本发明专利技术涉及半导体电子器件技术领域，具体涉及一种发光二极管及发光装置。发光二极管至少包括：N型层；有源层，自下而上具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面靠近N型层；P型层，位于有源层的上方，且靠近第二表面；其中，有源层具有交替堆叠的若干个势垒层和若干个势阱层，若干个势阱层至少被区分为具有不同铟浓度的第二阱层组、第三阱层组和第四阱层组，这三个阱层组中最大的铟浓度与最小的铟浓度差值为不大于4E20atoms/cm<supgt;3</supgt;。采用该种外延叠层结构制成的白光发光二极管所形成的白光光谱更接近于自然光，以提供更加舒适和自然的照明环境。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体电子器件，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管（led）是一种将电能转化为光能的发光器件，目前已广泛应用于生活中。在照明领域，人们已经不满足于照亮环境的基本功能，而是追求更高品质的、更健康舒适的照明光源。
2、当前，通常利用蓝光发光二极管（led）来激发荧光粉，以产生白光作为照明或显示光源。在实际使用中，同一产品因不同用户的使用环境（如温度等） 不同会产生差异。同时，由于蓝光在光谱中的占比较高，导致所产生的白光光谱与自然光光谱存在一定差异而影响该类照明光源产品的视觉效果。
3、因此，如何使蓝光发光二极管产生的蓝光光谱更接近于自然光源，从而使其与荧光粉结合后所产生的白光光谱更接近于自然光光谱，一直是本领域技术人员努力探索的方向。例如，在未来的研究中，我们将继续努力优化蓝光发光二极管的设计和荧光粉的配方等，以实现更接近自然光的白光光谱，为人类创造更加舒适和自然的照明环境。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于改善白光发光二极管的白光本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述第二阱层组、所述第三阱层组和所述第四阱层组中，最大的铟浓度与最小的铟浓度差值为不大于2E20atoms/cm3。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述第二阱层组、所述第三阱层组和所述第四阱层组中，最大的铟浓度与最小的铟浓度差值为不小于1E20atoms/cm3。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阱层组中铟浓度的范围为不小于5E20atoms/cm3、不大于1E21atoms/cm3。
>5.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述第二阱层组、所述第三阱层组和所述第四阱层组中，最大的铟浓度与最小的铟浓度差值为不大于2e20atoms/cm3。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述第二阱层组、所述第三阱层组和所述第四阱层组中，最大的铟浓度与最小的铟浓度差值为不小于1e20atoms/cm3。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阱层组中铟浓度的范围为不小于5e20atoms/cm3、不大于1e21atoms/cm3。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，若干个所述势阱层还包括第一阱层组，所述第一阱层组与所述第二阱层组至所述第四阱层组具有不同的铟浓度；所述第一阱层组至所述第四阱层组沿所述第一表面向所述第二表面排列分布。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层组中所述势阱层的数量为1～2个。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阱层组中铟的组分含量为b、所述第三阱层组中铟的组分含量为c、所述第四阱层组中铟的组分含量为d，其中，b>c>d。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二阱层组中各个所述势阱层中铟的组分含量为15％～22％，所述第三阱层组和所述第四阱层组中各个所述势阱层中铟的组分含量为12％～15％。
9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，若干个所述势阱层还包括第一阱层组，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志豪，董金矿，李家安，李政鸿，林兓兓，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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