RGBW四色OLED显示元件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种RGBW四色OLED显示元件的制备方法。该方法包括：步骤11、对于待蒸镀子像素发光层的元件，将第一颜色发光材料通过第一精密金属掩模板蒸镀到第一颜色子像素区域，再通过第一精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤12、将第二颜色发光材料通过第二精密金属掩模板蒸镀到第二颜色子像素区域，再通过第二精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤13、将第三颜色发光材料通过第三精密金属掩模板蒸镀到第三颜色子像素区域，再通过第三精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；其中该第一、第二和第三颜色发光材料不同并且分别对应蓝色、红色和绿色发光材料其中之一。该方法不增加精密金属掩模板数目和真空蒸镀腔体数量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种RGBW四色OLED显示元件的制备方法。
技术介绍
全色有机发光二极管(OrganicLight-emittingDiodes,OLED)器件是本领域公知的，通常全色OLED器件由红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)三个子像素构成，成为RGB像素设计。随着人们对显示技术的追求，具有红色、绿色、蓝色和白色(W)四个子像素的OLED显示元件被开发出来，即RGBW四子像素OLED显示元件。与RGB之OLED显示元件相比，RGBW之OLED显示元件在能量消耗部分得到改进。RGBW四子像素OLED中的白光OLED元件(WOLED)通常通过红、绿、蓝三个子像素堆叠或者蓝、黄(Y)两个子像素堆叠实现。OLED多层结构可以包括阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)、电子注入层(EIL)、阴极(Cathode)及阴极保护层(CPL)等。在EastmanKodak公司MichaelSiwinski等人在2002年公布的美国专利USUS20020186214A1中，通过由红、绿、蓝和白光发光元件组成RGBW四色有机发光二极管，实现显示器节能的方法，其中白色发光元件发光层是白色发光材料。EastmanKodak公司DustinWinters在公布的美国专利US7030553中，通过由红、绿、蓝和白四色发光元件构成RGBW四色有机发光二极管，其中W通过B+Y来实现。同样来自EastmanKodak公司的JohnE.Ludwicki在美国专利US7510454中，通过白光OLED和彩色滤光片(ColorFilter,CF)方法实现RGBW四色OLED显示元件；DustinL.Winters在美国专利US7524226中同样通过白光OLED+CF实现RGBW四色OLED显示元件，并对像素阵列进行了不同的设计；MichaelL.Boroson在美国专利US7564182中通过串联白光OLED+RGB三色调色介质，实现RGBW四色OLED显示元件。现有技术中制作RGB三色OLED显示元件，通常是将有机发光材料通过RGB三子像素各自对应的精密金属掩模板(FineMetalMask，FMM)蒸镀到基板衬底上，制备成OLED元件，采用三次高精度金属掩模板蒸镀工序来分别蒸镀红色发光层，绿色发光层和蓝色发光层，从而在基板上对应的位置形成红色子像素，绿色子像素和蓝色子像素。具体地，高精度金属掩模板上设有遮挡区和多个开口，当蒸镀其中一种颜色的发光层时，遮挡区对应遮挡住基板上对应其他两种颜色子像素的位置，开口对应暴露出基板上对应该待蒸镀颜色子像素的位置。制作RGBW四色OLED显示元件时，如采用现有白光OLED和彩色滤光片的方法实现RGBW四色OLED显示元件会导致能量效率利用率低，如果采用类似RGB三个子像素各自对应的精密金属掩模板方法，RGBW四个子像素将会需要四张精密金属掩模板，同时还需要额外的一个白光子像素真空蒸镀腔体。因此亟需一种新的RGBW四色OLED显示元件的制备方法。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种RGBW四色OLED显示元件的制备方法，不增加精密金属掩模板数目和真空蒸镀腔体数量。为实现上述目的，本专利技术提供了一种RGBW四色OLED显示元件的制备方法，包括：步骤11、对于待蒸镀子像素发光层的元件，将第一颜色发光材料通过第一精密金属掩模板蒸镀到第一颜色子像素区域，再通过第一精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤12、将第二颜色发光材料通过第二精密金属掩模板蒸镀到第二颜色子像素区域，再通过第二精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤13、将第三颜色发光材料通过第三精密金属掩模板蒸镀到第三颜色子像素区域，再通过第三精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；其中该第一颜色发光材料、第二颜色发光材料和第三颜色发光材料不同并且分别对应蓝色发光材料、红色发光材料和绿色发光材料其中之一。其中，还包括：步骤10、在已完成TFT制程的RGBW四像素基板上，依次进行阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层的成膜，得到待蒸镀子像素发光层的元件。其中，还包括：步骤14、对于完成蒸镀子像素发光层的元件，依次进行空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极的成膜。其中，还包括：步骤15、在该阴极上进行阴极保护层的成膜，最后再进行盖板封装或者薄膜封装，完成RGBW四色OLED显示元件的制备。