接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法技术

本发明专利技术提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明专利技术的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。

【技术实现步骤摘要】
接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法。
技术介绍
随着集成电路器件工艺节点不断缩小，光学临近效应(OpticalProximityEffect，简称OPE)也越发严重，传统的光学临近修正(OpticalProximityCorrection，简称OPC)技术已经不能满足工艺要求。于是，光学临近修正技术又演化出亚分辨率辅助图形技术(Sub-ResolutionAssistFeature，简称SRAF)，并被广泛应用于55nm技术节点以下的关键层次OPC出版过程中。通常在一个正在设计的OPC图形中既有图形密集区域，也有图形稀疏区域，而图形稀疏区域的光刻工艺窗口比图形密集区域的光刻工艺窗口偏小，这就导致共同的工艺窗口偏小。亚分辨率辅助图形技术(Sub-ResolutionAssistFeature，简称SRAF)的原理是在掩膜图形中图形稀疏区域内插入亚分辨率辅助图形，即散射条(ScatteringBar)，使得图形稀疏区域具有图形密集区域的特性，从而提高焦深和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，包括：/n提供一具有接触孔区域的OPC图形，所述接触孔区域包括接触孔图形及亚分辨率辅助图形；/n步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善接触孔的边缘误差。/n

【技术特征摘要】
1.一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，包括：
提供一具有接触孔区域的OPC图形，所述接触孔区域包括接触孔图形及亚分辨率辅助图形；
步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善接触孔的边缘误差。


2.如权利要求1所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述亚分辨率辅助图形位于相邻的两个接触孔图形之间，一个所述接触孔图形对应一个接触孔，步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差的步骤包括：
确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向；
获取所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离，当所述亚分辨率辅助图形与移动方向上的接触孔图形之间的距离小于第一设定值，则将所述亚分辨率辅助图形移动至与所述移动方向上的接触孔间距为第一设定值的位置，并输出所述亚分辨率辅助图形；当所述亚分辨率辅助图形与所述移动方向上的接触孔之间的距离大于第一设定值，步进移动所述亚分辨率辅助图形，且每步进移动一次所述亚分辨率辅助图形，获取所述接触孔的边缘误差，直至所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差达到第二设定值或者步进移动的次数达到设定值时，输出所述OPC图形。


3.如权利要求2所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一设定值为20～30nm。


4.如权利要求2所述的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，其特征在于，确定所述亚分辨率辅助图形的移动方向的步骤包括：
比较所述亚分辨率辅助图形两侧的接触孔图形对应的接触孔的边缘误差的大小，所述亚分辨率辅助图形沿边缘误...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡青，何大权，张辰明，魏芳，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31