图形显影情况的检测方法技术

本发明专利技术提供了一种图形显影情况的检测方法，包括：在测试光罩上放置测试图形组，测试图形包括主图形以及辅助图形；利用测试光罩进行光刻胶的曝光及显影；筛选出辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的辅助图形未被显影的测试图形分别对应的图形化的光刻胶，并得到筛选出的所述图形化的光刻胶上端的实际CD值以及模拟CD值；根据所述模拟CD值与实际CD值的差值调整OPC模型参数，重新输出OPC模型；将重新输出的OPC模型添加到检测工具中，并采用所述检测工具对检测图形内的辅助图形的显影情况进行检测。上述方法能够提升对辅助图形显影情况检测的准确性。

【技术实现步骤摘要】
图形显影情况的检测方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种图形显影情况的检测方法。
技术介绍
在半导体设计的版图中，密集（dense）图形与稀疏（ISO）图形的光刻工艺窗口（ProcessWindow）一般是不一致的，适用于版图中的密集图形的曝光条件不一定适用于稀疏图形的曝光。因此，对于同时包含密集图形和稀疏图形的复杂版图而言，共同工艺窗口（CommonWindow）一般比较小，而辅助图形（ScattingBar）的增加能够解决工艺窗口较小的技术难题。插入辅助图形，是指在主图形周围放置辅助图形条，来提升主图形在光刻过程中的品质。插入辅助图形的好处主要有以下两点：一是可以改善轮廓线宽，改善光强对比，减小边放置误差(EdgePlacementError)；二是能很好地提高焦深，从而改善光刻工艺窗口。但是，不合理的辅助图形（例如，位置或者宽度不合理）会使其在光刻的过程中被曝光及显影出来，从而影响整体版图的设计。因此，选取合适的方法检测辅助图形是否被显影是十分必要。目前主要通过具有OPC模型的检测工具进行辅助图形是否被显影的检测，由于辅助图形的关键尺寸（CD）较小，无法直接测量到，所述OPC模型的阈值是根据其他图形（例如主图形）的CD值得到的。而CD值的测量方法一般为：利用具有测试图形（包括主图形和设置在所述主图形周围的辅助图形）的光罩进行光刻胶的曝光显影，以形成图形化的光刻胶，在光刻胶图形10%~50%的高度范围内测量CD值。由于辅助图形被曝光及显影的位置一般在光刻胶图形的顶端（70%~90%的高度），光刻胶图形上CD值的测量位置的形成环境（例如，光束的入射角、折射率等）与辅助图形被显影位置的形成环境是存在差异的，因此，以光刻胶图形10%~50%的高度范围内测量的CD值对应的光强值作为检测工具中的OPC模型的阈值，会降低检测工具对辅助图形是否被显影的检测准确性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种图形显影情况的检测方法，以提升对辅助图形显影情况检测的准确性。为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术提供一种图形显影情况的检测方法，包括：在测试光罩上设置测试图形组，所述测试图形组包括至少两个测试图形，每个所述测试图形包括主图形以及设置在所述主图形周围的辅助图形，且同一所述测试图形组中的所述主图形宽度逐渐增大或者减小；利用所述测试光罩进行光刻胶的曝光及显影，得到每个所述测试图形对应的图形化的光刻胶，并检测每个所述测试图形对应的光刻胶的显影情况；筛选出所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形分别对应的图形化的光刻胶，并测量筛选出的所述图形化的光刻胶上端的实际CD值；将所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形进行OPC模型的模拟，得到模拟CD值；根据所述模拟CD值与所述实际CD值的差值调整OPC模型参数，重新输出OPC模型；将重新输出的OPC模型添加到检测工具中，并采用所述检测工具对检测图形内的辅助图形的显影情况进行检测。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，所述图形化的光刻胶上端为所述光刻胶的图形高度的70%~90%。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，根据所述模拟CD值与所述实际CD值的差值调整OPC模型参数，重新输出OPC模型，具体包括：当所述模拟CD值与实际CD值的差值超过限定值，调整OPC模型参数，并返回到将所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形进行OPC模型的模拟的步骤；当所述模拟CD值与所述实际CD值的差值未超过限定值，输出OPC模型。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，每个所述测试图形包括至少两个主图形，每个所述测试图形内的所述主图形之间的间距相等。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，所述主图形的宽度小于1μm。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，采用所述检测工具对所述检测图形内的所述辅助图形的显影情况进行检测的过程包括：采用所述重新输出的OPC模型对所述检测图形进行模拟，得到所述检测图形的光强分布图；通过所述光强分布图得到所述检测图形内的所述辅助图形处的最大光强值；根据所述检测图形内的所述辅助图形处的最大光强值与所述重新输出的OPC模型的阈值比较结果，判断所述检测图形内的所述辅助图形是否被显影。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，所述检测图形内的所述辅助图形处的最大光强值超过所述重新输出的OPC模型的阈值，则判定所述检测图形内的所述辅助图形被显影；反之，则判定所述检测图形内的所述辅助图形未被显影。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，所述检测工具包括光刻规则检查工具。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，所述OPC模型参数包括聚焦平面参数。可选的，在所述的图形显影情况的检测方法中，对筛选出的所述辅助图形未被显影的测试图形对应的图形化的光刻胶的实际CD值进行模拟计算得到光强值，所述光强值为所述重新输出的OPC模型的阈值。本专利技术提供的图形显影情况的检测方法，通过测量辅助图形被显影的测试图形对应的图形化的光刻胶和与其相邻的辅助图形未被显影的测试图形对应的图形化的光刻胶上端的实际CD值，来调整OPC参数，重新输出OPC模型。由于实际CD值的测量位置为图形化的光刻胶上端，其位置与辅助图形被显影的位置接近，因此，采用实际CD值得到的OPC模型能够提升对辅助图形显影情况检测的准确性。附图说明图1是一种检测工具检测出的辅助图形未被显影的光强分布图；图2是一种检测工具检测出的辅助图形被显影的光强分布图；图3是本专利技术一实施例的图形显影情况的检测方法流程图；图4是本专利技术一实施例的测试图形的结构示意图；图5是本专利技术一实施例的测试图形组的结构示意图；图6是图5中第四测试图形对应的图形化的光刻胶的扫描电镜图；图7是图5中第五测试图形对应的图形化的光刻胶的扫描电镜图；图8是本专利技术一实施例中图形化的光刻胶上CD值测量的示意图；图1-2中，101-主测试图形，102-辅助测试图形；图3-8中201-主图形，202-辅助图形；211-第一测试图形、212-第二测试图形、213-第三测试图形、214-第四测试图形、215-第五测试图形、216-第六测试图形、217-第七测试图形、218-第八测试图形，220-图形化的光刻胶，2201-纹路。具体实施方式目前主要通过具有OPC模型的检测工具进行辅助图形是否被显影的检测，所述检测工具为光刻规则检查(LithographyRuleCheck，LRC)工具，其可以利用OPC模型将测试图形中的不足之处检查出来。参阅图1和图2，通过具有OPC模型的检测工具对测试图形进行检测，所述测试图形包括主测试图形101和设置在主测试图形101两侧的辅助测试图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图形显影情况的检测方法，其特征在于，包括：/n在测试光罩上设置测试图形组，所述测试图形组包括至少两个测试图形，每个所述测试图形包括主图形以及设置在所述主图形周围的辅助图形，且同一所述测试图形组中的所述主图形宽度逐渐增大或者减小；/n利用所述测试光罩进行光刻胶的曝光及显影，得到每个所述测试图形对应的图形化的光刻胶，并检测每个所述测试图形对应的光刻胶的显影情况；/n筛选出所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形分别对应的图形化的光刻胶，并测量筛选出的所述图形化的光刻胶上端的实际CD值，所述图形化的光刻胶上端为所述光刻胶的图形高度的70%~90%；/n将所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形进行OPC模型的模拟，得到模拟CD值；/n根据所述模拟CD值与所述实际CD值的差值调整OPC模型参数，重新输出OPC模型；/n将重新输出的OPC模型添加到检测工具中，并采用所述检测工具对检测图形内的辅助图形的显影情况进行检测。/n

