本发明提供一种等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法，能够改善通过蚀刻形成的孔的形状。该等离子体蚀刻装置具备处理容器、载置台、气体供给部、第一高频电源、第二高频电源以及控制装置。载置台设置于处理容器内，用于载置基板。气体供给部向处理容器内供...

本发明提供蚀刻方法和蚀刻装置，具体来说，[课题]防止蚀刻气体通过多孔膜的孔部而使蚀刻非对象膜被蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对基板供给蚀刻气体，对设置于该基板的含硅膜进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下工序：胺气体供给工序，对...

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够减少在覆盖环的外侧附着的反应副产物。等离子体处理装置具有载置台、导电性构件以及第1绝缘构件。载置台为具有用于载置基板的载置部和设于比载置部低的位置的台阶部的导电性的载置台。导电性构件...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法。用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置包括设置于被供给处理气体的处理容器内的载置台，该载置台载置作为处理对象的基片。支轴部包括从背面侧支承载置台，贯通处理容器的壁部...

本公开提供一种能够改善膜厚度的面内均匀性的成膜方法和成膜装置。基于本公开的一个方式的成膜方法包括：降温步骤，一边使被收容于处理容器内的基板的温度从第一温度降温至第二温度，一边向所述处理容器内供给非含卤硅原料气体和含卤硅原料气体；以及恒温...

本公开提供一种能够在多个基板的表面形成膜厚度的面内均匀性良好的硅膜等的基板处理装置。所述基板处理装置具有：处理容器，其在内部收容多个基板；气体供给部，其向所述处理容器的内部供给为包含Si和H、或Ge和H的化合物的第一原料气体、以及为包含...

本实用新型涉及基板处理装置。提供能得到较高生产率且使基板的输送路径的设定自由度较高的技术。其包括：容器载置部，其载置收容多张基板的收容容器；多个基板处理部，其分别处理基板；第1基板输送机构，其具有移动自如的基台以及第1基板保持部和第2基...

本发明提供接触精度保证方法、接触精度保证机构和检查装置。接触精度保证方法包括以下操作：在使探针卡的多个探针与基片接触并用测试器进行基片检查的检查装置中，在载置台上载置具有多个第一标记的位置对准用基片；将位置对准用基片在载置台上进行位置对...

在要将向气体喷出部供给的气体从第一处理气体切换为第二处理气体的情况下，将设置于第一气体供给管的第一供给切换阀和设置于从第一气体供给管分支出的第一气体排气管的第二排气切换阀控制为打开状态，并且将设置于第二气体供给管的第二供给切换阀和设置于...

一种检查装置，其能够对被检查体进行高温检查及低温检查，所述检查装置包括：检查室，进行所述被检查体的检查；干空气供给部，经由第一阀与所述检查室连接，并向所述检查室内供给干空气；露点计，经由第二阀与所述检查室连接，并对所述检查室内的露点进行...

提供了一种工艺，其中，形成了图案化层、中间层以及要根据该图案化层的图案来蚀刻的第一层。该中间层可以是可以通过基于热的去除工艺来去除的热分解层。在蚀刻该第一层之后，使用基于热的去除工艺可以允许在不改变该第一层的情况下从衬底去除该中间层。在...

本发明提供一种膜的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法在蚀刻基板的膜时能够抑制形成于膜的图案的宽度的缩小并且提供膜的侧壁面的垂直性。一个例示性的实施方式所涉及的方法用于蚀刻基板的膜。基板具有基底区域、膜以及掩模。膜设置于基底区域上。掩模设...

本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子...

本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够高精度地判定等离子体处理装置的内壁的状态。使用了测定等离子体处理装置内的等离子体发光强度的检测器的等离子体处理方法包括以下工序：利用所述检测器来检测使用具有第一光轴的光测定出的第一等...

本发明提供基片处理装置和载置台上是否存在聚焦环的检测方法。基片处理装置包括载置台、光源、聚焦调节部、受光部和控制部。载置台包括用于载置基片的第1载置面和包围第1载置面并用于载置聚焦环的第2载置面。聚焦调节部将来自光源的光聚焦到当聚焦环被...

本发明所要解决的技术问题在于：提供一种能够改善大流量处理中的温度均匀性的技术。本发明解决技术问题的方法在于：本发明的一个方式的热处理装置具有：多段收纳多个基板并进行处理的可减压的处理容器；对上述处理容器内的上述基板进行加热的第一加热器；...

本发明提供一种成膜装置的清洗方法。该成膜装置的清洗方法能够高效地去除沉积于处理容器的内部的氮化硅膜，并且能够抑制由石英形成的构件的损坏。所述成膜装置的清洗方法包括利用等离子体化后的清洗用气体对沉积氮化硅膜的处理容器的内部进行清洗的工序，...

对基板进行加工的加工装置具有：基板保持部，其保持基板；加工部，其对保持于所述基板保持部的基板的加工面进行加工；以及显示部，其显示基板的概要图，并且将对基板进行加工时的加工信息与所述概要图相关联地显示。显示部具有用于输入加工条件的条件输入...

用于完全自对准通孔(FSAV)过程中使用多种材料的半导体后段(BEOL)互连的系统和方法的实施方式。在实施方式中，方法包括接收具有形成在基板的表面上的图案化结构的基板。方法还可以包括在图案化结构的第一区域中沉积第一互连材料。这样的方法还...

本发明提供基片升降机构、基片支承器和基片处理装置。在一个例示的实施方式的基片升降机构中，使升降销升降的驱动机构以容许升降销的水平移动的方式支承升降销。多个波纹管以包围升降销的方式沿垂直方向排列。多个波纹管包括第1波纹管和第2波纹管。第1...