【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理程序。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种具备调整控制部的结构，该调整控制部针对使用含金属抗蚀剂形成的覆膜缩小每个基板的在加热处理时发生反应的水分量之差。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-119961号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开提供一种尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间的技术。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个方式的基板处理装置对包括含金属抗蚀剂的覆膜的基板进行处理，所述基板处理装置具有：热处理部，其对所述覆膜被实施了曝光处理的所述基板进行加热处理；显影处理部，其对被实施了所述加热处理的所述基板的所述覆膜进行显影处理；以及气体接触部，在从所述曝光处理之后起到进行所述显影处理之前的期间，所述气体接触部使所述覆膜与非活性气体接触。
5、专利技术的效果
6、根据本公开，提供一种尽可能缩短形成于基板的、由含金属抗蚀剂形成的覆膜与大气气氛接触的时间的技术。
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，对包括含金属抗蚀剂的覆膜的基板进行处理，所述基板处理装置具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特
16.根据权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
17.根据权利要求14所述的基板处理装置，其特征在于，
18.一种基板处理方法，包括：
19.一种基板处理程序，使计算机执行基板处理，所述基板处理程序使所述计算机执行以下处理：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，对包括含金属抗蚀剂的覆膜的基板进行处理，所述基板处理装置具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的基板处...
【专利技术属性】
技术研发人员：鬼塚智也，川上真一路，源岛久志，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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