发光装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术的一实施例的发光装置包括：基板；多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；多个光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层；以及第一凹槽，设置于位于所述光透射层之间的所述侧壁部的至少一部分的上表面，其中，所述第一凹槽具有小于从最相邻的光透射层到所述第一凹槽的最短宽度的宽度，并且具有小于最相邻的所述光透射层的厚度的深度。度的深度。度的深度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置


[0001]本专利技术涉及一种发光装置。

技术介绍

[0002]发光芯片作为发出通过电子和空穴的再结合而产生的光的半导体元件，最近，应用于显示器、汽车灯具、一般照明等多个领域。由于发光芯片寿命长、耗电量低、响应速度快，从而应用于汽车灯具、显示装置等多种领域。
[0003]在应用于汽车灯具或显示器的背光灯等的情况下，可能需要控制朝发光装置侧面的漏光现象。例如，若在发光装置的侧面发生漏光现象，则无法明确区分从汽车灯具发出的光在照射到汽车前方时作为明部和暗部的边界线的截止(Cut off)线。因此，光可能会照射到不必要的区域，据此，可能妨碍其他驾驶员的视野。并且，在显示器的情况下，若在发光装置的侧面发生漏光现象，则很难实现均匀的背光。在一般照明产品中，特别是在特定产品的情况下，也需要能够防止朝侧面的漏光的发光装置。

