【技术实现步骤摘要】
MOS晶体管及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件的制作
，特别涉及一种MOS晶体管及其制造方法。
技术介绍
目前，金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor,MOS)场效应晶体管可分为NMOS晶体管与PMOS晶体管两大类。图1示为本领域中已知的一种MOS（MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体）晶体管的结构示意图，其衬底100中形成有源/漏区101，衬底100表面上形成有栅氧层102、栅极103。在高电压下，要求输入输出电路或大功率集成电路具有高击穿电压的MOS晶体管。为了使得图1中所示的MOS晶体管能够应用于高压环境且能够在高压下安全运行，现有技术中通常采用两种常用的方法，一种是牺牲MOS晶体管的电性能或器件面积；另一种方法是，采用电荷平衡法的RESURF技术或对器件结构进行改进，由此在不牺牲器件电性能的前提下提高击穿电压。因此，如何进一步提高MOS晶体管的电性能，成为本领域技术人员研究的热点问题之一。
技术实现思路
本专利技术的一...
【技术保护点】
1.一种MOS晶体管，包括衬底以及形成在所述衬底上的栅极，所述栅极两侧的衬底中形成有源/漏区，所述源/漏区横向扩散至与所述栅极发生交叠，其特征在于，所述MOS晶体管还包括：第二导电类型的反型掺杂区，所述反型掺杂区形成在所述栅极两侧的源/漏区中，所述反型掺杂区横向扩散的边界不超过所述栅极的侧壁，所述反型掺杂区纵向扩散的底部边界和所述源/漏区的底部边界相距第一垂直距离，所述反型掺杂区纵向扩散的顶部边界与所述源/漏区的顶部边界相距第二垂直距离，所述第一垂直距离和所述第二垂直距离均大于0。/n
【技术特征摘要】
1.一种MOS晶体管，包括衬底以及形成在所述衬底上的栅极，所述栅极两侧的衬底中形成有源/漏区，所述源/漏区横向扩散至与所述栅极发生交叠，其特征在于，所述MOS晶体管还包括：第二导电类型的反型掺杂区，所述反型掺杂区形成在所述栅极两侧的源/漏区中，所述反型掺杂区横向扩散的边界不超过所述栅极的侧壁，所述反型掺杂区纵向扩散的底部边界和所述源/漏区的底部边界相距第一垂直距离，所述反型掺杂区纵向扩散的顶部边界与所述源/漏区的顶部边界相距第二垂直距离，所述第一垂直距离和所述第二垂直距离均大于0。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述源/漏区包括第一导电类型的重掺杂区以及第一导电类型的延伸扩展区，所述延伸扩展区包围所述重掺杂区且顶部边界与所述重掺杂区的顶部边界齐平，所述重掺杂区面向所述栅极的边界与所述栅极的侧壁之间的横向距离大于0，所述延伸扩展区从所述重掺杂区的边界延伸到所述栅极的底部下方，并与所述栅极发生交叠，所述延伸扩展区的第一导电类型离子掺杂浓度低于所述重掺杂区的第一导电类型离子掺杂浓度。
3.如权利要求2所述的MOS晶体管，其特征在于，所述反型掺杂区形成在所述延伸扩展区中。
4.如权利要求2所述的MOS晶体管，其特征在于，所述反型掺杂区的第二导电类型离子掺杂浓度高于所述重掺杂区的第一导电类型离子掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，所述第一垂直距离大于等于所述第二垂直距离。
6.如权利要求1所述的MOS晶体管，其特征在于，还包括位于所述栅极侧壁上的侧墙以及位于所述栅极和所述衬底之间的栅氧化层；所述反型掺杂区形成于所述侧墙底部的源/漏区中。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑大燮，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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