发光二极管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，包括半导体叠层、电流扩展层和电极，电流扩展层包括复合膜层和位于复合膜层上的第一扩展层，所述复合膜层至少包括一对叠层，所述叠层包括第二扩展层和位于所述第二扩展层上的金属层，叠层具有多个凹部。本实用新型专利技术既能保证较高的电流扩展效果，又能提高发光二极管的出光效率。二极管的出光效率。二极管的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管


[0001]本技术属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode，LED)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点，被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明背光源等相关领域。
[0003]常规的发光二极管的结构包括衬底、半导体叠层和电极，而为了促进电流在半导体叠层中的扩展，通常会在半导体叠层表面沉积一层电流扩展层。然而，随着业内对高功率发光二极管需求的增加，使得发光二极管的尺寸也不断变大，导致电流扩展层的电流扩展效果越来越有限。因此，现阶段通常采用扩展电极去增加电流扩展，来解决电流扩展差的问题。但是，扩展电极的设置会使得发光二极管的发光区域面积减小，从而影响发光二极管的出光效率。因此，需要设计另一种电流扩展层的结构来解决上述的问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述的技术问题，本技术提供一种发光二极管，既能保证较高的电流扩展效果，又能提高发光二极管的出光效率。具体技术方案如下：
>[0005]发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光二极管，包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；电流扩展层，所述电流扩展层位于所述半导体叠层上；电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极与第一半导体层电连接，所述第二电极与第二半导体层电连接；其特征在于，所述电流扩展层包括复合膜层和位于复合膜层上的第一扩展层，所述复合膜层至少包括一对叠层，所述叠层包括第二扩展层和位于所述第二扩展层上的金属层，叠层具有多个凹部。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层的厚度小于第二扩展层的厚度。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二扩展层的厚度范围为120埃～300埃，金属层的厚度范围为25埃～50埃。4.根据权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱杰，蔡家豪，桂亮亮，李君杰，林兓兓，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：