半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法以及半色调掩模技术

本发明专利技术的课题是提供可进行极高精度的缺陷修正的半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法，以及缺陷被极高精度地修正的半色调掩模。本发明专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法通过在半透射部3的缺陷修正对象区域5形成修正膜10，从而修正在半透射部3产生的缺陷4，包括：主膜成膜工序，在缺陷修正对象区域5，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成主膜8；填补膜成膜工序，在即使通过主膜8的成膜也仍然残留在缺陷修正对象区域5的高透射部，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成填补膜9。

【技术实现步骤摘要】
半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法以及半色调掩模
本专利技术涉及在半色调掩模的半透射部产生的缺陷的修正方法，采用此方法的半色调掩模的制造方法，以及采用此方法制造的半色调掩模。
技术介绍
作为光刻法技术，半色调掩模已为人知。半色调掩模通过具备透射率介于透射部的透射率(也称透光率。以下，同样。)和遮光部的透射率之间的半透射部，实现结合了由透射部产生的白色灰阶以及遮光部产生的黑色灰阶的二灰阶，和由半透射部产生的白和黑中间(灰色调)的灰阶的多灰阶(三灰阶以上)，因此也被称为多灰阶光掩模。通过使用半色调掩模，能够以一次曝光将曝光量不同的图案形成为光刻胶。因此，能够预期减少光掩模的使用片数，减少制造工序，进而减少制造成本。在此，在半色调掩模中，由于制造工序上等的问题，可能产生的缺陷大致分两种。一种是半透射部的一部分存在缺损的缺陷(如果存在缺损，透射率会上升，因此称为“白缺陷”。)。另一种是半透射部的一部分存在残余或者异物的缺陷(如果存在异物等，透射率会下降，因此称为“黑缺陷”。)。产生这种缺陷时，需要对缺陷进行修正。在白缺陷的情况下，通过在缺损部分形成修正膜，从而修正白缺陷。在黑缺陷的情况下，通过将异物等或者异物等所在的半透射部的部分去除，根据需要形成新的修正膜，从而修正黑缺陷。作为缺陷修正方法，专利文献1记载的方法或者专利文献2记载的方法已为人知。这些方法是使用激光CVD(ChemicalVaporDeposition)法形成修正膜的方法。即，这些方法是通过使从激光振荡器射出的激光通过开口，用物镜进行聚光，对被置于反应气体氛围中的缺陷修正对象光掩模的表面进行照射，从而形成CVD膜的修正膜。根据激光CVD法，能够使修正膜的膜厚均匀化。由此，可进行高精度的缺陷修正。现有技术文献专利文献专利文献1日本特开2010-210919号公报专利文献2日本特开2017-173670号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题然而，近年来，随着制品的进一步高品质化，对高精度图案形成的要求逐渐提高。在下一代显示器的面板所使用的有机发光二极管(OLED：OrganicLightEmittingDiode、也称有机EL(OrganicElectro-Luminescence)。)的情况下，和液晶面板相比，还存在半透射部大面积化的情况。因此，不仅是缺陷修正，也需要进一步的高精度化。因此，本专利技术针对上述情况而提出，其课题在于，提供可进行极高精度的缺陷修正的半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法，以及缺陷被极高精度地修正的半色调掩模。用于解决课题的手段本专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法，通过在半色调掩模的半透射部的缺陷修正对象区域形成修正膜，从而修正在半透射部产生的缺陷，包括：主膜成膜工序，在缺陷修正对象区域，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成主膜；填补膜成膜工序，在即使通过主膜的成膜也仍然残留在缺陷修正对象区域的高透射部，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成填补膜。在此，作为本专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法的一种实施方式，能够采用如下的构成：主膜成膜工序，以和缺陷修正对象区域一致的形状形成主膜，或者，在缺陷修正对象区域的边界的至少一部分和主膜的外边缘的至少一部分之间产生间隙并形成主膜；填补膜成膜工序，以从缺陷修正对象区域的边界到主膜的外边缘部的宽度，在沿缺陷修正对象区域的边界以及主膜的外边缘部生成的高透射部，形成填补膜。另外，作为本专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法的其他实施方式，能够采用如下的构成：主膜成膜工序，包括：基层成膜工序，形成具有比半透射部的透射率高的透射率的基层；透射率调整层成膜工序，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，在基层上形成一层或者多层透射率调整层。这种情况下，能够采用如下的构成：基层成膜工序，以在缺陷修正对象区域的边界和基层的外边缘之间形成间隙的方式，形成基层；或者，以基层的外边缘和缺陷修正对象区域的边界相接的方式，形成基层。另外，作为本专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法的其他实施方式，能够采用如下的构成：填补膜成膜工序包括透射率调整层成膜工序，透射率调整层成膜工序以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成一层或者多层透射率调整层。另外，作为本专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法的又一种实施方式，能够采用如下构成：包括修整工序，修整工序在主膜成膜工序之前，设定包含缺陷的规定形状的缺陷修正对象区域，去除缺陷修正对象区域内存在的既存的半透射膜。另外，作为本专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法的又一种实施方式，能够采用如下构成：在缺陷超过规定尺寸的情况下，将缺陷修正对象区域分割为多个并进行缺陷修正。另外，作为本专利技术的半色调掩模的缺陷修正方法的又一种实施方式，能够采用如下构成：通过在原料气体的氛围中，对缺陷修正对象区域内照射激光光束，从而形成修正膜。另外，本专利技术的半色调掩模的制造方法，包括：在透明基板上，形成遮光部、透射部以及半透射部的工序；修正在半透射部产生的缺陷的缺陷修正工序；作为缺陷修正工序，采用上述任一项的缺陷修正方法。另外，本专利技术的半色调掩模，在透明基板上，包括遮光部、透射部以及半透射部，在半透射部包括修正膜，修正膜包括：主膜，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式成膜；填补膜，在光凭主膜还是和半透射部的透射率不相等的高透射部，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式成膜。专利技术效果如以上所述，根据本专利技术，修正膜以主膜和填补膜构成，它们分别在调整透射率的同时被形成。由此，修正膜在整个面上以透射率均匀并且和半透射部的透射率相等的方式成膜。因此，根据本专利技术，能够实现极高精度的缺陷修正。附图说明图1(a)是在本实施方式的半色调掩模的缺陷修正方法以及半色调掩模的制造方法使用的缺陷修正装置的概要图。图1(b)以及(c)是同一缺陷修正装置的狭缝的概要图。图2(a)～(f)是缺陷修正方法1的说明图。图3(a)～(c)是同一缺陷修正方法1的第二工序的说明图，是图2(c)的A部以及B部的说明图。图4(a)～(d)是同一缺陷修正方法1的第三工序的说明图，是图2(d)的C部以及D部的说明图。图5(a)～(d)是同一缺陷修正方法1的第四工序的说明图，是图2(e)的E部以及F部的说明图。图6(a)～(e)是从缺陷修正方法2-1的第一工序到第四工序的说明图。图7(a)～(e)是从同一缺陷修正方法2-1的第五工序到第九工序的说明图。图8(a)～(d)是从缺陷修正方法2-2的第一工序到第三工序的说明图。图9(a)～(e)是从同一缺陷修正方法2-2的第四工序到第八工序的说明图。图10(a)～(c)是从缺陷修正方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半色调掩模的缺陷修正方法，通过在半色调掩模的半透射部的缺陷修正对象区域形成修正膜，从而修正在半透射部产生的缺陷，其特征在于，包括：/n主膜成膜工序，在缺陷修正对象区域，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成主膜；/n填补膜成膜工序，在即使通过主膜的成膜也仍然残留在缺陷修正对象区域的高透射部，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成填补膜。/n

