【技术实现步骤摘要】
增强二维图形OPC模型精度的方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种增强二维图形OPC模型精度的方法。
技术介绍
当前大规模集成电路普遍采用光刻系统进行制造。光刻系统主要分为：照明系统，掩膜，投影系统及晶片四个系统。光源发出的光线经过聚光镜聚焦后入射至掩膜版，掩膜的开口部分透光；经过掩膜后，光线经投影系统入射至涂有光刻胶的晶片上，这样掩膜图形就复制在晶片上。当集成电路的最小特征尺寸和间距减小到光刻机所用光源的波长以下时，由于光的干涉和衍射，以及显影等问题导致曝在晶片上的图形严重失真，我们称之为光学邻近效应(OPE,Opticalproximityeffect)失真。这些失真引起的偏差可以达到20％，甚至更高，那么对最终的良率会有很大的杀伤力。那么为了是光刻结果更符合版图的设计，解决问题的办法就是引入分辨率增强技术(RET,Resolutionenhancementtechnology)。这种技术主要采用光学邻近效应校正(OPC,Opticalproximitycorrection),移相掩膜技术(PSM,P...
【技术保护点】
1.一种增强二维图形OPC模型精度的方法，其特征在于，包括：/n将版图上的图形分为第一区域和第二区域，将所述第一区域和所述第二区域的图形转移到晶片上；/n获得所述晶片的第一区域显影后的图形的线宽大小和矢量轮廓图，并将第一区域显影后的图形的线宽大小和矢量轮廓图与版图数据内的线宽大小和矢量轮廓图进行比对；/n获得所述晶片上的第二区域刻蚀后的图形的轮廓线，并将刻蚀后的图形轮廓线与版图数据内的轮廓线以及第一区域显影后的图形的矢量轮廓图分别进行对比，其中，所述轮廓线包括：底部轮廓线和顶部轮廓线，并通过第二区域的底部轮廓线除以顶部轮廓线的值获得光刻胶初始图形斜率；/n获得所述第一区域显...
【技术特征摘要】
1.一种增强二维图形OPC模型精度的方法，其特征在于，包括：
将版图上的图形分为第一区域和第二区域，将所述第一区域和所述第二区域的图形转移到晶片上；
获得所述晶片的第一区域显影后的图形的线宽大小和矢量轮廓图，并将第一区域显影后的图形的线宽大小和矢量轮廓图与版图数据内的线宽大小和矢量轮廓图进行比对；
获得所述晶片上的第二区域刻蚀后的图形的轮廓线，并将刻蚀后的图形轮廓线与版图数据内的轮廓线以及第一区域显影后的图形的矢量轮廓图分别进行对比，其中，所述轮廓线包括：底部轮廓线和顶部轮廓线，并通过第二区域的底部轮廓线除以顶部轮廓线的值获得光刻胶初始图形斜率；
获得所述第一区域显影后的图形的线宽大小、矢量轮廓图、测试版图、第一区域显影图形后的矢量轮廓图、第二区域刻蚀后的所述底部轮廓线和所述顶部轮廓线以及光刻胶初始图形斜率之间的相关性并建立光学临近效应模型；
读入待测试版图数据，使用所述光学临近效应模型对待测试版图数据进行处理，判断所述待测试版图数据的图形特征是否超出规格，若超出阈值，则对版图数据进行OPC修正处理。
2.如权利要求1所述的增强二维图形OPC模型精度的方法，其特征在于，对版图数据进行OPC修正处理之后，所述增强二维图形OPC模型精度的方法还包括：继续使用所述光学临近效应模型对OPC修正处理之后的版图数据进行处理，判断所述OPC修正处理之后的版图数据的图形特征是否超出阈值，若超出阈值，则再次对版图数据进行OPC修正。
3.如权利要求1所述的增强二维图形OPC模型精度的方法，其特征在于，所述增强二维图形OPC模型精度的方法还包括：若超出阈值，还将进行报警处理。
4.如权利要求1所述的增强二维图形OPC模型精度的方法，其特征在于，读入待测试版图数据、获得所述晶片的第一区域显影后的图形的线宽大小和矢量轮廓图和获得所述晶片上的第二区域刻蚀后的图形的轮廓线均使用新型电子扫描装置扫描获得。
5.如权利要求1所述的增强二维图形OPC模型精度的方法，其特征在于，所述增强二维图形OPC模型精度的方法还包括，使用存储装置存储显影后的图形和刻蚀后的图形。
6.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：孟鸿林，张辰明，魏芳，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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