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接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法技术
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文档序号:26341656
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本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法,包括:提供OPC图形,所述OPC图形上具有接触孔区域;在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形;步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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