【技术特征摘要】
20200304 JP 2020-0366001.半色调掩模的缺陷修正方法，通过在半色调掩模的半透射部的缺陷修正对象区域形成修正膜，从而修正在半透射部产生的缺陷，其特征在于，包括：
主膜成膜工序，在缺陷修正对象区域，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成主膜；
填补膜成膜工序，在即使通过主膜的成膜也仍然残留在缺陷修正对象区域的高透射部，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成填补膜。


2.根据权利要求1所述的半色调掩模的缺陷修正方法，其特征在于，主膜成膜工序以和缺陷修正对象区域一致的形状形成主膜，或者，在缺陷修正对象区域的边界的至少一部分和主膜的外边缘的至少一部分之间产生间隙并形成主膜；
填补膜成膜工序以从缺陷修正对象区域的边界到主膜的外边缘部的宽度，在沿缺陷修正对象区域的边界以及主膜的外边缘部生成的高透射部，形成填补膜。


3.根据权利要求1或2所述的半色调掩模的缺陷修正方法，其特征在于，主膜成膜工序包括：
基层成膜工序，形成具有比半透射部的透射率高的透射率的基层；
透射率调整层成膜工序，以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，在基层上形成一层或者多层透射率调整层。


4.根据权利要求3所述的半色调掩模的缺陷修正方法，其特征在于，基层成膜工序以在缺陷修正对象区域的边界和基层的外边缘之间形成间隙的方式，形成基层；或者，以基层的外边缘和缺陷修正对象区域的边界相接的方式，形成基层。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的半色调掩模的缺陷修正方法，其特征在于，填补膜成膜工序包括透射率调整层成膜工序，透射率调整层成膜工序以使得透射率和半透射部的透射率相等的方式，形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤木宣纪，多田莲，
申请(专利权)人：株式会社SK电子，
类型：发明
国别省市：日本;JP