【技术实现步骤摘要】
光掩模基板、其修正方法、制造方法和处理方法、光掩模的制造方法以及基板处理装置
本专利技术涉及光掩模基板的修正方法、光掩模基板的制造方法、光掩模基板的处理方法、光掩模基板、光掩模的制造方法以及基板处理装置。
技术介绍
在光掩模基板的制造中，在光掩模基板上形成转印用图案后，在对该转印用图案进行是否有缺陷的检查并判断有缺陷的情况下，执行对该缺陷进行修正的工序。但是，这样的缺陷的检查以及修正非常需要时间和成本。作为抑制这样的缺陷的发生的技术，已知有专利文献1中记载的技术。该专利文献1中记载了，即使在上层具有抗反射层的遮光膜的光密度为3.0以上，在抗反射层的成膜中进入的异物也会发生脱落，由此具有在抗反射层中产生针孔、光密度局部降低的问题。在专利文献1中，为了解决该问题，提出了对遮光膜的膜材料和膜厚进行设定以使得除抗反射层以外的遮光部的光密度为3.0以上的技术。另外，专利文献2中指出，若对在铬膜上产生的针孔等缺陷进行修正，则具有制造成本增高的问题。因此，专利文献2中提出了一种可以省略掩模缺陷修正的光掩模的制造方法...
【技术保护点】
1.一种光掩模基板的修正方法，其特征在于，该方法具有下述工序：/n准备光掩模基板的工序，该光掩模基板在透明基板的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜；以及/n针对在所述光学膜中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序，/n所述修正工序中，将原料气体供给至所述光掩模基板的形成有所述光学膜的第1主表面中的所述缺失缺陷的位置附近，同时从所述光掩模基板的第2主表面侧照射激光，利用透过了所述缺失缺陷的所述激光使所述原料气体反应，使所述修正膜堆积在所述第1主表面的所述缺失缺陷的位置。/n
【技术特征摘要】
20180928 JP 2018-1855041.一种光掩模基板的修正方法，其特征在于，该方法具有下述工序：
准备光掩模基板的工序，该光掩模基板在透明基板的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜；以及
针对在所述光学膜中产生的缺失缺陷形成修正膜的修正工序，
所述修正工序中，将原料气体供给至所述光掩模基板的形成有所述光学膜的第1主表面中的所述缺失缺陷的位置附近，同时从所述光掩模基板的第2主表面侧照射激光，利用透过了所述缺失缺陷的所述激光使所述原料气体反应，使所述修正膜堆积在所述第1主表面的所述缺失缺陷的位置。
2.如权利要求1所述的光掩模基板的修正方法，其特征在于，在未经历所述光学膜的图案缺陷检查的情况下实行所述修正工序。
3.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法，其特征在于，所述光学膜和所述修正膜由能够利用同一蚀刻剂进行蚀刻的材料构成。
4.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法，其特征在于，所述光学膜和所述修正膜包含Cr。
5.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法，其中，所述光学膜包含遮光膜。
6.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法，其特征在于，使所述原料气体的供给单元和所述激光的照射单元在隔着所述光掩模基板相互对置的状态下在与所述光掩模基板平行的面内分别移动，来进行所述修正工序。
7.如权利要求1或2所述的光掩模基板的修正方法，其中，在所述修正工序之前具有对所述光掩模基板进行清洗的清洗工序。
8.如权利要求7所述的光掩模基板的修正方法，其特征在于，所述清洗工序包含物理清洗。
9.一种光掩模基板的制造方法，该方法包括权利要求1～8中任一项所述的光掩模基板的修正方法。
10.一种光掩模的制造方法，该方法包括下述工序：
准备利用权利要求9所述的制造方法得到的光掩模基板的工序；以及
通过对所述光掩模基板实施描绘、显影以及蚀刻而形成转印用图案的图案化工序。
11.一种光掩模基板的处理方法，该方法包括下述工序：
准备光掩模基板的工序，该光掩模基板在透明基板的一个主表面上形成有用于形成转印用图案的光学膜；
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