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本发明提供了一种MOS晶体管及其制造方法，在第一导电类型的源/漏区中形成了第二导电类型的反型掺杂区，所述源/漏区横向扩散至与栅极发生交叠，所述反型掺杂区横向扩散的边界不超过所述栅极的侧壁，纵向扩散的底部边界和所述源/漏区的底部边界具有第一垂...
该专利属于南京晶驱集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶驱集成电路有限公司授权不得商用。

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