一种高压发光二极管芯片制造技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种高压发光二极管芯片，包括衬底和位于所述衬底上的n个LED发光单元，n≥2，各所述LED发光单元之间通过衬底上的隔离槽相互隔离，n个LED发光单元通过位于在所述隔离槽上方的桥接结构依次连接，所述LED发光单元包括发光叠层和透明导电层，所述透明导电层覆盖所述发光叠层的部分外表面；所述桥接结构包括连接部和延伸部，所述连接部下设有第一阻挡层，以实现绝缘，位于第n个LED发光单元上的延伸部与透明导电层至少部分接触。本发明专利技术能明显提升高压发光二极管芯片的ESD能力，有效改善爆点问题，提高芯片的可靠性。的可靠性。的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种高压发光二极管芯片


[0001]本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种高压发光二极管芯片。

技术介绍

[0002]高压发光二极管，是在LED芯片制备阶段将多颗芯片串联发光，能减少下游封装厂焊线次数，提高其生产效率并节约成本，且封装体的可靠性随着焊线次数的减少有所提升。
[0003]随着高压发光二极管应用范围越来越广，对于芯片的尺寸也要求越来越小。常规高压发光二极管通常采用横平竖直的方式来划分多颗芯片区域。然而，在小尺寸高压芯片上，极易出现多颗不同芯片区域发光面积大小不均匀的现象，特别是高压芯片的最后一个芯片区域。因其被电极占据较大的面积，导致发光面积偏小。并且，由于多颗芯片串联的高压芯片，其通过的电流是一致的，便导致设有较小发光面积的芯片的电流密度较大，同时，由于该区域的CB finger（电流阻挡层的延伸部）末端与透明导电层边缘间距过小，导致易出现ESD爆点的现象，具体可参看附图1，从而影响高压芯片的可靠性。
[0004]说明内容为了解决高压发光二极管芯片在ESD测试中容易发生局部ESD击穿/爆点现象的技术问题，本专利技术提供了一种能提高ESD能力的高压发光二极管芯片。
[0005]为实现本专利技术的目的，本专利技术采用的技术方案是：一种高压发光二极管芯片，包括衬底和位于所述衬底上的n个LED发光单元，n≥2，各所述LED发光单元之间通过衬底上的隔离槽相互隔离，n个LED发光单元通过位于在所述隔离槽上方的桥接结构依次连接，其特征在于，所述LED发光单元包括发光叠层和透明导电层，所述透明导电层覆盖所述发光叠层的部分外表面；所述桥接结构包括连接部和延伸部，所述连接部下设有第一阻挡层，位于第n个LED发光单元上的延伸部与透明导电层至少部分接触。
[0006]优选的，位于第n个LED发光单元上的延伸部下表面与透明导电层完全接触。
[0007]优选的，位于第n个LED发光单元上的延伸部下设有第二阻挡层，使得延伸部的下表面与透明导电层部分接触。
[0008]优选的，所述第二阻挡层呈一连续的整体条状结构或者包括多个间隔的阻挡结构。
[0009]优选的，随着远离连接部的方向，第二阻挡层的宽度逐渐减小。
[0010]优选的，各所述LED发光单元上的延伸部下表面与透明导电层完全接触。
[0011]优选的，除位于第n个LED发光单元上的延伸部外，其余LED发光单元上的延伸部下设有第三阻挡层，使得延伸部的下表面与透明导电层不接触或者部分接触。
[0012]优选的，所述第三阻挡层呈一连续的整体条状结构或者包括多个间隔的阻挡结构。
[0013]优选的，各LED发光单元上的第三阻挡层相同或者不同。
[0014]优选的，所述连接部的宽度不小于延伸部的宽度。
[0015]优选的，第n个LED发光单元上的延伸部呈弯曲结构。
[0016]优选的，所述延伸部的末端呈膨大状。
[0017]优选的，第n个LED发光单元上的延伸部末端至透明导电层边缘的距离不小于10μm。
[0018]优选的，各LED发光单元的尺寸相同或者不同。
[0019]优选的，各LED发光单元的尺寸不大于120μm *120μm。
[0020]优选的，第n个LED发光单元的有效发光面积小于其余LED发光单元的有效发光面积。
[0021]优选的，所述发光叠层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层设有上台阶面和下台阶面，所述有源层和所述第二半导体层由下至上依次设置在所述上台阶面上，所述透明导电层覆盖部分所述第二半导体层的外表面。
[0022]优选的，所述下台阶面上设有第一电极，所述透明导电层上设有第二电极，位于所述芯片最外侧的第一电极与所述下台阶面接触，位于所述芯片最外侧的第二电极与所述透明导电层接触。
[0023]优选的，各LED发光单元还包括钝化层，所述钝化层覆盖透明导电层的外表面及所述发光叠层的部分外表面。
[0024]优选的，所述LED发光单元的个数n为6，呈两行三列排布，所述LED发光单元的连接结构为：第一列所述LED发光单元上下连接，然后其中一个所述LED发光单元连接与它同一行的第二列所述LED发光单元，第二列所述LED发光单元上下连接，第二列末端的所述LED发光单元连接与它同一行的第三列所述LED发光单元，第三列所述LED发光单元上下连接。
[0025]本专利技术通过取消或者部分取消位于第n个LED发光单元的延伸部下的阻挡层，从而改善易出现的爆点问题，明显提升高压发光二极管芯片的ESD能力，提高芯片的可靠性，同时，还使得芯片具有更优的电流扩展和降低电压的效果。
