光掩模、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印性的光掩模、光掩模的制造方法、光掩模的设计方法、光掩模坯料和显示装置的制造方法。光掩模在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案。上述转印用图案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部。设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为对于h线的相移量(度)为对于i线的相移量(度)为时，则满足且这些中，最接近180度的值为。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在透明基板上具有转印用图案的光掩模。特别是涉及有利于制造显示装置的光掩模、该光掩模的制造方法、该光掩模的设计方法、用于制造该光掩模的光掩模坯料、使用该光掩模制造显示装置的方法。
技术介绍
根据专利文献1，提出了在用于制造FPD(平板显示器)设备时，使用依次蚀刻有相位反转膜和遮光膜图案而成的光掩模。此处，记载了具有相位反转膜的光掩模，该光掩模涉及下述问题：在用于制造FPD设备的光掩模中，为了提高图案的分辨率，若将光源的波长变短而使透镜大型化，则透镜的焦点深度降低，对于得到实用的图案的分辨率而言存在界限。并且，期望相位反转膜对于i线、h线、g线的相位差偏差为10°以下。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-230379号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题目前，在包含液晶显示装置、EL显示装置等显示装置中，期望在更明亮且省电的同时实现高精细、高速显示、广视角等显示性能的提高。例如，对于上述显示装置中所用的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor、“TFT”)而言，构成TFT基板的两个以上的图案中，形成于层间绝缘膜的接触孔若不具有可靠地连接上层和下层的图案的作用，则无法保证准确的动作。另一方面，为了尽可能增大显示装置的开口率而制成明亮、省电的显示装置，要求接触孔的孔径足够小。与此相伴，用于形成这样的接触孔的光掩模所具备的孔图案的孔径也期望微细化(例如小于4μm)。例如需要孔径为2.5μm以下、进一步孔径为2.0μm以下的孔图案，据认为在不久的将来，还期望形成具有更小的1.5μm以下孔径的图案。基于这样的背景，需要能够可靠地转印微小接触孔的显示装置制造技术。在显示装置制造用的光刻领域，作为LCD用(或FPD用)等已知的曝光装置的NA(数值孔径)为0.08～0.10左右，曝光光源也大多使用包含i线、h线、g线的宽波长区域，从而实现较高的生产效率、有利的成本。但是，在如上所述的显示装置制造用的光刻领域中，图案的微细化要求也比以往更高。本专利技术人试图解决下述课题：在不使生产性、成本劣化的情况下稳定地进行更微细的显示装置的制造。在上述专利文献1中利用的是，在光掩模图案中使用相位反转膜时，在相位反转膜的边界通过曝光光的抵消干渉来提高分辨率。期望按照对于i线、h线、g线的相位差接近180°的方式形成相位反转膜，但不可避免的是相位差因波长的不同而不同，因此期望尽可能减小对于曝光光的相位差偏差。并且，该情况下，对于任一种波长的曝光光，使相位反转膜的相位差为180°为宜。但是，为了尽可能减小相位差偏差，需要开发具有这种物性的膜材料，该材料的探索并不容易。因此，本专利技术的目的在于得到一种光掩模，其在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印性，为了实现该目的，本专利技术人发现一种光掩模，即使使用具有相位差偏差的膜材料也可以进行分辨率优异的转印，以此为课题进行深入研究，从而完成了本专利技术。用于解决课题的手段本专利技术的构成1为一种光掩模，其为在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案的光掩模，其特征在于，上述转印用图案包含在上述透明基板上形成相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部，设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为上述相移膜具有的、对于h线的相移量(度)为上述相移膜具有的、对于i线的相移量(度)为时，满足并且，这些中，最接近180度的值为本专利技术的构成2为构成1的光掩模，其特征在于，设上述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)时，则3<Tg<15。本专利技术的构成3为构成1或2的光掩模，其特征在于，设上述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)、对于i线的透过率为Ti(％)时，则Ti<Tg。本专利技术的构成4为构成1～3中任一项的光掩模，其特征在于，上述转印用图案包含孔径为4μm以下的孤立孔图案。本专利技术的构成5为构成1～4中任一项的光掩模，其中，上述光掩模为应用包含i线～g线的波长区域的光作为曝光光的光掩模。本专利技术的构成6为构成1～5中任一项的光掩模，其中，上述透明基板上进一步具备经图案化的遮光膜。本专利技术的构成7为构成1～6中任一项的光掩模，其中，上述光掩模具备显示装置制造用的转印用图案。本专利技术的构成8为一种光掩模坯料，其为在透明基板上形成有相移膜的光掩模坯料，该光掩模坯料用于通过将上述相移膜图案化而形成转印用图案从而制成光掩模，其特征在于，设上述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为上述相移膜具有的、对于h线的相移量(度)为上述相移膜具有的、对于i线的相移量(度)为时，则满足并且，这些中，最接近180度的值为本专利技术的构成9为构成8的光掩模坯料，其中，设上述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)时，则3<Tg<15。