掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜是在与所述透光性基板相反侧的表面及其附近的区域具有氧的含量增加的组成梯度部的单层膜，所述相移膜由含有选自非金属元素及半金属元素中的1种以上元素、氮及硅的材料形成，对所述相移膜进行X射线光电子能谱分析，获得所述相移膜中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对所述透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得所述透光性基板中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s，此时，用所述相移膜中的最大峰PSi_f除以所述透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。

【技术实现步骤摘要】
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
[0001]本申请是申请日为2019年1月8日、申请号为201980014769.X、专利技术名称为“掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法”的申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及掩模坯料、使用该掩模坯料制造的相移掩模。另外，本专利技术涉及使用了上述的相移掩模的半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0003]在半导体器件的制造工序中，使用光刻法进行微细图案的形成。另外，该微细图案的形成中通常要使用多片的转印用掩模。进行半导体器件的图案的微细化时，除了形成于转印用掩模的掩模图案的微细化以外，还需要使光刻中使用的曝光光源的波长短波长化。近年来，越来越多地在制造半导体器件时的曝光光源中应用ArF准分子激光(波长193nm)。
[0004]转印用掩模的一种包括半色调型相移掩模。半色调型相移掩模具有使曝光光透过的透光部、和使曝光光减光而透过(半色调相移膜的)相移部，其使透过相移部的曝光光的相位相对于透过透光部的曝光光的相位基本反转(大致180度的相位差)。通过该相位差，透光部与相移部的边界本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模坯料，其在透光性基板上具备相移膜，所述相移膜是在与所述透光性基板相反侧的表面及其附近的区域具有氧的含量增加的组成梯度部的单层膜，所述相移膜由含有选自非金属元素及半金属元素中的1种以上元素、氮及硅的材料形成，对所述相移膜进行X射线光电子能谱分析，获得所述相移膜中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_f，并对所述透光性基板进行X射线光电子能谱分析，获得所述透光性基板中的Si2p窄谱的光电子强度的最大峰PSi_s，此时，用所述相移膜中的最大峰PSi_f除以所述透光性基板中的最大峰PSi_s而得到的数值(PSi_f)/(PSi_s)为1.09以下。2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其中，所述相移膜的除组成梯度部以外的区域中氮的含量为50原子％以上。3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，所述相移膜的除组成梯度部以外的区域中硅的含量为35原子％以上。4.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，所述相移膜的除组成梯度部以外的区域中氧的含量为10原子％以下。5.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，所述Si2p窄谱中的光电子强度的最大峰是键能为96[eV]以上且106[eV]以下的范围内的最大峰。6.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，在所述X射线光电子能谱分析中对所述相移膜照射的X射线为AlKα射线。7.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其中，用所述相移膜的除组成梯度部以外的区域中的Si3N4键的存在数除以Si3N4键、Si
a
N
b
键、Si
‑
Si键、Si
‑
O键及Si
‑
ON键的总存在数而得到的比率为0.88以上，其中，b/[a+b]＜4/7。8.一种相移掩模，其在透光性基板上具备形成有转印图案的相移膜，所述相移膜是在与所述透光性基板相...

【专利技术属性】
技术研发人员：前田仁，大久保亮，堀込康隆，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：