一种新型的掩模清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种新型的掩模清洗方法，其包括以下步骤：S1、使用臭氧和去离子水的混合液进行清洗，去除光刻胶等有机物或是缺陷修补后所产生有机污染物；S2、使用SC‑1清洗液进行掩模清洗，确保残留颗粒去除彻底；S3、使用去离子水再次清洗，以去除残留铵根离子等掩模表面可能存在的残留颗粒；S4、最后使用氮气和异丙醇将掩模上残留去离子水吹净吹干即可。本发明专利技术采用臭氧水去除光刻胶等有机物，配合SC‑1加超声波震荡清洗的方式即可达到清洗目的，又可避免硫酸根离子所带来之雾状缺陷，成本低，清洗效果好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型的掩模清洗方法，属于半导体清洗

技术介绍
半导体国际雾状缺陷(Hazedefect)是残留在掩模版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时，这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩模版。然而到了193nm光刻，受其影响的掩模版高达20％左右，雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题，雾状缺陷对成品率的影响方式主要有两种。通常，雾状缺陷会生长到足够大小而成为一个点缺陷，然后被光刻印制到晶圆上。另一种比较少见的方式是，雾状缺陷会影响光透过掩模版的传输，从而引起特征尺寸(CD)的变化。当掩模版上的污染最终达到无法接受的程度时，就需要进行“保护膜再覆盖(repell)”工艺，即先去除原有的保护膜(pellicle)，清洗掩模版，再覆盖一层新的保护膜，然后将掩模版送回生产线。这种工艺不但成本很高，清洗效果一般并会缩短其使用寿命。雾状缺陷主要是硫酸铵，它的来源是光刻胶剥离和清洗工艺之后残留的污染物。掩模清洗工艺很久以来依赖于湿式的化学氧化性溶液来清除光刻胶以及缺陷修补程中产生的污染物和掩模盒等带来的污染物。最常见的湿式化学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的掩模清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、使用臭氧和去离子水的混合液进行清洗；S2、使用SC‑1清洗液进行掩模清洗；S3、使用去离子水再次清洗，以去除残留铵根离子；S4、最后使用氮气和异丙醇将掩模上残留去离子水吹净吹干即可。

【技术特征摘要】
1.一种新型的掩模清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、使用臭氧和去离子水的混合液进行清洗；S2、使用SC-1清洗液进行掩模清洗；S3、使用去离子水再次清洗，以去除残留铵根离子；S4、最后使用氮气和异丙醇将掩模上残留去离子水吹净吹干即可。2.根据权利要求1所述的一种新型的掩模清洗方法，其特征在于，步骤S1中，控制臭氧浓度为40～60PPM，混合液温度为20～40℃。3.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴平，尤春，张鹏，季书凤，杨晨，刘维维，沙云峰，朱希进，张月圆，胡超，
申请(专利权)人：无锡中微掩模电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32