技术实现思路

[0004]技术问题
[0005]本申请所要解决的技术问题在于提供一种能够防止发光装置的漏光现象的发光装置。
[0006]本申请所要解决的另一技术问题在于提供一种在包括至少两个以上发光二极管芯片的发光装置中能够防止发光二极管芯片之间的局部区域的漏光现象的发光装置。
[0007]技术方案
[0008]根据本专利技术的一实施例的发光装置可以包括：多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；多个光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层；以及第一凹槽及第二凹槽，位于所述侧壁部的至少一部分的上表面，其中，所述第一凹槽可以具有小于从最相邻的至少一个所述光透射层到所述第一凹槽的最短宽度的宽度，并且可以具有小于从最相邻的至少一个所述光透射层的上表面到下表面的厚度的深度。
[0009]所述基板在上表面及下表面可以具有图案电极，并且可以具有包括电连接所述上表面的图案电极与所述下表面的图案电极的过孔的电路图案。
[0010]所述多个光透射层可以包括波长变换物质。
[0011]其特征在于，所述多个光透射层的上表面的宽度可以与下表面的宽度相同。
[0012]所述多个光透射层的下表面的宽度可以形成为大于所述多个发光二极管芯片的宽度。
[0013]其特征在于，所述多个光透射层的上表面的宽度可以大于下表面的宽度。
[0014]所述侧壁部可以包括：外壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层的外侧面；以及内壁部，形成于所述多个发光二极管芯片与所述多个光透射层面对的侧
面之间。
[0015]所述外壁部具有倾斜面，所述倾斜面到所述基板的厚度可以随着远离所述光透射层的侧面相邻的表面而变薄。
[0016]所述第一凹槽及所述第二凹槽可以形成为沿所述多个光透射层的侧面可以较长地延伸的直线。
[0017]从所述基板到所述第一凹槽的最短距离可以大于从所述基板到所述第二凹槽的最短距离。
[0018]所述基板可以包括：第一侧面；以及第二侧面，位于与所述第一侧面相反的位置，其中，可以具有从所述第一侧面延长的第一凹槽延伸部以及从所述第二侧面延长的第二凹槽延伸部。
[0019]其特征在于，所述第一凹槽延伸部的长度大于第二凹槽延伸部的长度。
[0020]所述侧壁部可以包括外壁部及内壁部，并且所述第一凹槽延伸部及所述第二凹槽延伸部可以位于所述外壁部。
[0021]从所述第一侧面到所述第一凹槽延伸部末端的距离可以小于从所述第二侧面到所述第二凹槽延伸部末端的距离。
[0022]所述发光装置还可以包括第三凹槽及第四凹槽，与所述第一凹槽及所述第二凹槽垂直相交，并且位于所述多个光透射层的侧面。
[0023]从所述多个光透射层的侧面到所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽及所述第四凹槽的各自距离可以相似。
[0024]所述第一凹槽及所述第二凹槽可以具有经过所述第四凹槽而位于所述外壁部的延伸部，所述第三凹槽及所述第四凹槽可以具有经过所述第二凹槽而位于所述外壁部的延伸部。
[0025]所述第一凹槽与所述第三凹槽在所述多个光透射层的至少四个角邻近的区域可以垂直交叉。
[0026]技术效果
[0027]根据本专利技术的一实施例的发光装置可以利用凹槽防止光透射侧壁部而防止向相邻的发光二极管芯片的漏光。
[0028]根据本专利技术的另一实施例的发光装置可以通过调节外壁部的宽度来防止在发光装置的侧面发生的漏光。
附图说明
[0029]图1a是用于说明根据本专利技术的一实施例的发光装置的示意性的立体图。
[0030]图1b是沿图1a的截取线A
‑
A
’
截取的示意性的平面图。
[0031]图1c是沿图1a的截取线A
‑
A
’
截取的示意性的剖视图。
[0032]图1d是沿图1a的截取线B
‑
B
’
截取的示意性的剖视图。
[0033]图1e是沿图1a的截取线C
‑
C
’
截取的示意性的剖视图。
[0034]图2是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
[0035]图3是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
[0036]图4a是用于说明根据本专利技术另一实施例的发光装置的示意性的平面图。
[0037]图4b是沿图4a的截取线D
‑
D
’
截取出的示意性的剖视图。
[0038]图5是示出根据本专利技术的一实施例的发光装置的亮度的图表。
[0039]图6a是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光装置的示意性的平面图。
[0040]图6b是沿图6a的截取线E
‑
E
’
截取的示意性的剖视图。
[0041]图7a是用于说明根据本专利技术的另一实施例的发光装置的示意性的平面图。
[0042]图7b是沿图7a的截取线F
‑
F
’
截取的示意性的剖视图。
[0043]图8是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
[0044]图9是用于说明根据本专利技术的又一实施例的发光装置的示意性的剖视图。
具体实施方式
[0045]以下，将参照附图详细说明本专利技术的实施例。下面介绍的实施例是作为示例提供的，以便本专利技术的思想能够充分传达给本专利技术所属的
中具备普通知识的人员。因此，本专利技术不限于以下说明的实施例，也可以具体化为其他形式。并且，在附图中，为了方便起见，构成要素的宽度、长度、厚度等可以夸张地表现。并且，当一个构成要素被记载在另一构成要素的“上方”或“上”时，不仅包括各部分在其他部分的“上方”或“上”的情况，还包括夹设在各构成要素和另一构成要素之间的又一构成要素。在说明书整体中相同的附图标记表示相同的构成要素。
[0046]图1a至图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，包括：基板；多个发光二极管芯片，位于所述基板的上部；多个光透射层，位于所述多个发光二极管芯片的上表面；侧壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层；以及第一凹槽，设置于位于所述光透射层之间的所述侧壁部的至少一部分的上表面，其中，所述第一凹槽具有小于从最相邻的光透射层到所述第一凹槽的最短宽度的宽度，并且具有小于最相邻的所述光透射层的厚度的深度。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述基板在上表面及下表面具有图案电极，并且具有包括电连接所述上表面的图案电极与所述下表面的图案电极的过孔的电路图案。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述多个光透射层包括波长变换物质。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述多个光透射层的上表面的宽度与下表面的宽度相同。5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，所述多个光透射层的下表面的宽度分别大于所述多个发光二极管芯片的宽度。6.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述多个光透射层的上表面的宽度大于下表面的宽度。7.根据权利要求1所述的发光装置，包括：所述侧壁部包括：外壁部，围绕所述多个发光二极管芯片及所述多个光透射层的外侧面；以及内壁部，形成于所述多个发光二极管芯片与所述多个光透射层面对的侧面之间。8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，所述外壁部具有倾斜面，所述倾斜面到所述基板的厚度随着远离所述光透射层的侧面相邻的表面而变薄。9.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：第二凹槽，形成于围绕所述多个光透射层的外侧面的侧壁部的上表面，所述第一凹槽及所述第二凹槽具有沿所述多个光透射层的侧面较长地延伸的形状。10.根据权利要求9所述的发光装置，其中，从所述基板到所述第一凹槽的最短距离大于从所述基板到所述第二凹槽的最短距离。11.根据权利要求9所述的发光装置，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙正勳，金譿认，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：