本发明提供一种能够以高精度稳定地测定旋转的载物台的温度的温度测定机构、温度测定方法以及载物台装置。一种温度测定机构，其用于测定载物台的温度，该载物台载置被处理基板，并设置成能够旋转，该温度测定机构具有：温度检测用接触部，其设置于载物台的...

披露了一种半导体器件，该半导体器件包括多个第一源极/漏极和在第一源极/漏极上方形成的多个第一源极/漏极(S/D)触点。该器件还包括多个第一电介质盖。该多个第一电介质盖中的每一个均定位在相应的第一S/D触点上方以覆盖该相应的第一S/D触点...

一种用于不会使基片屈曲或弯曲地均匀地固持基片的设备和方法，由此使得能够获得该基片的准确形状测量值，例如晶片曲率、z高度值和其他表面特性。技术包括使用液体作为基片的支撑表面，由此提供均匀的支撑。所使用的液体具有与被支撑的基片相同的比重，使...

热处理单元具备：热板，其载置晶圆并且对晶圆提供热；加热器，其将热板进行加热；多个温度传感器，所述多个温度传感器与热板的多个通道对应地设置，用于测定热板的温度；以及控制器，其中，控制器构成为执行以下控制：针对多个通道的每个通道计算温度偏移...

本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从...

本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在进行有机膜的相对于基板的形成和该有机膜的表面部的去除时，提高生产率。基板处理装置构成为包括：处理容器，其在内部形成真空环境；载置部，其用于在所述处理容器内载置基板；成膜气体供给部，其向载置于所述载...

本发明提供一种混合装置、混合方法以及基板处理系统。高效地混合磷酸水溶液和抑制硅氧化物的沉积的添加剂。本公开的一个方式的混合装置具备磷酸水溶液供给部、添加剂供给部、罐、磷酸水溶液供给线路以及添加剂供给线路。磷酸水溶液供给部用于供给磷酸水溶...

本发明提供一种接合系统和接合方法，能够抑制在接合时在第1基板与第2基板之间产生空隙。一种接合系统，其具备：表面改性装置，其对第1基板的接合面和第2基板的接合面进行改性；表面亲水化装置，其对所述第1基板的进行所述改性后的所述接合面和所述第...

本发明涉及成膜方法和热处理装置。[课题]提供降低基板的翘曲、且能形成埋入特性良好的半导体膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的成膜方法具备如下工序：在凹部中成膜为非晶态半导体膜的工序；对前述非晶态半导体膜进行热处理而形成多晶半导体膜的工...

本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。提供一种等离子体处理装置，其施加高频的电力，其中，该等离子体处理装置具有：腔室；载物台，其位于所述腔室内且在上部载置基板，并在内部具有加热器；以及环状构件，其在所述载物台的周围与所述载物台分...

本发明提供一种等离子体处理装置，抑制将等离子体生成室与处理室分离的分离板的温度上升。等离子体处理装置包括气体供给部、第1电力供给部、分离板以及温度控制构件。气体供给部向等离子体生成室内供给气体。第1电力供给部通过向等离子体生成室内供给第...

涂布/显影装置(2)具备：去除液供给部(50)，其具有用于向晶圆(W)的周缘部喷出去除液的去除液喷嘴(52)；驱动部(60)，其使包括去除液喷嘴(52)的移动体(51)移动；传感器(70)，其检测与移动体(51)的位置有关的信息；以及控...

一种信息处理装置，包括：记录单元，记录用于对被处理体的变化进行再现的模型数据，模型数据是根据被处理体的开始状态数据与在预定处理条件下对被处理体执行工艺处理后的被处理体的结束状态数据之间的差分数据，作为工艺处理的效果构建而成；输入接受单元...

本发明涉及半导体装置的制造方法。[课题]削减导体装置的制造工序。[解决方案]半导体装置的制造方法包括：第1层叠工序、第2层叠工序和脱离工序。第1层叠工序中，在形成有凹部的基板上层叠聚合物膜，所述聚合物膜是通过多种单体的聚合而生成的具有脲...

本发明涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。[课题]提供能良好地并行地形成长度不同的多个孔的技术。[解决方案]通过示例的实施方式的等离子体处理方法处理的被加工物具备硅氧化物的第1层和包含碳的第2层，重复执行的处理程序如下：生成第1气体...

在示例性实施方式所涉及的基板处理系统中，多个气体供给部分别构成为经由其第1气体流路向多个腔室中的对应的腔室内供给气体。多个腔室压力传感器分别构成为测定对应的腔室内的压力。第2气体流路与多个气体供给部各自的第1气体流路连接。基准压力传感器...

本发明提供分隔板、保管容器、基片处理系统和基片的输送方法。消耗部件的保管容器包括多个收纳部、分隔板和固定部。多个收纳部构成为能够逐一收纳从一个方向插入的消耗部件。构成为能够代替上述消耗部件而收纳在上述多个收纳部中的分隔板，其具有构成为能...

本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分...

本发明提供一种等离子体处理装置，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施...

一种基板处理系统，其用于处理基板，该基板处理系统具有：送入送出部，在其与外部之间送入送出基板；加工部，其用于加工基板的加工面；清洗部，其在俯视时设于所述送入送出部和所述加工部之间，该清洗部对被所述加工部加工后的基板的加工面进行清洗；第1...