The invention provides a QLED device, which are sequentially overlapped including anode and hole transport layer, quantum dot light emitting layer, an electron transport layer and a cathode, wherein the quantum dot light-emitting layer core-shell quantum dots, and the shell is ZnS; the hole transport layer, the electronic transmission layer compound shell material with the core-shell quantum dots of the same material, wherein the electronic transmission layer is made by N ZnS, the hole transport layer is made by P ZnS, and the P ZnS Sb doped ZnS.
【技术实现步骤摘要】
QLED器件及其制备方法
本专利技术属于平板显示
,尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)由于具有半高峰宽窄、颜色可调和可溶液法制备等优点,成为下一代显示科技的有力竞争者。研究者从不同的角度对QLED展开研究,包括QDs、HTL、ETL和电极的研究;以及对器件的结构、性能和稳定性的研究。美国专利(US7880377)报道了一种基底/阳极/HTL/QDs/ETL/阴极结构的QLED器件;其中,HTL、ETL、QD的壳层均采用同种化合物制成。由于HTL、QDs、ETL均为无机材料层,该专利技术通过电喷雾的方法制备量子点发光层,通过分子束外延(MBE)的方法制备HTL和ETL层。虽然得到的QLED,能够一定程度上提高器件的效率。但是,由于采用电喷雾和分子束外延法制备器件,均需要很复杂的设备,且分子束外延法还需要超高的真空才能进行,因此,阻碍了其进一步的推广应用。因此在保证该器件结构的前提下,如何提供一种简单可行的制备方法仍是急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法,旨在解决现有技术制备组成化合物相同的HTL、ETL、QD壳层的QLED器件的过程中,通过电喷雾、分子束外延法制备无机层时,需要复杂的设备、苛刻的真空条件,导致方法难以推广应用的问题。本专利技术是这样实现的,一种QLED器件,包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,所述量子点发光层为核壳量子点,且其壳层为ZnS;所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成,其 ...
【技术保护点】
一种QLED器件,包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,所述量子点发光层为核壳量子点,且其壳层为ZnS;所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成,其中,所述电子传输层由N型ZnS制成,所述空穴传输层由P型ZnS制成,且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS。
【技术特征摘要】
1.一种QLED器件,包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,所述量子点发光层为核壳量子点,且其壳层为ZnS;所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成,其中,所述电子传输层由N型ZnS制成,所述空穴传输层由P型ZnS制成,且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS。2.如权利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述N型ZnS、P型ZnS为无定型相ZnS半导体材料。3.如权利要求1所述的QLED器件,其特征在于,所述Sb掺杂ZnS中,以Sb、Zn的摩尔总量为100%计,Sb占Sb、Zn摩尔总量的0.5-20%。4.如权利要求1-3任一所述的QLED器件,其特征在于,所述QLED器件还包括设置在所述阳极和所述空穴传输层之间的空穴注入层。5.如权利要求1-3任一所述的QLED器件,其特征在于,所述QLED器件为正型QLED器件,包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,其中,所述量子点发光层为核壳量子点,且其壳层为ZnS;所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成,其中,所述电子传输层由N型ZnS制成,所述空穴传输层由P型ZnS制成,且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS。6.如权利要求1-3任一所述的QLED器件,其特征在于,所述QLED器件为正型QLED器件,包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,其中,所述量子点发光层为核壳量子点,且其壳层为ZnS;所述空穴传输层、所述电子传输层采用与所述核壳量子点的壳层材料相同的化合物制成,其中,所述电子传输层由N型ZnS制成,所述空穴传输层由P型ZnS制成,且所述P型ZnS为Sb掺杂ZnS。7.如权利要求1-3任一所述的QLED器件,其特征在于,所述QLED器件为反型QLED器件,包括依次层叠设置的基板、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极,其中,所述量子点发光层为核壳量...
【专利技术属性】
技术研发人员:王宇,曹蔚然,杨一行,钱磊,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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