相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模技术

本发明专利技术的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明专利技术的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9％。

【技术实现步骤摘要】
201610184327

【技术保护点】
一种相移掩模坯料，其是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属M、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率M/(M+Si)小于5％，所述半透光膜的氮含量为40原子％以上47原子％以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野泽顺，宍户博明，酒井和也，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP