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公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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