【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光掩模及其制造方法。
技术介绍
1、关于液晶面板等平板显示器，为了提高其图像的品质等，要求图案细微化。为了满足这样的要求，已知一种方法，在遮光图案的周围形成使曝光光的相位反转(使相位偏移大约180°)的相移区域(有时也称作边缘(rim)部)，在曝光对象物上改善曝光光的强度分布，提高图案形成精度。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2011-13283号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、如专利文献1所公开的那样，为了在遮光区域的周围形成相移区域，需要在对遮光膜进行图案形成(patterning)后，形成相移(phase shift)膜并对相移膜进行图案形成。
3、在对相移膜进行图案形成的情况下，如下这样的问题：当相对于遮光膜的图案产生对准偏移时，相移区域的宽度产生偏差，难以获得提高在曝光对象物上使用光掩模进行图案形成时的精度的效果。
4、鉴于上述技术问题，本专利技术的目的在于，提供一种能够自对准地形成边缘部，提高图案精度的光掩模及其制造方法。
5、用于解决技术问题的技术手段
6、本专利技术的光掩模的制造方法的特征在于，具有：
7、在透明基片形成相移膜的工序；
8、在所述相移膜上形成蚀刻阻挡膜的工序；
9、在所述蚀刻阻挡膜上形成上层膜的工序；
10、在所述上层膜上形成抗蚀剂图案的工序；p>
11、以所述抗蚀剂图案为掩模，有选择地对所述上层膜进行蚀刻的第1蚀刻工序；
12、有选择地对所述蚀刻阻挡膜进行蚀刻的第2蚀刻工序；
13、有选择地对所述相移膜和所述上层膜进行蚀刻的第3蚀刻工序；和
14、有选择地对所述蚀刻阻挡膜进行蚀刻的第4蚀刻工序，
15、所述相移膜和所述上层膜由同种系的物质构成，所述蚀刻阻挡膜由与所述相移膜不同的物质构成，
16、在所述第3蚀刻工序中，通过对所述相移膜进行蚀刻、并且对所述上层膜进行侧面蚀刻来自对准地形成边缘部，确定所述边缘部的宽度。
17、另外，在上述结构中，也可以由所述相移膜、所述蚀刻阻挡膜和所述上层膜的层叠构成遮光区域。
18、根据这样的光掩模的制造方法，能够自对准地形成边缘部，有助于提高图案形成精度。
19、另外，在上述结构中，在所述第3蚀刻工序中，也可以利用所述相移膜与所述上层膜的蚀刻速度之差来确定所述边缘部的宽度。
20、根据这样的光掩模的制造方法，能够控制边缘部的宽度，形成细微宽度的边缘部。
21、另外，在上述结构中，所述上层膜也可以是半透射膜。
22、根据这样的光掩模的制造方法，在利用蚀刻的速度差形成边缘部时，能够获得边缘部的宽度的最佳控制范围和高的控制精度。
23、另外，能够兼顾控制遮光区域的反射率，并且能够抑制曝光装置的多重散射的影响。
24、另外，在上述结构中，在所述第3蚀刻工序中，也可以对所述相移膜进行适量蚀刻。
25、根据这样的光掩模的制造方法，能够容易地形成边缘部。
26、另外，在上述结构中，也可以基于关于所述上层膜的透射率与所述边缘部的宽度的相关关系的数据来确定所述上层膜的透射率。
27、根据这样的光掩模的制造方法，能够有助于使光掩模的制造容易。
28、本专利技术的光掩模的特征在于：
29、具有遮光图案和边缘部，
30、所述边缘部以相同的宽度设置在所述遮光图案的整个周缘，
31、所述遮光图案由相移膜、蚀刻阻挡膜和半透射膜构成，
32、所述边缘部由所述相移膜构成，
33、所述相移膜和所述半透射膜由同种系的物质构成，
34、所述蚀刻阻挡膜由与所述相移膜及所述半透射膜不同的物质构成。
35、通过采用这样的结构的光掩模，能够有助于提高图案形成精度。
36、专利技术的效果
37、根据本专利技术，能够提供一种能够自对准地形成边缘部，并且能够提高图案精度的光掩模及其制造方法。
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1.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
4.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
5.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
6.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
7.一种光掩模，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：
2.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
3.如权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于：
4.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤隆史，杨宗宪，史经平，
申请(专利权)人：株式会社SK电子，
类型：发明
国别省市：
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