附图说明
[0026]图1是现有技术提供的高压发光二极管芯片的俯视图。
[0027]图2是现有技术提供的高压发光二极管芯片的俯视结构示意图。
[0028]图3是本专利技术提供的实施例1之一的高压发光二极管芯片的俯视结构示意图。
[0029]图4是本专利技术提供的实施例1之一的高压发光二极管芯片的剖面示意图。
[0030]图5是本专利技术提供的实施例1之二的高压发光二极管芯片的俯视结构示意图。
[0031]图6是本专利技术提供的实施例2之一的高压发光二极管芯片的俯视结构示意图。
[0032]图7是本专利技术提供的实施例2之一的高压发光二极管芯片的俯视结构示意图。
[0033]图8是本专利技术提供的实施例3之一的高压发光二极管芯片的俯视结构示意图。
[0034]图9是本专利技术提供的实施例3之二的高压发光二极管芯片的俯视结构示意图。
[0035]附图标注：1、LED发光单元；10、衬底；21、第一半导体层；22、有源层；23、第二半导体层；201、下台阶面；202、上台阶面；30、隔离槽；40、透明导电层；50、桥接结构；51、连接部；52、延伸部；61、第一阻挡层；62、第二阻挡层；621、阻挡结构；63、第三阻挡层；71、第一电极；72、第二
电极；80、钝化层。
具体实施例
[0036]以下实施例将随着附图说明本专利技术的概念，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的标号，并且在附图中，元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是，图中未绘示或说明书未描述的元件，可以是熟悉此技术的人士所知的形式。
[0037]在以下实施例中，用于指示方向的用语，例如“上”、“下”，“前”、“后”、“左”、和“右”，仅指在附图中的方向。因此，方向性用语是用于说明而不是限制本专利技术。
[0038]实施例1参看附图3和4，本专利技术实施例的高压发光二极管芯片为正装结构，其包括衬底10和位于衬底10上的n个LED发光单元1，其中LED发光单元1的数量不小于2个。各LED发光单元1之间通过衬底10上的隔离槽30相互隔离，n个LED发光单元1通过位于隔离槽30上方的桥接结构50依次连接。
[0039]具体的，继续参看附图4，LED发光单元1包括发光叠层和透明导电层40。更具体的，发光叠层包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压发光二极管芯片，包括衬底和位于所述衬底上的n个LED发光单元，n≥2，各所述LED发光单元之间通过衬底上的隔离槽相互隔离，n个LED发光单元通过位于在所述隔离槽上方的桥接结构依次连接，其特征在于，所述LED发光单元包括发光叠层和透明导电层，所述透明导电层覆盖所述发光叠层的部分外表面；所述桥接结构包括连接部和延伸部，所述连接部下设有第一阻挡层，位于第n个LED发光单元上的延伸部与透明导电层至少部分接触。2.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，位于第n个LED发光单元上的延伸部下表面与透明导电层完全接触。3.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，位于第n个LED发光单元上的延伸部下设有第二阻挡层，使得延伸部的下表面与透明导电层部分接触。4.根据权利要求3所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第二阻挡层呈一连续的整体条状结构或者包括多个间隔的阻挡结构。5.根据权利要求3所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，随着远离连接部的方向，第二阻挡层的宽度逐渐减小。6.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，各所述LED发光单元上的延伸部下表面与透明导电层完全接触。7.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，除位于第n个LED发光单元上的延伸部外，其余LED发光单元上的延伸部下设有第三阻挡层，使得延伸部的下表面与透明导电层不接触或者部分接触。8.根据权利要求7所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，所述第三阻挡层呈一连续的整体条状结构或者包括多个间隔的阻挡结构。9.根据权利要求7所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，各LED发光单元上的第三阻挡层相同或者不同。10.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，所述连接部的宽度不小于延伸部的宽度。11.根据权利要求1所述的一种高压发光二极管芯片，其特征在于，第n个LED发光单元上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙旭，陈亭玉，杨人龙，林兓兓，张中英，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：