一种高压发光二极管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管，包括：按照预设方向排列的n个发光单元，n≥2，各发光单元之间通过隔离槽隔离；桥接电极，位于所述隔离槽处，并将n个发光单元依次电性连接起来，通过依次连接的顺序定义第1发光单元至第n发光单元，其中，第n发光单元的面积最大。本实用新型专利技术可以提升高压发光二极管的抗负向静电冲击的能力，有效改善爆点问题，明显提高高压发光二极管的ESD能力和可靠性。可靠性。可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种高压发光二极管


[0001]本技术属于半导体
，尤其涉及一种高压发光二极管。

技术介绍

[0002]高压发光二极管，是在LED芯片制备阶段将多颗芯片串联发光，能减少下游封装厂焊线次数，提高其生产效率并节约成本，且封装体的可靠性随着焊线次数的减少有所提升。
[0003]随着高压发光二极管应用范围越来越广，对于芯片的尺寸也要求越来越小。常规高压发光二极管通常采用横平竖直的方式来划分多颗芯片区域。然而，在小尺寸高压芯片上，极易出现多颗不同芯片区域发光面积大小不均匀的现象，特别是高压发光二极管的最后一个芯片区域，因其被电极占据较大的面积，导致发光面积偏小。并且，由于多颗芯片串联的高压芯片，其通过的电流是一致的，便导致设有较小发光面积的芯片的电流密度较大，使得其在进行负向静电测试（电场方向由N电极到P电极），易出现ESD爆点的现象，从而影响高压二极管的可靠性。
[0004]为了解决高压发光二极管在负向静电测试中易发生局部ESD击穿/爆点现象的技术问题，本技术提供了一种能提高ESD能力的高压发光二极管。
>[0005]为实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压发光二极管，其特征在于，包括：按照预设方向排列的n个发光单元，n≥2，各发光单元之间通过隔离槽隔离；桥接电极，位于所述隔离槽处，并将n个发光单元依次电性连接起来，通过依次连接的顺序定义第1发光单元至第n发光单元，其中，第n发光单元的面积最大。2.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管，其特征在于，从俯视图看，在竖直方向上的隔离槽不位于同一条直线上。3.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管，其特征在于，第n发光单元的面积占所有发光单元面积之和的1/n～2/n。4.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管，其特征在于，除第n发光单元外，其余发光单元的面积相同或者不同。5.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管，其特征在于，各发光单元之间的隔离槽宽度相同或者不同。6.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管，其特征在于，各所述发光单元的面积不大于14400μm
2 。7.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙旭，陈亭玉，杨人龙，林兓兓，张中英，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：