【技术特征摘要】
1.一种图形显影情况的检测方法，其特征在于，包括：
在测试光罩上设置测试图形组，所述测试图形组包括至少两个测试图形，每个所述测试图形包括主图形以及设置在所述主图形周围的辅助图形，且同一所述测试图形组中的所述主图形宽度逐渐增大或者减小；
利用所述测试光罩进行光刻胶的曝光及显影，得到每个所述测试图形对应的图形化的光刻胶，并检测每个所述测试图形对应的光刻胶的显影情况；
筛选出所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形分别对应的图形化的光刻胶，并测量筛选出的所述图形化的光刻胶上端的实际CD值，所述图形化的光刻胶上端为所述光刻胶的图形高度的70%~90%；
将所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形进行OPC模型的模拟，得到模拟CD值；
根据所述模拟CD值与所述实际CD值的差值调整OPC模型参数，重新输出OPC模型；
将重新输出的OPC模型添加到检测工具中，并采用所述检测工具对检测图形内的辅助图形的显影情况进行检测。


2.如权利要求1所述的图形显影情况的检测方法，其特征在于，根据所述模拟CD值与所述实际CD值的差值调整OPC模型参数，重新输出OPC模型，具体包括：
当所述模拟CD值与所述实际CD值的差值超过限定值，调整OPC模型参数，并返回到将所述辅助图形被显影的测试图形和与其相邻的所述辅助图形未被显影的测试图形进行OPC模型的模拟的步骤；
当所述模拟CD值与所述实际CD值的差值未超过限定值，输出OPC模型。


3.如权利要求1所述的图...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏来，罗招龙，刘秀梅，王康，赵广，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32