【技术实现步骤摘要】
光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法
本专利技术构思涉及光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。
技术介绍
为了满足用户所需要的高性能和低成本，越来越多地要求在半导体衬底上形成更小的图案。为了满足这些技术需求，光刻工艺中使用的光源的波长已变得更短。例如，在过去，光刻工艺利用具有g线波长带(例如，436nm)或i线波长带(例如，365nm)的光。使用具有深紫外或极紫外(EUV)波长带的光正变得更加普遍。由于具有EUV波长带的光大部分被折射光学材料吸收，因此EUV光刻通常利用反射光学系统代替折射光学系统。例如，EUV光刻使用反射光掩模，其反射侧上提供有应转移到晶片的电路图案。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施方式提供了缺陷的发生被减少或最少化的光掩模和制造其的方法。本专利技术构思的一些示例实施方式提供了制造半导体器件的方法，该方法能够减少或最少化图案缺陷的发生。根据本专利技术构思的一些示例实施方式，一种光掩模可以包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域...
【技术保护点】
1.一种光掩模，包括：/n衬底，包括图案区域和在所述图案区域周围的周边区域；/n反射层，在所述图案区域上并且延伸到所述周边区域上；/n吸收结构，在所述反射层上；以及/n电介质图案，在所述周边区域上的所述吸收结构上，并且暴露所述图案区域上的所述吸收结构。/n
【技术特征摘要】
20190114 KR 10-2019-00047791.一种光掩模，包括：
衬底，包括图案区域和在所述图案区域周围的周边区域；
反射层，在所述图案区域上并且延伸到所述周边区域上；
吸收结构，在所述反射层上；以及
电介质图案，在所述周边区域上的所述吸收结构上，并且暴露所述图案区域上的所述吸收结构。
2.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述周边区域包括：
与所述图案区域相邻的遮光区域；
与所述衬底的边缘相邻的外围区域；以及
在所述遮光区域和所述外围区域之间的标记区域，
其中所述电介质图案暴露所述遮光区域和所述标记区域上的所述吸收结构。
3.根据权利要求2所述的光掩模，其中，在所述外围区域上，所述电介质图案覆盖所述吸收结构的侧表面并且延伸到所述衬底上。
4.根据权利要求3所述的光掩模，其中，在所述外围区域上，所述电介质图案与所述衬底的第一表面接触。
5.根据权利要求3所述的光掩模，其中，在所述外围区域上，所述吸收结构在所述反射层的侧表面和所述电介质图案之间延伸。
6.根据权利要求2所述的光掩模，其中所述吸收结构包括：
多个吸收图案，在所述图案区域上的所述反射层上；以及
吸收层，覆盖所述遮光区域和所述标记区域上的所述反射层，并且延伸到所述外围区域上，
其中所述电介质图案在所述外围区域上的所述吸收层上。
7.根据权利要求6所述的光掩模，其中所述电介质图案暴露所述吸收层的一部分和所述吸收图案，所述吸收层的所述一部分在所述遮光区域和所述标记区域上。
8.根据权利要求7所述的光掩模，其中，在所述外围区域上，所述电介质图案覆盖所述吸收层的侧表面并且延伸到所述衬底上。
9.根据权利要求8所述的光掩模，其中，在所述外围区域上，所述吸收层在所述反射层的侧表面和所述电介质图案之间延伸。
10.根据权利要求2所述的光掩模，还包括在所述反射层和所述吸收结构之间的盖层，
其中，在所述外围区域上，所述电介质图案覆盖所述吸收结构的侧表面和所述盖层的侧表面，并且延伸到所述衬底上。
11.根据权利要求10所述的光掩模，其中，在所述外围区域上，所述吸收结构和所述盖层在所述反射层的侧表面和所述电介质图案之间延伸。
12.根据权利要求1所述的光掩模，其中
所述衬底具有彼此相反的第一表面和第二表面，
所述反射层、所述吸收结构和所述电介质图案在所述衬底的所述第一表面上，以及
所述光掩模还包括在所述衬底的所述第二表面上的下盖层。
13.一种光掩模，包括：
衬底，包括图案区域和在所述图案区域周围的周边区域；
反射层和吸收结构，顺序地堆叠在所述衬底上；以及
电介质图案，在所述周边区域上的所述吸收结构上，
其中所述电介质图案具有沿着所述衬底的边缘延伸的环形。
14.根据权利要求13所述的光掩模，其中所述电介质图案包括开口，所述开口暴露所述图案区域上的所述吸收结构。
15.根据权利要求14所述的光掩模，其中
所述吸收结构具有从所述衬底的所述边缘缩进的最外侧表面，并且
所述电介质图案覆盖...
【专利技术属性】
技术研发人员：金二权，金相辰，高熙英，金熙范，金勋，崔烘硕，许晋硕，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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