掩膜图形修复方法及掩膜板技术

一种掩膜图形修复方法及掩膜板，修复方法包括：提供基板，所述基板上形成有若干掩膜图形，其中部分所述掩膜图形具有缺口；形成填充所述缺口的第一修复层；在所述第一修复层与所述掩膜图形的连接部位形成第二修复层。本发明专利技术有助于增加修复层与掩膜图形的黏合强度，其中，所述修复层包括第一修复层及第二修复层，从而防止修复层剥落。

【技术实现步骤摘要】
掩膜图形修复方法及掩膜板
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种掩膜图形修复方法及掩膜板。
技术介绍
在半导体结构制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到晶圆制造中间的一个过程，即光掩膜板制造。这一部分是流程衔接的关键部分，是流程中造价最高的一部分，也是限制最小线宽的瓶颈之一。光掩膜板制造流程包括数据转换、图形产生、光阻显影、铬层刻蚀、去除光阻、尺寸测量、初始清洗、缺陷检测、缺陷补复、再次清洗及加附蒙版等步骤。在光掩膜板制造的工艺流程中，其中一个步骤为检测掩膜图形的表面缺陷。表面缺陷一般呈缺口状，严重影响掩膜图形的使用性能。因此在检测到表面缺陷后，还需要对缺陷进行修复，以保证掩膜图形的正常使用。但是，现有技术中掩膜图形的修复方法仍有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种掩膜图形修复方法及掩膜板，有助于改善修复层与掩膜图形的黏合强度，从而防止修复层剥落。为解决上述问题，本专利技术提供一种掩膜图形修复方法，包括：提供基板，所述基板上形成有若干掩膜图形，其中部分所述掩膜图形具有缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜图形的修复方法，其特征在于，包括：/n提供基板，所述基板上形成有若干掩膜图形，其中部分所述掩膜图形具有缺口；/n形成填充所述缺口的第一修复层；/n在所述第一修复层与所述掩膜图形的连接部位形成第二修复层。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜图形的修复方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板上形成有若干掩膜图形，其中部分所述掩膜图形具有缺口；
形成填充所述缺口的第一修复层；
在所述第一修复层与所述掩膜图形的连接部位形成第二修复层。


2.如权利要求1所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，分步骤形成所述第一修复层及所述第二修复层。


3.如权利要求2所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，所述第一修复层的材料为六羟基铬，或者，所述第一修复层的材料为四乙基原硅酸盐及六羟基铬的复合材料。


4.如权利要求2所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，所述第二修复层的材料为六羟基铬，或者，所述第二修复层的材料为四乙基原硅酸盐及六羟基铬的复合材料。


5.如权利要求1所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，在同一工艺步骤中形成所述第一修复层及所述第二修复层。


6.如权利要求5所述的掩膜图形的修复方法，其特征在于，采用化...

【专利技术属性】
技术研发人员：包忍，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31