一种区块掩模板结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种区块掩模板结构，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设置有半蚀刻区与缓冲区，所述缓冲区位于半蚀刻区的外侧，在所述半蚀刻区或缓冲区设置有起张力分散与识别管理作用的二维条码。本实用新型专利技术通过在半蚀刻区或缓冲区设置二维条码的技术解决方案，既实现了张力均匀分散，不容易产生皱折，又通过二维条码方便管理。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种区块掩模板结构。
技术介绍
现有全彩主动有机发光二极体显示屏生产中，金属掩模直接影响蒸镀品质，而在金属掩模板制造过程中，区块金属掩模板总有许多设计如半蚀刻区与缓冲区设计是为了使张力更加平均施力，但区块金属掩模板在制造上往往有无法区别管理的问题，故希望设计一种区块掩模板结构，能实现张力分散与管理讯息合并的要求。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供一种区块掩模板结构，以实现张力分散与识别管理的功能。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下：区块掩模板结构，其特征在于，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设置有半蚀刻区与缓冲区，所述缓冲区位于半蚀刻区的外侧，在所述半蚀刻区或缓冲区设置有起张力分散与识别管理作用的二维条码。在本技术的一个优选实施例中，所述二维条码设置在所述半蚀刻区。在本技术的一个优选实施例中，所述二维条码设置在所述缓冲区。进一步，所述二维条码的宽度与缓冲区的宽度一致。在本技术的一个优选实施例中，所述二维条码设置在缓冲区的中部位置。或者，所述二维条码设置在缓冲区的端部位置。本技术通过在所述半蚀刻区或缓冲区设置二维条码的技术解决方案，既实现了张力均匀分散，不容易产生皱折，又通过二维条码方便管理。本技术的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。附图说明图1为本技术在实施例1中的示意图。图2为图1的张力分布示意图。图3为现有技术的示意图。图4为图3的张力分布示意图。图5为本技术在实施例2中的示意图。图6为本技术在实施例3中的示意图。具体实施方式为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本技术。实施例1参见图1和2，一种区块掩模板结构，包括掩模板本体10，掩模板本体上设置有半蚀刻区11与缓冲区12，缓冲区12位于半蚀刻区11的外侧，在缓冲区12的中部位置设置有起张力分散与识别管理作用的二维条码13。优选二维条码13的宽度与缓冲区12的宽度一致。在其它实施例中，二维条码13的宽度也可以根据实际需要通过模拟来确定。参见图3和图4，与现有的区块掩模板结构相比，现有技术中的缓冲区12的图案有序排列，造成张力不利完全分散（参见图4中的箭头所示的张力分布示意图），容易产生皱折；而本申请中通过设置二维条码13，使张力分散均匀（参见图2中的箭头所示的张力分布示意图），且通过二维条码兼容管理功能。实施例2参见图5，一种区块掩模板结构，包括掩模板本体10，掩模板本体10上设置有半蚀刻区11与缓冲区12，缓冲区12位于半蚀刻区11的外侧，在半蚀刻区11设置有起张力分散与识别管理作用的二维条码14。实施例3参见图6，一种区块掩模板结构，包括掩模板本体10，掩模板本体上设置有半蚀刻区11与缓冲区12，缓冲区12位于半蚀刻区11的外侧，在缓冲区12的端部位置设置有起张力分散与识别管理作用的二维条码15。以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术的范围内。本技术要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
区块掩模板结构，其特征在于，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设置有半蚀刻区与缓冲区，所述缓冲区位于半蚀刻区的外侧，在所述半蚀刻区或缓冲区设置有起张力分散与识别管理作用的二维条码。

【技术特征摘要】
1.区块掩模板结构，其特征在于，包括掩模板本体，所述掩模板本体上设置有半蚀刻区与缓冲区，所述缓冲区位于半蚀刻区的外侧，在所述半蚀刻区或缓冲区设置有起张力分散与识别管理作用的二维条码。
2.根据权利要求1所述的区块掩模板结构，其特征在于，所述二维条码设置在所述半蚀刻区。
3.根据权利要求1所述的区块掩模板结构，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：余国正，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31