本专利技术的构成10为构成8或9的光掩模坯料，其特征在于，设上述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)、对于i线的透过率为Ti(％)时，则Ti<Tg。本专利技术的构成11为构成8～10中任一项的光掩模坯料，其特征在于，该光掩模坯料用于制造应用包含i线～g线的波长区域的光作为曝光光的光掩模。本专利技术的构成12为构成8～11中任一项的光掩模坯料，其中，在上述相移膜上进一步形成有遮光膜。本专利技术的构成13为一种光掩模的制造方法，其具有：准备构成8～12中任一项所述的光掩模坯料的工序；和通过使上述光掩模坯料具有的上述相移膜图案化而形成转印用图案的工序。本专利技术的构成14为一种光掩模的设计方法，其为在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案的光掩模的设计方法，该设计方法的特征在于，上述光掩模用于利用在两个以上的波长中具有强度峰值的曝光光，将上述转印用图案转印至被转印体上，上述转印用图案包含在上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部，设上述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)时，则3<Tg<15，并且，设上述两个以上的波长中处于最长波长侧的光的波长为α、上述两个以上波长中处于比α短的波长侧的任意波长为β，设该波长α中的上述相移膜的相移量为上述波长β中的上述相移膜的相移量为时，则满足并且，选择上述相移膜的物性和膜厚，使得上述与180度的差小于上述与180的差。本专利技术的构成15为一种显示装置的制造方法，其为包括使用曝光装置将光掩模具有的转印用图案转印至被转印体上的工序的显示装置的制造方法，该显示装置的制造方法的上述转印的工序包含对上述转印用图案照射在两个以上波长中含有强度峰值的曝光光，其特征在于，上述光掩模在透明基板上具备使相移膜图案化而成的转印用图案，上述转印用图案包含上述透明基板上形成有相移膜的相移部、和上述透明基板露出的透光部，设上述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)时，则3<Tg<15，并且，设上述两个以上波长中处于最长波长侧的光的波长为α、上述两个以上波长中处于比α短的波长侧的任意波长为β，设该波长α中的上述相移膜的相移量为上述波长β中的上述相移膜的相移量为时，则满足并且，使用具有上述与180度的差小于上述与180度的差这样的物性和膜厚的相移膜，形成上述转印用图案。专利技术效果根据本专利技术，能够得到一种光掩模，其在图案的转印时能够形成有利形状的抗蚀剂图案且显示出优异的转印本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩模，其为在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案的光掩模，其特征在于，所述转印用图案包含在所述透明基板上形成有相移膜的相移部、和所述透明基板露出的透光部，设所述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为所述相移膜具有的、对于h线的相移量(度)为所述相移膜具有的、对于i线的相移量(度)为时，则满足并且，这些中，最接近180度的值为

【技术特征摘要】
2015.06.30 JP 2015-1309761.一种光掩模，其为在透明基板上具备包含经图案化的相移膜的转印用图案的光掩模，其特征在于，所述转印用图案包含在所述透明基板上形成有相移膜的相移部、和所述透明基板露出的透光部，设所述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为所述相移膜具有的、对于h线的相移量(度)为所述相移膜具有的、对于i线的相移量(度)为时，则满足并且，这些中，最接近180度的值为2.如权利要求1所述的光掩模，其特征在于，设所述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)时，则3<Tg<15。3.如权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，设所述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)、对于i线的透过率为Ti(％)时，则Ti<Tg。4.如权利要求1或2所述的光掩模，其特征在于，所述转印用图案包含孔径为4μm以下的孤立孔图案。5.如权利要求1或2所述的光掩模，其中，所述光掩模为应用包含i线～g线的波长区域的光作为曝光光的光掩模。6.如权利要求1或2所述的光掩模，其中，所述透明基板上进一步具备经图案化的遮光膜。7.如权利要求1或2所述的光掩模，其中，所述光掩模具备显示装置制造用的转印用图案。8.一种光掩模坯料，其为在透明基板上形成有相移膜的光掩模坯料，该光掩模坯料用于通过将所述相移膜图案化而形成转印用图案从而制成光掩模，其特征在于，设所述相移膜具有的、对于g线的相移量(度)为所述相移膜具有的、对于h线的相移量(度)为所述相移膜具有的、对于i线的相移量(度)为时，则满足并且，这些中，最接近180度的值为9.如权利要求8所述的光掩模坯料，其中，设所述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)时，则3<Tg<15。10.如权利要求8或9所述的光掩模坯料，其特征在于，设所述相移膜具有的、对于g线的透过率为Tg(％)、对于i线的透过率为Ti(％)时，则Ti<Tg。11.如权利要求8或9所述的光掩模坯料，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林周平，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP