OLED器件及其制备方法和显示器技术

本发明专利技术公开了一种OLED器件及其制备方法和显示器，其中OLED器件包括：基板；功能层，功能层形成于基板上；第一吸水层，第一吸水层形成于功能层上并覆盖功能层中除发光区以外的位置；OLED器件层，OLED器件层形成于第一吸水层上和未被第一吸水层覆盖的功能层上。其通过在OLED器件的功能层与OLED器件层之间增加设置第一吸水层，有效避免了因前期生产工艺过程中造成的水汽或溶胶残留使后续有机材料蒸镀时产生渗气的情况。最终有效解决了传统的OLED器件因非封装问题导致的像素收缩的现象，影响其使用寿命的问题。

【技术实现步骤摘要】
OLED器件及其制备方法和显示器
本专利技术涉及有机发光显示器领域，特别是涉及一种OLED器件及其制备方法和显示器。
技术介绍
目前，OLED(OrganicLight-Emitting，有机发光二极管又称有机电激光显示)生产过程中都要采用有机胶。如：PMOLED(PassivematrixOLED，被动式有机发光二极管)和AMOLED(Active-MatrixOrganicLight-Emitting，有源矩阵有机发光二极管又称有源有机发光显示)中的像素界定层、隔离柱等功能层的制备。其中，由于AMOLED中的TFT(薄膜晶体管)基板多采用LTPS(LowTemperaturePoly-silicon低温多晶硅)基板。而LTPS基板在生产过程中通常需要有机胶来制备功能层中的平坦化层、像素界定层和隔离柱或支撑柱等。而在制备功能层中的平坦化层或像素界定层或隔离柱或支撑柱过程中，通常会残留部分水汽或溶胶。由此在进行有机材料蒸镀过程中很容易导致OLED器件出现渗气的现象，从而使得最终制备的OLED器件出现像素收缩的现象，影响OLED器件的使用寿命。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的OLED器件容易出现像素收缩的现象，影响其使用寿命的问题，提供一种OLED器件及其制备方法和显示器。为实现本专利技术目的提供的一种OLED器件，包括：基板；功能层，所述功能层形成于所述基板上；第一吸水层，所述第一吸水层形成于所述功能层上，并覆盖所述功能层中除发光区以外的位置；OLED器件层，所述OLED器件层形成于所述第一吸水层上和未被所述第一吸水层覆盖的所述功能层上。在其中一个实施例中，还包括：第二吸水层，所述第二吸水层形成于所述OLED器件层上。在其中一个实施例中，所述第一吸水层和所述第二吸水层均为透明绝缘材料。在其中一个实施例中，所述透明绝缘材料为InCl3或InCl3的衍生物。在其中一个实施例中，所述第一吸水层的厚度为10nm—100nm。在其中一个实施例中，所述第二吸水层的厚度为1nm—50nm。相应的，本专利技术还提供了一种OLED器件制备方法，包括如下步骤：在基板表面制备功能层；利用掩膜板在所述功能层表面中除发光区以外的位置制备第一吸水层；在所述第一吸水层表面和未被所述第一吸水层覆盖的所述功能层表面制备OLED器件层。在其中一个实施例中，所述利用掩膜板在所述功能层表面中除发光区以外的位置制备所述第一吸水层时，采用蒸镀工艺进行沉积制备。在其中一个实施例中，还包括采用蒸镀工艺在所述OLED器件层表面沉积第二吸水层的步骤。相应的，本专利技术还提供了一种显示器，包括如上任一所述的OLED器件。上述OLED器件的有益效果：其通过在OLED器件的功能层与OLED器件层之间增加设置第一吸水层，由第一吸水层吸收OLED器件在前期生产工艺过程中所残留的水汽或溶胶，从而有效避免了后续有机材料蒸镀时产生渗气的情况，使得最终所制备的OLED器件不会出现因非封装问题导致的像素收缩现象，延长了OLED器件的使用寿命。最终有效解决了传统的OLED器件容易出现像素收缩的现象，影响其使用寿命的问题。附图说明图1为本专利技术的OLED器件的实施例一的剖面结构示意图；图2为本专利技术的OLED器件的实施例二的剖面结构示意图；图3为本专利技术的OLED器件的实施例三的剖面结构示意图；图4为本专利技术的OLED器件制备方法的具体实施例的流程图；图5为本专利技术的OLED器件制备方法中所采用的掩膜板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术技术方案更加清楚，以下结合附图及具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。首先需要说明的是，功能层指的是形成在基板上的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)层。其具体可包括栅极、源极、漏极和有源层等。其还可包括有平坦化层、像素界定层和支撑柱或隔离柱。OLED器件层，则具体包括依次形成于第一吸水层上的第一有机层和阴极。通常，其还可包括形成于阴极上的第二有机层。其中，参见图1，作为本专利技术的OLED器件100的一具体实施例，即，实施例一，其包括基板110、形成于基板110上的功能层120、形成于功能层120上并覆盖功能层120中除发光区以外的位置的第一吸水层130，以及形成于第一吸水层130上和未被第一吸水层130覆盖的功能层120上的OLED器件层140。