一种发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本申请提供了一种发光二极管及发光装置，包括n型半导体层；在第一方向上，依次位于n型半导体层上的第一V坑开启层、第一多量子阱层、至少一层第二V坑开启层和第二多量子阱层的叠层结构；在第一方向上，第一V坑开启层和第二多量子阱层上贯穿设置有第一V型坑，第一V型坑部分延伸至第一V坑开启层；在第一方向上，第二多量子阱层上贯穿设置有第二V型坑，第二V型坑部分延伸至第二多量子阱层；p型半导体层，其位于第二多量子阱层上。本申请的发光二极管利用多重V型坑设计，增加了空穴注入，提升了复合发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及发光半导体，具体地，涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

1、目前，发光二极管(led)以其高效率、长寿命、全固态、自发光和绿色环保等优点，已经被广泛应用于照明和显示两大领域。尤其是氮化镓系发光二极管，因其带隙覆盖各种色光，已经成为国内外产学研各界重点研究的对象，并在外延技术和芯片技术上取得了重大进展。但是，目前发光二极管仍然存在发光效率偏低的问题。

2、v型坑是一种提升发光效率的重要手段。v型坑侧壁面呈v型贯穿整个有源区，因其特殊的几何结构，空穴很容易通过v型侧壁注入至更深的发光量子阱中，可以降低工作电压和改善电子和空穴空间上的不均匀分布，提高发光效率。但v型坑是沿底层的线位错产生的，其本身就是一种天然的漏电通道，会影响发光二极管的抗静电能力。并且v型坑生长过程中，容易引入很多缺陷，成为非辐射复合中心捕获载流子，影响内量子效率，对发光效率造成影响，还会对外延层表面平整度造成影响。

技术实现思路

1、本申请的目的是提供一种发光二极管及发光装置，通过设置多重v型坑，增加了空穴注入，提升本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一方向上的所述第一V型坑和所述第二V型坑的密度大于1E8/cm2。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一V坑开启层、所述第二V坑开启层的厚度为

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一V坑开启层、所述第二V坑开启层的材料为不掺杂或n型掺杂GaN、AlGaN、AlInGaN、InGaN或InN。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一V坑开启层和所述第二V坑开启层中碳浓度大于1E17 Atoms/cm3。...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一方向上的所述第一v型坑和所述第二v型坑的密度大于1e8/cm2。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一v坑开启层、所述第二v坑开启层的厚度为

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一v坑开启层、所述第二v坑开启层的材料为不掺杂或n型掺杂gan、algan、alingan、ingan或inn。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一v坑开启层和所述第二v坑开启层中碳浓度大于1e17 atoms/cm3。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括电子阻挡层，其位于所述第二多量子阱层与所述p型半导体层之间，且填充所述第一v型坑和所述第二v型坑。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一多量子阱层包括至少一组叠层设置的第一量子...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤恒，王瑜，朱振强，李政鸿，林兓兓，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：