本发明提供一种液处理装置和液处理方法，对于利用从喷嘴喷出的处理液进行的液处理的面内均匀性有效。液处理装置具备：处理液供给部，其具有喷出处理液的喷嘴；喷嘴移动部，其使所述喷嘴在用于朝向基板的表面供给所述处理液的涂布位置和与所述涂布位置不同...

本发明提供一种能够高精度且高效地生成回归方程的学习方法、管理装置和管理程序。学习方法对等离子体处理装置的腔室内的发光数据进行预处理。学习方法设定用于生成回归方程的机器学习的约束，回归方程表示等离子体处理装置的蚀刻速率与发光数据之间的关系...

本发明一个方式提供一种成膜方法，其包括：成膜步骤，通过对收纳在处理容器内的基片交替地供给多种气体，使膜沉积于该基片；和在所述成膜步骤之前执行的成膜准备步骤，以与所述成膜步骤中要供给到所述处理容器内的全部气体的平均流量相同的流量供给非活性...

在本发明示例性实施例的等离子体处理方法中，在第一期间中执行第一等离子体处理，在接着第一期间的第二期间中，执行第二等离子体处理。在第一期间和第二期间内，用于偏压的第一高频功率被连续地供给到下部电极。在第一期间内的第一高频功率的各周期内的第...

本发明提供一种使涂敷于基板上的溶液在减压状态下干燥的减压干燥装置，其包括暂时收集从所述基板气化了的所述溶液中的溶剂的溶剂收集部，所述溶剂收集部以与所述基板相对的方式配置，且被划分为多个区域，在所述多个区域各自形成有开口，所述溶剂收集部形...

本发明提供一种基板处理装置。在利用载置台加热或冷却被载置到该载置台的基板的情况下，改善基板的温度的面内均匀性。一种基板处理装置，其是对基板进行处理的基板处理装置，其具备：载置台，其具有在上下方向上贯通的贯通孔，在上表面载置基板并进行所载...

本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理基片的基片处理方法包括：(a)通过旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液来形成涂敷膜的步骤；(b)对在上述(a)步骤中形成于基片的表面周缘部的上述涂敷膜的凸部，供给上述涂敷液的溶剂的步骤；和(c)在停止供...

本发明提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本公开的基板处理装置具备保持部和加热机构。保持部以基板能够旋转的方式保持该基板的下表面中央部。加热机构向基板的下表面供给加热后的流体。另外，加热机构具备多个翅片、热源、流体导...

本发明涉及基板处理方法和基板处理装置。[课题]在不使掩模的开口部阻塞的情况下使掩模的基底膜收缩。[解决方案]提供一种基板处理方法，其包括如下工序：准备基板的工序，所述基板具有为含硅膜的第1膜、和形成于前述第1膜上、且具有第2开口部的第2...

本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供如下技术：在从形成有铜膜的基板的周缘部去除铜膜的技术中，能够抑制在去除界面周边处发生腐蚀。基于本公开的基板处理方法包括预先加热工序和去除工序。在预先加热工序中，对形成有铜膜的基板进...

一个例示的实施方式的等离子体处理方法在电容耦合型的等离子体处理装置的基片支承台上载置有基片的状态下实施。等离子体处理方法包括：对腔室内供给非活性气体的步骤；和使含硅材料沉积在基片上的步骤。在进行沉积的步骤中，选择性地实施两个处理中的一者...

在一个例示的实施方式的蚀刻方法中，在等离子体处理装置的腔室内生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，在基片上形成包含碳氟化合物的沉积物的步骤。基片具有由含硅材料形成的第一区域和由含金属材料形成的第二区域。接着，在腔室内生成稀有气体的...

蚀刻方法包括：在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中被处理体具有：处理对象膜；形成于处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖多个凸部之间露出的处理对象膜及各凸部的第一膜；第一蚀刻步骤，其以使第二膜残存于第一膜中覆盖各凸部的侧面的部分的状态对...

本发明提供一种具有能够载置被处理体的第一电极和与所述第一电极相对的第二电极的等离子体处理装置的控制方法，其具有：向所述第一电极供给偏置功率的步骤；和向所述第二电极供给负直流电压的步骤，所述负直流电压周期性地反复取第一电压值的第一状态和取...

本发明提供液处理装置和液处理方法。实施方式的液处理装置包括发热部件(31a)、基片保持部(31)、处理液供给部(40)和线圈(32a)。发热部件(31a)靠近基片的一部分地配置并具有隔热部件(31b)。基片保持部(31)保持基片。处理液...

一种对基板进行处理的基板处理系统，其中，该基板处理系统具有：改性层形成装置，其沿着基板中的、去除对象的周缘部与中央部之间的边界在基板的内部形成改性层；以及周缘去除装置，其以所述改性层为基点去除所述周缘部。

本发明提供一种能够缩短制程时间的处理装置和处理方法。处理装置是进行基板的处理的处理装置，其具备多个终端设备、控制特定的终端设备的下位控制部以及控制部。控制部执行处理基板的制程，来确定制程的多个控制步骤中的满足特定的条件的控制步骤，将确定...

本实用新型提供一种能够可靠地避免主轴与主轴壳体相接触而导致产生不良的加工装置。具有：多个卡盘，保持基板；及至少1个加工轴；加工轴包括：加工部，对基板进行加工；主轴，使加工部旋转；主轴马达，驱动主轴，主轴壳体，容纳主轴及主轴马达；及升降机...

本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体状态检测方法以及等离子体状态检测程序。测量部通过加热器控制部来控制向加热器供给的供给电力以使加热器的温度固定，测量等离子体没有点火的未点火状态和从点火等离子体起向加热器供给的供给电力下降的过渡状态...

提供一种载置台，其用于放置被处理体及边缘环，该载置台包括：第一流路和第二流路，用于使流体在所述载置台的内部流动；分岔部，将所述第一流路的入口与所述第二流路的入口连接；汇合部，将所述第一流路的出口与所述第二流路的出口连接；以及部件，设置在...