光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版技术

一种光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版，其中，光刻掩膜版缺陷的修复方法包括：提供基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；在所述第一区的掩膜版内，形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；在所述第一开口的侧壁形成第一保护层；形成所述第一保护层之后，在所述第二区的掩膜版内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。所述方法对光刻掩膜版缺陷的修复效果较好。

【技术实现步骤摘要】
光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光刻掩膜版缺陷的修复方法及光刻掩膜版。
技术介绍
在集成电路制造领域，光刻技术被用来将图案从包含电路设计信息的光刻掩膜版上转移到晶圆(Wafer)上，其中的光刻掩膜版(Mask)，也称为光刻版、掩膜版或者光罩，是一种对于曝光光线具有局部透光性的平板，所述平板上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，所述几何图形为设计图形，所述设计图形用于在晶圆表面的光刻胶上曝光形成相应的图形。在光刻掩膜版的制造过程中，所述光刻掩膜版中还易产生额外图形，所述额外图形若不修复，后续也将在晶圆上形成相应的图像，使得晶圆上形成的图形不仅具有设计图形，还具有额外图形，所述额外图形是不需要的，即为缺陷，因此，利用光刻掩膜版对晶圆进行曝光显影前，需去除所述额外图形，也即去除所述缺陷。然而，利用现有技术对光刻掩膜版缺陷的修复效果较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种光刻掩膜版缺陷的修复方法及其修复结构，以提高光刻掩膜版缺陷的修复效果。为解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；/n在所述第一区的掩膜版内，形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；/n在所述第一开口的侧壁形成第一保护层；/n形成所述第一保护层之后，在所述第二区的掩膜版内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括相互分立的第一区和第二区，所述基底表面具有掩膜版；
在所述第一区的掩膜版内，形成第一开口，所述第一开口的底部暴露出基底的顶部表面；
在所述第一开口的侧壁形成第一保护层；
形成所述第一保护层之后，在所述第二区的掩膜版内形成第二开口，所述第二开口底部暴露出基底的顶部表面。


2.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第二开口采用第二气体刻蚀形成，所述第一保护层与所述第二气体不发生反应。


3.如权利要求2所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为透明材料；所述第一保护层的材料包括：四乙基原硅酸盐。


4.如权利要求1所述光刻掩膜版的形成方法，其特征在于，形成第二开口之后，还包括：去除所述第一保护层；去除所述第一保护层的清洗剂包括硫酸溶液、氢氧化钠溶液或者苯基三甲基氢氧化铵。


5.如权利要求3所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，形成第二开口之后，不去除所述第一保护层。


6.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为：2纳米～10纳米。


7.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料包括硅化钼或者氮化钽。


8.如权利要求7所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第一开口的形成工艺包括：第一修补工艺；所述第一修补工艺的步骤包括：提供第一刻蚀气体和第一电子束，第一刻蚀气体在第一电子束的作用下形成第一气体；第一气体与第一区的掩膜版反应形成第一开口。


9.如权利要求8所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包括XeF2。


10.如权利要求7所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述掩膜版的材料为硅化钼；当所述掩膜版的材料为硅化钼时，所述第二开口的形成工艺包括第二修补工艺；所述第二修补工艺的步骤包括：提供第二刻蚀气体和第二电子束，第二刻蚀气体在第二电子束的作用下形成第二气体；第二气体与第二区的掩膜版反应形成第二开口。


11.如权利要求10所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体包括XeF2。


12.如权利要求1所述光刻掩膜版缺陷的修复方法，其特征在于，所述基底还包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，秦学飞，薛粉，丛林娜，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31