等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法。用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置包括设置于被供给处理气体的处理容器内的载置台，该载置台载置作为处理对象的基片。支轴部包括从背面侧支承载置台，贯通处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使载置台绕轴旋转的旋转机构连接。高频电源部供给等离子体处理用的高频电功率，高频屏蔽件覆盖伸出部分的支轴部以抑制高频的泄漏。支轴部和高频屏蔽件包括将其在长度方向分割的、能够一体拆卸的组件部。本发明专利技术的维护作业简单。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理装置的维护方法
本专利技术涉及等离子体处理装置及其维护方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，对作为基片的半导体晶片(以下记为晶片)供给各种处理气体，由此进行成膜、蚀刻等各种处理。这种基片处理中，有时在处理容器内配置载置台，一边使配置有基片的状态的载置台旋转，一边供给等离子体化的处理气体。在实施该等离子体处理的等离子体处理装置中，需要用于一边使载置台自由旋转，一边将处理气体等离子体化的各种机构。例如专利文献1记载有如下技术：在晶舟搭载多个基片并用电磁波对基片进行加热时，在使晶舟旋转的旋转轴的周围设置屏蔽电磁波的屏蔽件。另外，在专利文献2记载了一种支承轴，在处理容器内对处理气体照射微波来进行等离子体处理的装置中，该支承轴支承保持基片的基片保持机构的下表面，并且贯通处理容器而与外部的旋转机构连接。该等离子体处理装置中设置有扼流件(choke)，在使用磁性流体密封件将该支承轴与处理容器之间气密地堵塞时，用于防止微波的泄漏导致磁性流体密封件被加热。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-188161号公报专利文献2：日本特开2016-21524号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供维护作业简单的等离子体处理装置及其维护方法。用于解决技术问题的技术方案本专利技术为一种用等离子体化的处理气体进行基片的处理的等离子体处理装置，其包括：处理容器，其设置有进行所述处理气体的供给的处理气体供给部；设置于所述处理容器内的载置台，其用于载置作为处理对象的基片；支轴部，其从载置基片的一面的背面侧支承所述载置台，具有贯通所述处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使该载置台绕轴旋转的旋转机构连接；供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部；以及覆盖所述伸出部分的支轴部以抑制所述高频电功率向外部泄漏的高频屏蔽件，包括将所述支轴部与所述高频屏蔽件在长度方向上分割的能够一体拆卸的组件部。专利技术效果根据本专利技术，能够使维护作业简单。附图说明图1是具有本专利技术的等离子体处理装置的基片处理系统的俯视图。图2是上述等离子体处理装置的纵断侧视图。图3是上述等离子体处理装置的支轴部的纵截侧视图。图4是表示上述支轴部的内部结构的纵截侧视图。图5是表示上述支轴部的旋转机构的俯视图。图6是上述支轴部的分解图。图7是表示设置于上述等离子体处理装置的检测载置台的旋转角度的机构的说明图。图8是表示用于抑制设置于上述支轴部的轴承的电腐蚀的等电位化部的结构例的纵截侧视图。图9是表示上述等电位化部的另一结构例的纵截侧视图。附图标记说明W晶片2等离子体处理装置20处理容器23电极24加热器6支轴部63组件部71第1高频电源72第2高频电源85支柱部。具体实施方式对作为本专利技术的一实施方式的、使用等离子体化的处理气体对基片进行成膜的等离子体处理装置2的结构例进行说明。在说明等离子体处理装置2的详细的结构之前，参照图1对设置有该等离子体处理装置2的基片处理系统1简单进行说明。在本例的基片处理系统1中，在送入送出端口11载置载体C，该载体C收纳有例如直径为300mm的圆形基片即晶片W。在内部为常压气氛的送入送出区块12内设置有输送机构120，输送机构120从载体C取出晶片W并将其输送到负载锁定室122内。负载锁定室122构成为能够将其内部在常压气氛与真空气氛之间切换。与该负载锁定室122连接的真空输送区块13包括形成有真空气氛的真空输送室14，使用配置于其内部的基片输送机构15，从真空气氛的负载锁定室122接收晶片W。此处，如图1所示，本例的真空输送区块13例如形成为俯视时在前后方向具有长边的长方形。另外，在真空输送室14的相当于长方形的彼此相对的长边的侧壁，各自与多个例如3个等离子体处理装置2连接。如后所述，该例中的等离子体处理装置2能够在真空气氛中对多个例如2个晶片W一并进行等离子体处理。在送入送出区块12与真空输送区块13之间、真空输送区块13与等离子体处理装置2之间使用闸阀G进行开闭。如图1所示，基片输送机构15由多关节臂构成，包括保持晶片W的基片保持部16。基片保持部16包括第1基片保持部161、第2基片保持部162。上述的基片保持部161、162在根端部与连接部163连接而构成基片保持部16，设置于已述的多关节臂的前端部。基片输送机构15在用第1基片保持部161和第2基片保持部162保持2个晶片W的状态下进入等离子体处理装置2。以下，参照图2，说明进行等离子体CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)处理的等离子体处理装置2的结构例。此外，与记载于图1的表示基片处理系统1内的装置的配置关系的坐标(X-Y-Z坐标)不同，在图2～6中记载了用于说明等离子体处理装置2内的装置的配置关系的副坐标(X’-Y’-Z’坐标)。副坐标以与真空输送区块13连接的位置为跟前侧，以X’方向为前后方向，以Y’方向为左右方向进行说明。与真空输送室14连接的6个等离子体处理装置2彼此同样构成，能够并行地进行晶片W的处理。等离子体处理装置2包括俯视时为矩形的处理容器20。处理容器20构成能够对内部气氛进行抽真空的真空容器。图2中的附图标记201是处理容器20的顶部部件，附图标记202是容器主体。在容器主体202的跟前侧的侧壁，在左右方向(图2中Y’方向)并排地形成有经由闸阀G与真空输送室14连接的2个送入送出口(未图示)。该送入送出口由闸阀G进行开闭。此处，图2所示的等离子体处理装置2，是在从真空输送室14侧观察时左右并排配置的一侧的送入送出口的配置位置将处理容器20纵向截断的图。在处理容器20内配置有用于对晶片W进行成膜处理的2个处理空间S1、S2。接着，对包含处理空间S1、S2的处理容器20的内部结构进行说明。2个处理空间S1、S2彼此同样地构成。各处理空间S1、S2形成于载置晶片W的载置台22与和该载置台22对置配置的气体供给部4之间。以下，参照图2所示的处理空间S2进行说明。载置台22兼用作下部电极，例如形成为由金属或者埋入有金属网的电极23的氮化铝(AlN)构成的扁平的圆板状。如后文所述，电极23经由匹配器70与用于引入等离子体化的处理气体中的离子的第2高频电源72连接。第2高频电源72相当于本例中的供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部。在图2中，用实线描绘处于处理位置的载置台22，用虚线表示处于交接位置的载置台22。处理位置是执行基片处理(成膜处理)时的位置，交接位置是在与已述的基片输送机构15之间进行晶片W的交接的位置。在载置台22埋设有用于将载置于该载置台22的各晶片W加热到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其用等离子体化的处理气体进行基片的处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：/n处理容器，其设置有进行所述处理气体的供给的处理气体供给部；/n设置于所述处理容器内的载置台，其用于载置作为处理对象的基片；/n支轴部，其从载置基片的一面的背面侧支承所述载置台，具有贯通所述处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使该载置台绕轴旋转的旋转机构连接；/n供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部；以及/n覆盖所述伸出部分的支轴部以抑制所述高频电功率向外部泄漏的高频屏蔽件，/n包括将所述支轴部与所述高频屏蔽件在长度方向上分割的能够一体拆卸的组件部。/n

