基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

技术编号:26423020 阅读:31 留言:0更新日期:2020-11-20 14:19
本公开提供一种基板处理装置和基板处理方法,以抑制数据量并获得高吞吐量的方式设定在基板处理装置中能够搬送基板的搬送时间表。该基板处理装置构成为具备:多个单位块;主搬送机构,其设置于单位块的各搬送线路,相互独立地在多个模块间搬送基板;搬入搬出用搬送机构,其在保存基板的承载件与所述各单位块之间交接基板,从而向各单位块搬入搬出所述基板;存储器,其存储每个单位块的过去的基板的搬送历史的数据;以及设定部,当将主搬送机构绕搬送线路一周的时间设为循环时间时,基于基板的搬送历史的数据对每个单位块更新循环时间,并基于更新后的该循环时间来设定各单位块中的所述基板的搬送时间表。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
技术介绍
在半导体器件的制造工序中,对作为基板的半导体晶圆(以下,记载为晶圆)进行光刻(photolithography)。作为用于进行该光刻的基板处理装置,有时构成为由搬送机构向进行各不相同的处理的多个处理模块按照次序搬送晶圆。另外,有时设置多个相同的上述处理模块,以能够对相同基板组的晶圆并行地进行相同的处理。在专利文献1中,示出了一种涂布、显影装置,其具备多个单位块层叠而构成的处理块,并如上所述在各单位块中设置有对晶圆进行不同的处理的处理模块以及对晶圆进行相同的处理的处理模块。在各单位块中,各个处理模块中的处理时间除以进行相同处理的处理模块的数量而得到的值的最大值与基板搬送机构绕单位块一周的最短时间中的长的一方被设为基板搬送机构绕单位块一周的时间(循环时间)。基于该循环时间和处理模块所包括的加热模块的处理时间,来决定该加热模块中的晶圆的滞留循环数(基板搬送机构的环绕动作的次数),从而设定各单位块中的晶圆的搬送时间表。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-147424号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够以抑制数据量并获得高吞吐量的方式设定在基板处理装置中能够搬送基板的搬送时间表的技术。用于解决问题的方案本公开的基板处理装置具备:多个单位块,其分别具备多个模块和基板的搬送线路,在各单位块中从上游侧的模块向下游侧的模块按照顺序搬送所述基板并分别进行处理;主搬送机构,其设置于各个所述搬送线路,相互独立地在所述多个模块间搬送基板;搬入搬出用搬送机构,其在保存所述基板的承载件与各个所述单位块之间交接所述基板,从而向各个所述单位块搬入搬出所述基板;存储器,其存储每个所述单位块的过去的基板的搬送历史的数据;以及设定部,当将所述主搬送机构绕所述搬送线路一周的时间设为循环时间时,所述设定部基于所述基板的搬送历史的数据对每个单位块更新所述循环时间,并基于更新后的该循环时间来设定各单位块中的所述基板的搬送时间表。专利技术的效果根据本公开,能够以抑制数据量并获得高吞吐量的方式设定在基板处理装置中能够搬送基板的搬送时间表。附图说明图1是作为本公开的一个实施方式的涂布、显影装置的横剖面图。图2是所述涂布、显影装置的纵剖面图。图3是示出搬送时间表的一例的图表。图4是示出将用于设定所述搬送时间表的循环时间使用于计算的表格的图表。图5是示出所述表格的一部分的图表。图6是示出保存所述表格的控制部和控制部发挥的作用的说明图。图7是示出所述表格被更新的情形的说明图。图8是示出所述表格被更新的情形的说明图。附图标记说明CGHP、CSWP:加热模块;DEV:显影模块;F1~F6:搬送机构;SCPLSCPL′:温度调整模块;W:晶圆;13:搬送机构;14:搬送线路;3:搬送数据表格;4:控制部。具体实施方式分别参照图1的俯视图、图2的纵剖面图来说明作为本公开的基板处理装置的一个实施方式的涂布、显影装置1。涂布、显影装置1是将被相互划分开的承载件块D1、处理块D2以及交接块D3按照该顺序从前方向后方连接而构成的。在交接块D3的后方连接有曝光机D4。在承载件块D1中设置有:承载件10的载置台11,该承载件10保存多张晶圆W;开闭部12;以及搬送机构13,其用于经由开闭部12从承载件10搬送晶圆W。处理块D2构成为从下方起按照顺序层叠有对晶圆W进行液处理和加热处理的单位块E1~E6,单位块E1~E6相互被划分开。在该例中,单位块E1~E3相互同样地构成,作为液处理,通过涂布药液来形成防反射膜和通过涂布抗蚀剂来形成抗蚀膜。另外,单位块E4~E6相互同样地构成,作为液处理,通过显影来形成抗蚀剂图案。在各单位块E(E1~E6)中,相互并行地进行晶圆W的搬送及处理。作为单位块E1~E6中的代表,说明图1所示的单位块E6。在单位块E6的左右方向的中央形成有沿前后方向延伸的晶圆W的搬送线路14。搬送线路14的左右方向的一侧设置有4个显影模块,将各显影模块表示为DEV1~DEV4。在搬送线路14的另一侧,前后并列地设置多个具备热板的加热模块以对被载置的晶圆W进行加热。热板的温度、即晶圆W的加热温度能够自由变更。作为该加热模块,设置有:CSWP1~CSWP3,其进行作为曝光后且显影前的加热处理的PEB(PostExposureBake:曝光后烘烤);以及CGHP1~CGHP3,其进行显影后的加热处理。在上述的搬送线路14设置有在单位块E6中搬送晶圆W的搬送臂F6。搬送臂F6具备在搬送线路14中升降移动、前后移动以及绕垂直轴自由旋转的基台21。在基台21上设置有能够分别支持晶圆W的两个基板保持部22,基板保持部22能够相互独立地相对于基台21前进后退。在如后述那样将晶圆W向搬送流程的下游侧的模块搬送时,能够通过一个基板保持部22前进后退来从模块接收晶圆W,接着使另一个基板保持部22进入该模块,将所保持的晶圆W向该模块送出。也就是说,能够在模块中以更换晶圆W的方式进行搬送,将这种搬送设为更换搬送。此外,模块是指载置晶圆W的地方,有时将对晶圆W进行处理的模块记载为处理模块。当以单位块E1~E3与单位块E6的差异点为中心来说明单位块E1~E3时,单位块E1~E3具备防反射膜形成模块和抗蚀膜形成模块来替代显影模块DEV(DEV1~DEV4)。抗蚀膜形成模块向晶圆W供给抗蚀剂来作为药液从而形成抗蚀膜。防反射膜形成模块向晶圆W供给用于形成防反射膜的药液来形成防反射膜。另外,在单位块E1~E3中设置用于分别加热防反射膜形成后、抗蚀膜形成后的晶圆W的加热模块,来替代加热模块CSWP(CSWP1~CSWP3)和CGHP(CGHP1~CGHP3)。在图2中,对于与搬送臂F6相当的各单位块E1~E5的搬送臂表示为F1~F5,作为主搬送机构的搬送臂F1~F6相互同样地构成在处理块D2中的承载件块D1侧设置有跨各单位块E1~E6地上下延伸、并由相互层叠的多个模块构成的塔T1。在该塔T1中设置有交接模块TRS10、TRS20、TRS1~TRS3、温度调整模块SCPL1、SCPL2以及温度调整模块SCPL′1、SCPL′2。交接模块TRS1~TRS3设置在搬送臂F1~F3分别能够进行存取的高度。温度调整模块SCPL(SCPL1、SCPL2)和SCPL′(SCPL′1、SCPL′2)设置在搬送臂F4、F5、F6分别能够进行存取的高度。这些温度调整模块SCPL、SCPL′具备冷却载置的晶圆W来进行温度调整的载置台。将在加热模块CSWP之后被搬送晶圆W的温度调整模块设为SCPL,将在加热模块CGHP之后被搬送晶圆W的温度调整模块设为SCPL′。温度调整模块SCPL′是为了将在单位块E4~E6中处理完成的晶圆W从该单位块E4~E6搬出而载置所述晶圆W的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:/n多个单位块,其分别具备多个模块和基板的搬送线路,在各单位块中从上游侧的模块向下游侧的模块按照顺序搬送所述基板并分别进行处理;/n主搬送机构,其设置于各个所述搬送线路,相互独立地在所述多个模块间搬送基板;/n搬入搬出用搬送机构,其在保存所述基板的承载件与各个所述单位块之间交接所述基板,从而向各个所述单位块搬入搬出所述基板;/n存储器,其存储每个所述单位块的过去的基板的搬送历史的数据;以及/n设定部,当将所述主搬送机构绕所述搬送线路一周的时间设为循环时间时,所述设定部基于所述基板的搬送历史的数据对每个单位块更新所述循环时间,并基于更新后的该循环时间来设定各单位块中的所述基板的搬送时间表。/n

