【技术实现步骤摘要】
增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法
本专利技术涉及一种增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，特别是涉及用于光刻制作工艺之前形成掩模材料的方法。
技术介绍
半导体集成电路工业历经了指数性的成长，集成电路材料及设计的技术发展已创造了数代集成电路，每一代都有比上一代更小且更复杂的电路。集成电路的演化的过程中，元件密度不断提升，而元件尺寸则不断缩小，尺寸缩小的制作工艺一般提供了生产效率的提升以及减少相关的浪费，增加了制作工艺及生产的复杂性。光刻制作工艺为一种用于将集成电路的图案转移至半导体基板上的传统方法，其普及应用之一为在半导体装置的制造期间执行曝光以定义图案或图像，其可通过形成具有各种电、物理或化学特性的各种层的形状或图案来制造集成电路(IC)和其他半导体装置。在光刻制作工艺中，光致抗蚀剂图案的品质直接影响了集成电路的最终品质。然而依照传统方式所形成的光致抗蚀剂，光致抗蚀剂内部经常出现气体孔洞，造成光致抗蚀剂表面不平整，在蚀刻之后所形成的集成电路，则会因为气体孔洞导致集成电路结构上的缺陷。<...
【技术保护点】
1.一种增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，包含：/n提供固体材料层；/n对该固体材料层进行氧等离子体制作工艺，其中该氧等离子体制作工艺的操作条件包含输入氧气体和氮气体，该氧气体流量介于6000至8000每分钟标准毫升，该氮气体流量介于600至1000每分钟标准毫升；以及/n在该氧等离子体制作工艺后，形成流体材料层直接接触该固体材料层的表面。/n
【技术特征摘要】
1.一种增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，包含：
提供固体材料层；
对该固体材料层进行氧等离子体制作工艺，其中该氧等离子体制作工艺的操作条件包含输入氧气体和氮气体，该氧气体流量介于6000至8000每分钟标准毫升，该氮气体流量介于600至1000每分钟标准毫升；以及
在该氧等离子体制作工艺后，形成流体材料层直接接触该固体材料层的表面。
2.如权利要求1所述的增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，其中该固体材料层包含氧化硅、氮化硅、多晶硅、介电层或先进曝光图样薄膜。
3.如权利要求1所述的增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，其中该流体材料层包含底部抗反射层、有机介电层、含硅硬掩模底部抗反射层或光致抗蚀剂。
4.如权利要求1所述的增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，其中在该氧等离子体制作工艺之后，该固体材料层的表面的亲水性增加。
5.如权利要求1所述的增加固体材料层和流体材料层之间贴附性的方法，其中在该氧等离子体制作工艺的操作温度介于摄氏100至250度之间，操作压力介于1至2托耳之间。
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【专利技术属性】
技术研发人员：魏伦，王福金，
申请(专利权)人：联芯集成电路制造厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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