相位移光罩缺陷补偿方法、装置及相位移光罩制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种相位移光罩缺陷补偿方法、装置及相位移光罩，方法包括：根据提供的相位移光罩，获取相位移光罩的参数；根据相位移光罩的参数建立检测模型；通过检测模型结合照明条件以及晶圆的光刻胶性质，计算出相位移光罩中的相位移垫层图案上的缺陷区域；缺陷区域为相位移光罩曝光时导致晶圆的表面出现破口的区域；根据缺陷区域的边界，确定需要覆盖在缺陷区域上的不透光层的边界；不透光层覆盖缺陷区域。本发明专利技术实施例通过检测相位移垫层图案中的缺陷区域，并在缺陷区域上覆盖不透光层，实现在通过相位移光罩对晶圆曝光时，在不透光层的作用下，与缺陷区域对应的晶圆表面位置处不再出现破口。

Defect compensation method, device and phase shifting mask

【技术实现步骤摘要】
相位移光罩缺陷补偿方法、装置及相位移光罩
本专利技术涉及光刻
，特别涉及一种相位移光罩缺陷补偿方法、装置及相位移光罩。
技术介绍
在
技术介绍
中，相位移光罩(PSM，phaseshiftmask)主要用于将预先设计的电子电路布局图案精确且清晰的转印到晶圆上。由于相位移光罩的穿透率不同，在曝光晶圆时，随着相位移光罩穿透率的增大，在晶圆上形成的面积较大的图案位置上会出现凹陷或开口。使得相位移光罩上的图案无法完整的转印到晶圆上。例如，如图1所示，采用穿透率为15％的相位移光罩进行曝光时，若相位移光罩上设计的图案尺寸较大，则曝光后，晶圆200上与该图案对应的光刻图案201位置会形成凹陷202。图2所示，采用穿透率为30％的相位移光罩进行曝光时，若相位移光罩上设计的图案尺寸较大，则曝光后，晶圆200上与该图案对应的光刻图案201位置中部会被完全贯穿，形成开口203。从而导致晶圆报废，降低了晶圆的成品率。在
技术介绍
中公开的上述信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。...

【技术保护点】
1.一种相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，包括：/n根据提供的相位移光罩，获取所述相位移光罩的参数，所述相位移光罩具有相位移垫层图案及相位移线路图案；所述相位移垫层图案的长宽或直径大于等于200nm，所述相位移线路图案的线宽小于等于40nm；/n根据所述相位移光罩的参数建立检测模型；/n通过所述检测模型结合照明条件以及晶圆的光刻胶性质，计算出所述相位移光罩中的所述相位移垫层图案中的缺陷区域；其中，所述缺陷区域为所述相位移光罩曝光时导致所述晶圆的表面出现破口的区域，所述缺陷区域相对于所述相位移垫层图案更分离于所述相位移线路图案；以及/n根据所述缺陷区域的第一边界，确定需要覆盖在所述缺陷区域上的...

【技术特征摘要】
1.一种相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，包括：
根据提供的相位移光罩，获取所述相位移光罩的参数，所述相位移光罩具有相位移垫层图案及相位移线路图案；所述相位移垫层图案的长宽或直径大于等于200nm，所述相位移线路图案的线宽小于等于40nm；
根据所述相位移光罩的参数建立检测模型；
通过所述检测模型结合照明条件以及晶圆的光刻胶性质，计算出所述相位移光罩中的所述相位移垫层图案中的缺陷区域；其中，所述缺陷区域为所述相位移光罩曝光时导致所述晶圆的表面出现破口的区域，所述缺陷区域相对于所述相位移垫层图案更分离于所述相位移线路图案；以及
根据所述缺陷区域的第一边界，确定需要覆盖在所述缺陷区域上的不透光层的第二边界；其中，所述不透光层的第二边界位于所述缺陷区域的第一边界和所述相位移垫层图案的邻近边界之间，用于覆盖所述缺陷区域。


2.如权利要求1所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，还包括：
根据确定的所述不透光层的第二边界，在所述缺陷区域上覆盖所述不透光层，以使所述相位移光罩曝光时，所述晶圆的表面上与所述垫层图案相对应的区域中无破口产生。


3.如权利要求1所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，所述相位移光罩的参数至少包括：所述相位移光罩的穿透率以及所述相位移垫层图案的面积。


4.如权利要求3所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，还包括：
判断所述相位移垫层图案的面积是否大于预设检测面积；
当所述相位移垫层图案的面积大于所述预设检测面积，执行根据所述相位移光罩的参数建立检测模型的步骤。


5.如权利要求3所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，还包括：
判断所述相位移垫层图案的面积是否大于预设检测面积；
当所述相位移垫层图案的面积大于所述预设检测面积，则通过光强模型结合所述照明条件、所述晶圆的光刻胶性质以及所述相位移光罩的穿透率，计算所述相位移光罩投射到所述晶圆上的光强；
判断所述光强是否小于预设显影光强；
当所述光强小于预设显影光强，则执行根据所述相位移光罩的参数建立检测模型的步骤。


6.如权利要求1所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，还包括：
对确定的所述不透光层的第二边界进行校正。


7.如权利要求1所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，还包括：
当所述相位移垫层图案上覆盖所述不透光层后，对所述相位移垫层图案的工艺窗口重新确定切点。


8.如权利要求1-7任一项所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，所述不透光层的材料包含铬。


9.如权利要求1-7任一项所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，所述不透光层包含光穿透率小于等于6％的氮氧化硅钼层。


10.如权利要求1-7任一项所述的相位移光罩缺陷补偿方法，其特征在于，所述不透光层为矩形或与所述缺陷区域外轮廓相同的形状，所述缺陷区域的第一边界至所述不透光层的第二边界的距离介于5～10nm。


11.一种相位移光罩缺陷补偿装置，其特征在于，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34