【技术特征摘要】
20190520 JP 2019-0946621.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
多个单位块,其分别具备多个模块和基板的搬送线路,在各单位块中从上游侧的模块向下游侧的模块按照顺序搬送所述基板并分别进行处理;
主搬送机构,其设置于各个所述搬送线路,相互独立地在所述多个模块间搬送基板;
搬入搬出用搬送机构,其在保存所述基板的承载件与各个所述单位块之间交接所述基板,从而向各个所述单位块搬入搬出所述基板;
存储器,其存储每个所述单位块的过去的基板的搬送历史的数据;以及
设定部,当将所述主搬送机构绕所述搬送线路一周的时间设为循环时间时,所述设定部基于所述基板的搬送历史的数据对每个单位块更新所述循环时间,并基于更新后的该循环时间来设定各单位块中的所述基板的搬送时间表。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板的搬送历史的数据是在所述单位块中进行了的每个处理的基板的搬送张数的数据,
所述设定部基于与在所述单位块中进行的各个处理相对应的用于计算循环时间的参数来计算所述循环时间。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
设置存储器,该存储器存储对所述多个单位块中的处理分别进行指定的搬送制程,
所述用于计算循环时间的参数是与所述搬送制程相对应的时间的参数。


4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述设定部基于每个所述处理的基板的搬送张数来选择与在一个所述单位块中进行的各个处理相对应的所述用于计算循环时间的参数中的一部分参数,基于选择出的该参数来更新所述循环时间。

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【专利技术属性】
技术研发人员:松山健一郎
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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