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本发明提供半导体器件及其形成方法，包括提供衬底，在衬底上依次形成第一衬层、第二衬层、第三衬层、第四衬层、第五衬层以及第六衬层；在第六衬层上形成至少一个分立排列的芯层；在芯层的侧壁上形成侧墙；以芯层和侧墙为掩膜，依次刻蚀侧墙两侧的第六衬层、第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。