【技术特征摘要】
20190329 JP 2019-0669901.一种等离子体处理装置，其用等离子体化的处理气体进行基片的处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：
处理容器，其设置有进行所述处理气体的供给的处理气体供给部；
设置于所述处理容器内的载置台，其用于载置作为处理对象的基片；
支轴部，其从载置基片的一面的背面侧支承所述载置台，具有贯通所述处理容器的壁部而伸出到外部的伸出部分，并且与使该载置台绕轴旋转的旋转机构连接；
供给等离子体处理用的高频电功率的高频电源部；以及
覆盖所述伸出部分的支轴部以抑制所述高频电功率向外部泄漏的高频屏蔽件，
包括将所述支轴部与所述高频屏蔽件在长度方向上分割的能够一体拆卸的组件部。


2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
包括供电线，其构成为沿所述支轴部的长度方向设置，在所述组件部的拆卸位置借助插销—插座可连接到所述载置台，以对所述载置台供给电功率。


3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述所述插座构成为被设置成向插销方向伸出的筒状，根据所述插销的配置位置而能够摆动。


4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
包括信号线，其构成为沿所述支轴部的长度方向设置，在所述组件部的拆卸位置借助插销—插座可连接到所述载置台，以发送设置于所述载置台的传感器部的输出信号。


5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述组件部设置有成为所述输出信号的输出位置的输出信号用滑环。


6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述旋转机构包括：驱动滑轮；设置于所述伸出部分的支轴部的外周面的从动滑轮；以及卷绕于所述驱动滑轮和从动滑轮的驱动带，
在所述高频屏蔽件形成有供所述驱动带通过的隙缝。


7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述处理容器中设置有第1载置台单元和第2载置台单元，所述第1载置台单元和第2载...

【专利技术属性】
技术研发人员：大矢和广，黑田学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP