一种实现COB更低蓝光的全光谱方法技术

本发明专利技术公开了一种实现COB更低蓝光的全光谱方法，使用镜面基板作为芯片载体，将若干组芯片固晶于镜面基板的固晶区域内，采用导线连接芯片与镜面基板的正负极，采用先串联后并联的电路连接方式焊线，用围坝胶将整个固晶区域围起来，将峰值波长为660nm的红色荧光粉、峰值波长为525nm的黄绿色荧光粉、峰值波长为495nm的蓝色荧光粉混入到硅胶中，通过两种蓝光波段的芯片依照一定的比例使用并均匀排列，再配合红色、黄绿色、蓝色荧光粉激发实现白光，相比单蓝光芯片激发的有害蓝光光谱强度低50％，以减轻对视网膜的刺激和伤害，且显色指数大于等于99，实现低蓝光的全光谱参数，减少对眼睛的危害。害。害。

【技术实现步骤摘要】
一种实现COB更低蓝光的全光谱方法


[0001]本专利技术涉及COB光源加工
，具体为一种实现COB更低蓝光的全光谱方法。

技术介绍

[0002]COB光源是将LED芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高功率集成面光源技术，此技术剔除了支架概念，无电镀、无回流焊、无贴片工序，节省了制备工序和成本。
[0003]现有市场上的COB光源采用芯片激发荧光粉实现光谱的连续，COB封装主要以单蓝光激发红色和黄绿色荧光粉来实现白光，实现白光后4000K及以上色温的蓝光在相对光谱条件下蓝光强度为100％，高色温时蓝光强度过高，此时蓝光对人眼视网膜有黄变和变薄的风险，进而产生眼睛近视的不良影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种实现COB更低蓝光的全光谱方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种实现COB更低蓝光的全光谱方法，具体包括一下步骤：
[0006]步骤一、固晶：使用镜面基板作为芯片载体，将若干组芯片固晶于镜面基板的固晶区域内，固晶使用两种芯片，分别是440
‑
442.5nm的蓝光波段芯片和460
‑
462.5nm的蓝光波段芯片，两种芯片数量比为14：10，两种芯片尺寸均为22*35mil；
[0007]步骤二、焊线：采用导线连接芯片与镜面基板的正负极，采用先串联后并联的电路连接方式焊线；
[0008]步骤三、围坝：用围坝胶将整个固晶区域围起来，将峰值波长为660nm的红色荧光粉、峰值波长为525nm的黄绿色荧光粉、峰值波长为495nm的蓝色荧光粉混入到硅胶中，以齐平于围坝最高点为基准将混有三种荧光粉的硅胶点入固晶区域内；
[0009]步骤四、成型：围坝后形成的COB进行分选包装。
[0010]进一步的，所述镜面基板为镜面铝基板，红铜镜面基板、黄铜镜面基板、超导铝基板、薄绝铝基板、ALC铝基板中的一种。
[0011]进一步的，所述镜面基板的长度、宽度、厚度范围分别是7
‑
45mm、7
‑
45mm、0.6
‑
3mm。
[0012]进一步的，所述芯片为正装芯片、倒装芯片、垂直结构芯片、白光芯片、CSP芯片中的一种。
[0013]进一步的，所述芯片之间的间距在0.05
‑
10mm之间。
[0014]进一步的，所述步骤一固晶中使用的固晶介质为绝缘胶、银胶、锡膏、助焊剂中的一种。
[0015]进一步的，所述导线为0.6
‑
1.2mil长度范围内金线、铜合金线、金包银线中的一种，金线的纯度为99.99％。
[0016]进一步的，所述步骤一固晶中以160摄氏度的烤箱烘烤2小时使芯片粘接于镜面基
板上。
[0017]进一步的，所述步骤三围坝中以150摄氏度的烤箱烘烤4小时成型。
[0018]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0019](1)通过两种蓝光波段的芯片依照一定的比例使用并均匀排列，再配合红色、黄绿色、蓝色荧光粉激发实现白光，相比单蓝光芯片激发的有害蓝光光谱强度低50％，以减轻对视网膜的刺激和伤害，且显色指数大于等于99，实现低蓝光的全光谱参数，减少对眼睛的危害；
[0020](2)本技术方法适用于多种基板以及不同的灯芯，和普通COB加工方法差异小，便于普及，可以改善COB的出光效果，降低蓝光的强度，确保COB在高色温下发出的光线更护眼。
附图说明
[0021]图1为现有技术的COB光谱图；
[0022]图2为本专利技术的COB光谱图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]请参阅图1
‑
2，本专利技术提供一种技术方案：一种实现COB更低蓝光的全光谱方法，具体包括以下步骤：
[0025]步骤一、固晶：使用镜面基板作为芯片载体，将若干组芯片固晶于镜面基板的固晶区域内，固晶使用两种芯片，分别是440
‑
442.5nm的蓝光波段芯片和460
‑
462.5nm的蓝光波段芯片，两种芯片数量比为14：10，两种芯片尺寸均为22
×
35mil；
[0026]镜面基板表面设置有一个正极和一个负极，不仅限于一个正极和一个负极，可以为两个正极或更多，便于和芯片正负极进行电性连接；
[0027]步骤二、焊线：采用导线连接芯片与镜面基板的正负极，采用先串联后并联的电路连接方式焊线；
[0028]步骤三、围坝：用围坝胶将整个固晶区域围起来，将峰值波长为660nm的红色荧光粉、峰值波长为525nm的黄绿色荧光粉、峰值波长为495nm的蓝色荧光粉混入到硅胶中，以齐平于围坝最高点为基准将混有三种荧光粉的硅胶点入固晶区域内；
[0029]围坝呈圆形设置，围坝外径为7.4mm，围坝的高度均是0.6mm；
[0030]步骤四、成型：围坝后形成的COB进行分选包装；
[0031]当COB生产完成后，对COB进行通电测试，并依据COB的规格对其进行分类包装。
[0032]在本实施例中，所述镜面基板为镜面铝基板，红铜镜面基板、黄铜镜面基板、超导铝基板、薄绝铝基板、ALC铝基板中的一种。
[0033]在本实施例中，所述镜面基板的长度、宽度、厚度范围分别是7
‑
45mm、7
‑
45mm、0.6
‑
3mm。
[0034]镜面基板上安装芯片后，芯片所处区域为镜面基板的发光面，依据镜面基板的尺寸，发光面设置呈正方形，发光面的变长在5mm至40mm之间，或者发光面的面积为20mm2至4000mm2。
[0035]在本实施例中，所述芯片为正装芯片、倒装芯片、垂直结构芯片、白光芯片、CSP芯片中的一种。
[0036]在本实施例中，所述芯片之间的间距在0.05
‑
10mm之间，两种芯片均匀交替排列与固晶区域内，依据镜面基板的尺寸，芯片使用的数量在6到500颗之间。
[0037]在本实施例中，所述步骤一固晶中使用的固晶介质为绝缘胶、银胶、锡膏、助焊剂中的一种。
[0038]在本实施例中，所述导线为0.6
‑
1.2mil长度范围内金线、铜合金线、金包银线中的一种，金线的纯度为99.99％，金线性能稳定，可以确保COB有较长的使用寿命。
[0039]在本实施例中，所述步骤一固晶中以160摄氏度的烤箱烘烤2小时使芯片粘接于镜面基板上。
[0040]在本实施例中，所述步骤三围坝中以150摄氏度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种实现COB更低蓝光的全光谱方法，其特征在于，具体包括一下步骤：步骤一、固晶：使用镜面基板作为芯片载体，将若干组芯片固晶于镜面基板的固晶区域内，固晶使用两种芯片，分别是440
‑
442.5nm的蓝光波段芯片和460
‑
462.5nm的蓝光波段芯片，两种芯片数量比为14：10，两种芯片尺寸均为22*35mil；步骤二、焊线：采用导线连接芯片与镜面基板的正负极，采用先串联后并联的电路连接方式焊线；步骤三、围坝：用围坝胶将整个固晶区域围起来，将峰值波长为660nm的红色荧光粉、峰值波长为525nm的黄绿色荧光粉、峰值波长为495nm的蓝色荧光粉混入到硅胶中，以齐平于围坝最高点为基准将混有三种荧光粉的硅胶点入固晶区域内；步骤四、成型：围坝后形成的COB进行分选包装。2.根据权利要求1所述的一种实现COB更低蓝光的全光谱方法，其特征在于：所述镜面基板为镜面铝基板，红铜镜面基板、黄铜镜面基板、超导铝基板、薄绝铝基板、ALC铝基板中的一种。3.根据权利要求2所述的一种实现COB更低蓝光的全光谱方法，其特征在于：所述镜面基板的长度、宽度、厚度范围分别是7
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【专利技术属性】
技术研发人员：陶洪波，
申请(专利权)人：广东犀朗光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：