由此，其通过在功能层120与OLED器件层140之间设置第一吸水层130，由第一吸水层130吸收在OLED器件100生产过程中制备功能层120时所产生的水汽或溶胶等残留物，从而使得后续进行有机材料的蒸镀时不会出现渗气的现象。由此也就不会导致最终制备的OLED器件100出现非封装问题导致像素收缩的情况，从而最终延长了OLED器件100的使用寿命。其中，需要说明的是，第一吸水层130为透明绝缘材料。通过采用透明绝缘材料作为第一吸水层130，其既保证了功能层120中电极部分与OLED器件层140之间的绝缘性以保证OLED器件100的可靠性，同时还避免了其遮挡OLED器件100的发光的现象，保证了OLED器件100的正常发光。进一步的，选用透明绝缘材料作为第一吸水层130的材质时，此材料吸水后仍为固态，不会对器件本身造成影响，其优选为InCl3或InCl3的衍生物。其中，InCl3的衍生物可为[(t-Bu)PcInCl]。并且，作为本专利技术的OLED器件100的一具体实施例，其形成在功能层120之上的第一吸水层130的厚度为10nm—100nm。其通过将形成在功能层120之上的第一吸水层130的厚度设置为10nm—100nm，既保证了能够将OLED器件100制备过程中残留的水汽或溶胶全部吸收干净，同时还避免了制备材料不必要的浪费。其中，为更清楚的说明本专利技术的技术方案，以下以第一吸水层130为InCl3的衍生物：[(t-Bu)PcInCl]为例，对本专利技术的OLED器件100作更为详细的说明。参见图2，作为本专利技术的OLED器件100的另一具体实施例，即，实施例二，其包括基板110，功能层120、第一吸水层130和OLED器件层140。其中：基板110为玻璃。在基板110表面还形成有缓冲层160，该缓冲层160可由无机材料如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等制备，并且该缓冲层160可形成于基板110的整个表面。在本实施例中，缓冲层160的结构为依次形成于基板110上的氮化硅(SiNx)层和氧化硅(SiOx)层的双层结构。功能层120则包括有TFT层、PLA层(平坦化层)122、PDL层(像素界定层)123、阳极层124和支撑柱125。其中，该功能层120可直接形成于缓冲层160上。并且，该功能层120的TFT层具体包括：有源层1210、栅极绝缘层1211、栅极1212、源极1213、漏极1214，第一层间绝缘层1215、第二层间绝缘层1216，以及电容第一电极1217和电容第二电极1218及两者间的绝缘层组成的电容。其中：有源层1210部分覆盖缓冲层160。并且，有源层1210可以由无机半导体，如：非晶硅或多晶硅、有机半导体或氧化物半导体形成，包括源区、漏区和沟道区。栅极绝缘层1211则形成于有源层1210和未被有源层1210覆盖的缓冲层160上，以便于将有源层1210和栅极1212隔离，达到有源层1210与栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件，其特征在于，包括：基板；功能层，所述功能层形成于所述基板上；第一吸水层，所述第一吸水层形成于所述功能层上，并覆盖所述功能层中除发光区以外的位置；OLED器件层，所述OLED器件层形成于所述第一吸水层上和未被所述第一吸水层覆盖的所述功能层上。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件，其特征在于，包括：基板；功能层，所述功能层形成于所述基板上；第一吸水层，所述第一吸水层形成于所述功能层上，并覆盖所述功能层中除发光区以外的位置，所述第一吸水层为InCl3或InCl3的衍生物；OLED器件层，所述OLED器件层直接形成于所述第一吸水层上和未被所述第一吸水层覆盖的所述功能层上。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，还包括：第二吸水层，所述第二吸水层形成于所述OLED器件层上。3.根据权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述第二吸水层为透明绝缘材料。4.根据权利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述透明绝缘材料为InCl3或InCl3的衍生物。5.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一吸水层的厚度为10nm—100nm。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：向桂华，甘帅燕，朱修剑，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32