其中，该蓝色发光材料为蓝色荧光发光材料或者蓝色磷光发光材料，该红色发光材料为红色荧光发光材料或者红色磷光发光材料，该绿色发光材料为绿色荧光发光材料或者绿色磷光发光材料。其中，对于白色子像素区域，首先蒸镀蓝色荧光发光材料，然后依次蒸镀红色磷光发光材料、绿色磷光发光材料。其中，对于白色子像素区域，首先蒸镀蓝色磷光发光材料，然后先蒸镀红色磷光发光材料、后蒸镀绿色磷光发光材料，或先蒸镀绿色磷光发光材料、后蒸镀红色磷光发光材料。其中，对于白色子像素区域，首先蒸镀蓝色荧光发光材料，然后依次蒸镀绿色荧光发光材料、红色荧光发光材料。其中，该RGBW四色OLED显示元件的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素及白色子像素呈田字状排列，蓝色子像素的右侧为白色子像素，蓝色子像素的下方为绿色子像素，白色子像素的下方为红色子像素。本专利技术还提供了一种RGBW四色OLED显示元件的制备方法，包括：步骤21、对于待蒸镀子像素发光层的元件，通过第一精密金属掩模板蒸镀第一颜色发光材料到第一颜色子像素区域和白色子像素区域，该第一精密金属掩模板的开孔对应该第一颜色子像素区域和白色子像素区域；步骤22、通过第二精密金属掩模板蒸镀第二颜色发光材料到第二颜色子像素区域和白色子像素区域，该第二精密金属掩模板的开孔对应该第二颜色子像素区域和白色子像素区域；步骤23、通过第三精密金属掩模板蒸镀第三颜色发光材料到第三颜色子像素区域和白色子像素区域，该第三精密金属掩模板的开孔对应该第三颜色子像素区域和白色子像素区域；其中该第一颜色发光材料、第二颜色发光材料和第三颜色发光材料不同并且分别对应蓝色发光材料、红色发光材料和绿色发光材料其中之一。综上，本专利技术的RGBW四色OLED显示元件的制备方法不增加精密金属掩模板数目和真空蒸镀腔体数量。附图说明下面结合附图，通过对本专利技术的具体实施方式详细描述，将使本专利技术的技术方案及其他有益效果显而易见。附图中，图1为本专利技术RGBW四色OLED显示元件的制备方法第一较佳实施例的过程示意图；图2为本专利技术RGBW四色OLED显示元件的制备方法第一较佳实施例中精密金属掩模板的位移示意图；图3A为通过本专利技术制得的RGBW四子像素OLED中红、绿、蓝三个子像素的元件结构示意图；图3B为通过本专利技术制得的RGBW四子像素OLED中白色子像素的元件结构示意图；图4为本专利技术RGBW四色OLED显示元件的制备方法第二较佳实施例的过程示意图；图5为本专利技术RGBW四色OLED显示元件的制备方法第二较佳实施例中精密金属掩模板开孔位置示意图；图6为本专利技术RGBW四色OLED显示元件的制备方法的流程图。具体实施方式参见图6，其为本专利技术RGBW四色OLED显示元件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RGBW四色OLED显示元件的制备方法，其特征在于，包括：步骤11、对于待蒸镀子像素发光层的元件，将第一颜色发光材料通过第一精密金属掩模板蒸镀到第一颜色子像素区域，再通过第一精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤12、将第二颜色发光材料通过第二精密金属掩模板蒸镀到第二颜色子像素区域，再通过第二精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤13、将第三颜色发光材料通过第三精密金属掩模板蒸镀到第三颜色子像素区域，再通过第三精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；其中该第一颜色发光材料、第二颜色发光材料和第三颜色发光材料不同并且分别对应蓝色发光材料、红色发光材料和绿色发光材料其中之一。

【技术特征摘要】
1.一种RGBW四色OLED显示元件的制备方法，其特征在于，包括：步骤11、对于待蒸镀子像素发光层的元件，将第一颜色发光材料通过第一精密金属掩模板蒸镀到第一颜色子像素区域，再通过第一精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤12、将第二颜色发光材料通过第二精密金属掩模板蒸镀到第二颜色子像素区域，再通过第二精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；步骤13、将第三颜色发光材料通过第三精密金属掩模板蒸镀到第三颜色子像素区域，再通过第三精密金属掩模板的位移蒸镀到白色子像素区域；其中该第一颜色发光材料、第二颜色发光材料和第三颜色发光材料不同并且分别对应蓝色发光材料、红色发光材料和绿色发光材料其中之一。2.如权利要求1所述的RGBW四色OLED显示元件的制备方法，其特征在于，还包括：步骤10、在已完成TFT制程的RGBW四像素基板上，依次进行阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层的成膜，得到待蒸镀子像素发光层的元件。3.如权利要求1所述的RGBW四色OLED显示元件的制备方法，其特征在于，还包括：步骤14、对于完成蒸镀子像素发光层的元件，依次进行空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极的成膜。4.如权利要求3所述的RGBW四色OLED显示元件的制备方法，其特征在于，还包括：步骤15、在该阴极上进行阴极保护层的成膜，最后再进行盖板封装或者薄膜封装，完成RGBW四色OLED显示元件的制备。5.如权利要求1所述的RGBW四色OLED显示元件的制备方法，其特征在于，该蓝色发光材料为蓝色荧光发光材料或者蓝色磷光发光材料，该红色发光材料为红色荧光发光材料或者红色磷光发光材料，该绿色发光材料为绿色荧光发光材料或者绿色磷光发光材料。6.如权利要求1所述的RGBW四色O...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄金昌，徐湘伦，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42