【技术实现步骤摘要】
将护膜置于光掩模上的设备与将护膜置于光掩模上的方法
本专利技术实施例涉及将护膜置于光掩模上的设备与将护膜置于光掩模上的方法。
技术介绍
在半导体行业中，存在朝向更高装置密度的趋势。为了实现此更高密度，需要更小特征。这些要求经常涉及按比例缩小装置的几何尺寸以实现更低制造成本、更高装置集成密度、更高速度及更好性能。除几何尺寸减小的优点以外，还进行半导体装置的改进。随着半导体行业不断发展，先进光刻技术已广泛用于集成电路制造操作中。光刻操作可包含与在晶片上涂布光致抗蚀剂层且将晶片曝光于曝光源有关的技术。掩模可用于半导体制造操作中以将预定图案转印至衬底上。例如，在衬底上方形成光致抗蚀剂层之后，可透过掩模将光致抗蚀剂层曝光于光化辐射，因此可通过后续显影形成光致抗蚀剂图案。为了改进光刻操作的性能，包含护膜薄膜的护膜可用来减轻落于光掩模的图案上的粒子的量。通过保持粒子与光掩模的图案之间的距离，粒子在曝光操作下可能失焦，由此减轻由粒子贡献的印刷缺陷。
技术实现思路
本专利技术的一实施例涉及一种将护膜...
【技术保护点】
1.一种将护膜设置于光掩模上的设备，其包括：/n盖，其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第二侧面对所述光掩模；及/n气垫，其置于所述第一侧与所述第二侧之间，其中所述气垫包括填充空气的气室。/n
【技术特征摘要】
20190430 US 16/399,0461.一种将护膜设置于光掩模上的设备，其包括：
盖，其具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第二侧面对所述光掩模；及
气垫，其置于所述第一侧与所述第二侧之间，其中所述气垫包括填充空气的气室。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括置于所述气垫与所述光掩模之间的多个销。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个销从所述第二侧突出穿过所述盖的所述第二侧处的多个孔径。
4.根据权利要求3所述的设备，其中所述多个孔径的布置对应于所述气垫的形状。
5.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个销经布置成四边形形状。
6.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘子汉，温志伟，林重宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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