等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，抑制将等离子体生成室与处理室分离的分离板的温度上升。等离子体处理装置包括气体供给部、第1电力供给部、分离板以及温度控制构件。气体供给部向等离子体生成室内供给气体。第1电力供给部通过向等离子体生成室内供给第1高频电力，从而使供给到等离子体生成室内的气体等离子体化。分离板为将等离子体生成室与等离子体生成室的下方的处理室分离的板状的分离板，该分离板具有用于将在等离子体生成室内生成的等离子体所含有的活性种向处理室引导的多个贯通口。温度控制构件在内部具有供进行了温度控制的流体流动的流路，通过与流体之间的热交换，从而控制分离板的温度。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本公开的各种技术方案和实施方式涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
在使用了等离子体的成膜处理中，以降低对被处理体的离子损伤、提高阶梯覆盖率为目的，存在使生成等离子体的等离子体生成空间与对被处理体进行处理的处理空间分离的情况。例如使用具有多个贯通口的板将等离子体生成空间与处理空间分离。由此，利用板来阻碍在等离子体生成空间中生成的等离子体所含有的离子进入处理空间，能够降低由离子对被处理体带来的损伤。另外，由于等离子体所含有的活性种经由板的贯通口向被处理体供给，因此，能够进行以活性种为主体的成膜，能够使阶梯覆盖率提高。专利文献1：日本特开平11－168094号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供能够抑制分离板的温度上升的等离子体处理装置。用于解决问题的方案本公开的一技术方案为一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括气体供给部、第1电力供给部、分离板以及温度控制构件。气体供给部向等离子体生成室内供给气体。第1电力供给部通过向等离子体生成室内供给第1高频电力，从而使本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其中，/n该等离子体处理装置包括：/n气体供给部，其向等离子体生成室内供给气体；/n第1电力供给部，其通过向所述等离子体生成室内供给第1高频电力，从而使供给到所述等离子体生成室内的气体等离子体化；/n分离板，其为将所述等离子体生成室与所述等离子体生成室的下方的处理室分离的板状的分离板，该分离板具有用于将在所述等离子体生成室内生成的等离子体所含有的活性种向所述处理室引导的多个贯通口；以及/n温度控制构件，其在内部具有供进行了温度控制的流体流动的流路，通过与所述流体之间的热交换，从而控制所述分离板的温度。/n

【技术特征摘要】
20190313 JP 2019-0462371.一种等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置包括：
气体供给部，其向等离子体生成室内供给气体；
第1电力供给部，其通过向所述等离子体生成室内供给第1高频电力，从而使供给到所述等离子体生成室内的气体等离子体化；
分离板，其为将所述等离子体生成室与所述等离子体生成室的下方的处理室分离的板状的分离板，该分离板具有用于将在所述等离子体生成室内生成的等离子体所含有的活性种向所述处理室引导的多个贯通口；以及
温度控制构件，其在内部具有供进行了温度控制的流体流动的流路，通过与所述流...

【专利技术属性】
技术研发人员：川上聪，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP