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本发明提供光掩模及其制造方法。光掩模(100)的制造方法具有：在透明基片(1)形成相移膜(2)、蚀刻阻挡膜(3)和上层膜(4)的工序；形成抗蚀剂图案(5a)的工序；以抗蚀剂图案(5a)为掩模有选择地对上层膜(4)进行蚀刻的第1蚀刻工序；有选...
该专利属于株式会社SK电子所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社SK电子授权不得商用。

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