所述侧墙两侧的所述第六衬层、所述第五衬层、所述第四衬层、所述第三衬层，直至暴露出所述第二衬层，形成开口；/n在刻蚀后的所述第三衬层、所述第四衬层、所述第五衬层以及所述第六衬层的两侧形成外延层；/n继续以所述芯层和所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二衬层、所述第一衬层以及部分厚度的所述衬底；/n去除所述芯层、所述侧墙和所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底上依次形成有第一衬层、第二衬层、第三衬层、第四衬层、第五衬层以及第六衬层；
在所述第六衬层上形成至少一个分立排列的芯层；
在所述芯层的侧壁上形成侧墙；
以所述芯层和所述侧墙为掩膜，依次刻蚀所述侧墙两侧的所述第六衬层、所述第五衬层、所述第四衬层、所述第三衬层，直至暴露出所述第二衬层，形成开口；
在刻蚀后的所述第三衬层、所述第四衬层、所述第五衬层以及所述第六衬层的两侧形成外延层；
继续以所述芯层和所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二衬层、所述第一衬层以及部分厚度的所述衬底；
去除所述芯层、所述侧墙和所述芯层下的所述第六衬层、所述第五衬层、所述第四衬层、所述第三衬层、所述第二衬层、所述第一衬层以及部分厚度所述衬底，形成若干鳍部；
去除所述鳍部上的所述第一衬层、所述第三衬层以及所述第五衬层。
2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬层、所述第三衬层和所述第五衬层的材料相同，所述第二衬层、所述第四衬层和所述第六衬层的材料相同，所述第一衬层、所述第三衬层、所述第五衬层与所述第二衬层、所述第四衬层、所述第六衬层的材料不同。
3.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬层、所述第三衬层和所述第五衬层的材料包括硅或锗或硅锗或砷化镓中的一种或者多种。
4.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二衬层、所述第四衬层和所述第六衬层的材料包括硅或锗或硅锗或砷化镓中的一种或者多种。
5.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀后的所述第三衬层、所述第四衬层、所述第五衬层以及所述第六衬层的两侧形成外延层之前，还包括：
在刻蚀后的所述第三衬层和所述第五衬层的两侧形成凹槽。
6.如权利要求5所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀形成所述凹槽。
7.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用外延生长方式形成所述外延层。
8.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述第六衬层上形成至少一个分立排列的芯层之前，还包括：
在所述第六衬层上形成粘附层；
在所述粘附层上形成硬掩膜层。
9.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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