金属层光刻工艺热点的修复方法技术

本发明专利技术提供了一种金属层光刻工艺热点的修复方法，包括以下步骤：S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，S2：获取所述第一区域的边缘线中与第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；S4：对更新后的掩膜版图形进行仿真；S5：当仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。本发明专利技术的金属层光刻工艺热点的修复方法可以提升金属层光刻工艺热点的修复效率。

【技术实现步骤摘要】
金属层光刻工艺热点的修复方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种金属层光刻工艺热点的修复方法。
技术介绍
光刻工艺是集成电路制造的主要工艺，光刻工艺是最复杂的技术之一，也是推动集成电路工艺发展的重要推动力。光刻工艺的优劣决定着集成电路的性能。光刻工艺是将掩模版图形向硅片表面各层材料上的转移，以使硅片表面各层材料上得到与掩模板图形相关的光刻图形。随着技术节点的不断减小，在硅片表面金属层的光刻工艺中，由于光学成像本身的分辨率限制及金属层掩膜版图形的设计缺陷会导致金属层掩模版图形在硅片上的曝光图形中出现孔接触不良的缺陷(即光刻工艺热点)，这些出现缺陷的区域叫做光刻工艺热点区域，简称光刻工艺热点。光刻工艺热点可能会影响到金属层电路的性能，甚至导致集成电路流片失败。因此，应该在金属层掩膜版出版之前，找出光刻工艺热点并对金属层掩膜版图形进行光学邻近修复。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金属层光刻工艺热点的修复方法，能够减少修复金属层掩膜版图形时出现新的光刻工艺热点的概率，提升了金属层光刻工艺热点的修复效率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，所述掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，/nS2：获取所述第一区域的边缘线中与所述第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，/nS3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；/nS4：对更新后的所述掩膜版图形进行热点仿真；/nS5：当热点仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供用于形成金属层的掩膜版图形，所述掩膜版图形中具有若干工艺热点区域，所述工艺热点区域包括对应金属线的第一区域及对应接触孔的第二区域；执行步骤S2，
S2：获取所述第一区域的边缘线中与所述第二区域之间的距离小于第一设定值的部分作为扩展线段；执行步骤S3，
S3：将所述扩展线段向外移动第二设定值以扩大所述第一区域，并更新所述掩膜版图形；
S4：对更新后的所述掩膜版图形进行热点仿真；
S5：当热点仿真失败时，则返回步骤S3，当仿真通过或仿真的次数达到第三设定值时，输出最新的所述掩膜版图形。


2.如权利要求1所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，在步骤S2中，获取所述扩展线段的步骤包括：
构建与所述第二区域同心的第一标记区域，所述第二区域的边缘线与所述第一标记区域的边缘线之间的距离为第一设定值；
获取位于所述第一标记区域中且与所述第一标记区域的任意边缘线平行的所述第一区域的边缘线的部分作为所述扩展线段；以及，
在对所述掩膜版图形进行热点仿真时忽略所述第一标记区域。


3.如权利要求1所述的金属层光刻工艺热点的修复方法，其特征在于，在步骤S2中，获取所述扩展线段的步骤包括：
获取所述第一区域与所述第二区域中距离小于或等于所述第一设定值的相邻的边缘线对，在所述相邻的边缘线对中，所述第二区域的边缘线位于所述第一区域内；
在所述相邻的边缘线之间构建与所述第二区域连通的第二标记区域，其中，所述第二标记区域在垂直于所述相邻的边缘线之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何大权，陈翰，赵宝燕，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31