本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别是提供一种多结单片发光元件及其制造方法、发光装置。多结单片发光元件至少包括：第一发光单元,其自下而上包括依序堆叠的第一N型层、第一发光层和第一P型层；第一隧道结，位于第一发光单元的上方，具有非故意掺...

本发明涉及半导体器件制造技术领域，特别是提供一种多结单片发光元件及其制造方法、发光装置。多结单片发光元件由N个(N≧2，N为自然数)发光单元自下而上叠加而成；其中，第一个至第N‑1个发光单元的设置相同,第一个发光单元自下而上包括依序堆叠...

本技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；电流扩展层，设置于所述第二导电型半导体层上；第一电极，设置于所述第一导电型半导体层上，并与第一导电型半导体层形成电连...

本申请提供了一种发光二极管及发光装置，包括n型半导体层；在第一方向上，依次位于n型半导体层上的第一V坑开启层、第一多量子阱层、至少一层第二V坑开启层和第二多量子阱层的叠层结构；在第一方向上，第一V坑开启层和第二多量子阱层上贯穿设置有第一...

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型杂质阻挡层和P型半导体层，发光层设置在N型半导体层上，电子阻挡层设置在发光层上，P型杂质阻挡层设置在电子阻挡层上，P型半导体层设置在P型杂...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管芯片，包括：外延层，所述外延层自下而上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层露出其部分表面，以形成第一半导体台阶；透明导电层，设置于所述第二半导体层上；第二电极，...

本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括半导体叠层、电流扩展层和电极，电流扩展层包括复合膜层和位于复合膜层上的第一扩展层，所述复合膜层至少包括一对叠层，所述叠层包括第二扩展层和位于所述第二扩展层上的金属层，叠层具有多个凹部...

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及发光装置，所述发光二极管依次包括第一半导体层、V坑开辟层、发光层和第二半导体层。发光层包括第一发光层和第二发光层，第一发光层包括n1个周期的第一量子阱结构，第二发光层包括n2个周期的第二...

本申请提供了一种发光二极管及其制作方法，其中，该发光二极管包括第一半导体层；位于所述第一半导体层上的发光层；位于所述发光层上的低温层；位于所述低温层上的第二半导体层；所述发光层包括叠层设置的量子垒层与量子阱层，以一层所述量子垒层与一层所...

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件和发光装置，包括半导体叠层，该半导体叠层包括：第一半导体层，具有n型掺杂；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，具有p型掺杂，所述第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面和远离第一半导体...

本实用新型涉及LED半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管，包括半导体叠层和设置于半导体叠层上的电极结构，还包括电流阻挡层，电流阻挡层设置于半导体叠层上，且被电极结构包覆，电流阻挡层包括外阻挡层和反射层，外阻挡层覆盖于反射层的侧表面，可...

本申请公开了发光二极管及其制备方法以及发光装置，涉及半导体制造技术领域。发光二极管包括衬底基板、第一半导体层、有源层和第二半导体层；衬底基板的上方具有沿衬底基板的板面分布且邻接的第一区域和第二区域，第二区域围绕第一区域分布；其中，第一半...

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法、发光装置，本发明的发光二极管，包括：衬底，所述衬底的侧面具有切面；LED芯片，位于所述衬底上，所述LED芯片具有长边和短边，其中，LED芯片的长边下方对应的衬底切面为第一切面，L...

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管，包括：按照预设方向排列的n个发光单元，n≥2，各发光单元之间通过隔离槽隔离；桥接电极，位于所述隔离槽处，并将n个发光单元依次电性连接起来，通过依次连接的顺序定义第1发光单元至第n...

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及氮化物发光二极管及发光装置，所述氮化物发光二极管至少包括：外延结构，包括n个外延层（n≥2），各外延层均包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，其中，所述有源层至少包括InGaN阱层，各外延层中有源层的...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制备方法，外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；透明导电层，设置于所述P型半导体层上，所述透明导电层具有多个空隙，所述空隙内填充有金属层；P型电极，设置...

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体外延结构及LED芯片，其中，半导体外延结构，包括半导体叠层：N型半导体层；有源层，设置于所述N型半导体层上；电子阻挡层，设置于所述有源层上，所述电子阻挡层为含Al的半导体层；缺陷阻挡层，设置于...

本发明涉及发光半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管及其制作方法，包括外延层，所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、发光层、第一P型半导体层、电子阻挡层和第二P型半导体层；所述第二P型半导体层为超晶格结构，所述超晶格结构包括上下交替排...

本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管芯片，包括衬底和位于所述衬底上的n个LED发光单元，n≥2，各所述LED发光单元之间通过衬底上的隔离槽相互隔离，n个LED发光单元通过位于在所述隔离槽上方的桥接结构依次连接，所述LED...

本发明涉及发光半导体技术领域，具体涉及一种发光二极管的外延结构，包括衬底，述外延结构还包括依次设于衬底上的缓冲层、3D成核层、2D填平层、N型层、过渡层、有源层和P型层，所述3D成核层和2D填平层中均采用n型掺杂，且3D成核层中n型掺杂...