The invention belongs to the field of semiconductor manufacturing technology, relates to a method for etching mask and the etching mask of LED fabrication, the etching mask includes a first flexible substrate, laminated and tightly bonded first adhesion layer and a patterned structure layer, the etching mask surface in the epitaxial wafer, using dry etching can be graphic the structure of the graphic layer transferred to the epitaxial wafer, wafer production process graphics and cost saving, convenient; while the graphical structure layer second and second layer adhesion adhesion to flexible substrate after dry etching, stripping the graphical structure layer to re form the etching mask, realize the recycling of.
【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀掩模及采用该刻蚀掩模制作LED的方法
本专利技术属于半导体制造领域,尤其涉及一种可再利用的刻蚀掩模以及采用该刻蚀掩模制作LED的方法。
技术介绍
目前,LED的制作工艺中需多次使用光刻法制作预期图案。光刻法,即首先将抗蚀剂(例如光刻胶)涂覆在外延片上,然后对抗蚀剂进行曝光。此后,通过在显影液中溶解预订图案的抗蚀剂曝光部分(正型),或者通过使抗蚀剂部分变得难以溶解(负型),来形成抗蚀剂掩模,并且通过蚀刻(例如干法蚀刻和湿法蚀刻)外延片,形成具有被蚀刻部分和未蚀刻部分的图案,将抗蚀剂掩模的图案转移到外延片上。由于光刻法中涂胶、曝光、显影步骤使得LED制作成本提高、制作周期延长,因此,有必要对LED的制作方法做出必要改进。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供了一种刻蚀掩模,采用该刻蚀掩模制作LED的MESA图案时,无需光刻法中的涂胶、曝光、显影步骤,仅需将刻蚀掩模置于外延片上并通过干法刻蚀即可获得预期的MESA图案,其中刻蚀掩模还可以循环利用,方便快捷、节省成本。为了实现此目的,根据本专利技术的一个方面,提供了一种刻蚀掩模,所述刻蚀掩模包括依次层叠并粘合的第一柔性基板、第一粘附层和图形化结构层,所述图形化结构层由复数个子结构间隔排列组成。优选的,所述步骤2)中复数个子结构规则或者不规则间隔排列优选的,所述第一柔性基板的材料为硅胶、凝胶状明胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚酰亚胺或者软质玻璃塑料中任意一种。优选的,所述第一粘附层的材料为树脂胶黏剂。优选的,所述图形化结构层的材料为不活泼金属、不活泼金属合金、不活泼金属氧 ...
【技术保护点】
一种刻蚀掩模,其特征在于:所述刻蚀掩模包括依次层叠并粘合的第一柔性基板、第一粘附层和图形化结构层,所述图形化结构层由复数个子结构间隔排列组成。
【技术特征摘要】
1.一种刻蚀掩模,其特征在于:所述刻蚀掩模包括依次层叠并粘合的第一柔性基板、第一粘附层和图形化结构层,所述图形化结构层由复数个子结构间隔排列组成。2.根据权利要求1所述的一种刻蚀掩模,其特征在于:所述复数个子结构规则或者不规则间隔排列。3.根据权利要求1所述的一种刻蚀掩模,其特征在于:所述第一柔性基板的材料为硅胶、凝胶状明胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚酰亚胺或者软质玻璃塑料中任意一种。4.根据权利要求1所述的一种刻蚀掩模,其特征在于:所述第一粘附层的材料为树脂胶黏剂。5.根据权利要求1所述的一种刻蚀掩模,其特征在于:所述图形化结构层的材料为不活泼金属、不活泼金属合金、不活泼金属氧化物、不活泼金属氮化物或者不活泼金属碳化物。6.根据权利要求5所述的一种刻蚀掩模,其特征在于:所述图形化结构层的材料为铬、镍、铜、铁锰合金、铁铬合金、氧化锆、氮化硅或者碳化硅中的任意一种。7.一种制作LED方法,其特征在于:采用权利要求1~6所述的任意一项刻蚀掩模,其具体方法步骤如下:1)提供一外延片,所述外延片至少包括衬底,以及依次层叠于所述衬底上的N型层、发光层和P型层;2)...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡家豪,吴和兵,陈明皓,马建华,孙京京,魏峰,邱智中,张家宏,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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