本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法，该基片处理装置包括：能够保持基片的基片保持部；向由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的处理液供给部；药液供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的药液；纯净水供给部，其向所述...

提供一种用于对接合层进行保护的载置台及基板处理装置。该载置台包括：基台；基板载置部，设置在所述基台的上表面上；环形部件载置部，设置在所述基台的上表面上且设置在所述基板载置部的外侧；第一接合层，将所述基台与所述基板载置部接合；第二接合层，...

本发明提供一种水蒸气处理装置和水蒸气处理方法，利用水蒸气对用处理气体实施了处理后的基片进行处理，该水蒸气处理装置包括：外侧腔室，其具有上下分隔开的第一处理室和第二处理室；第一内侧腔室，其被收纳于第一处理室中，以不与第一处理室的内壁面接触...

本发明提供一种过滤器的润湿方法，该过滤器设置于处理液供给装置中，用于去除处理液中的杂质，处理液供给装置包括：暂时贮存处理液的暂时贮存部；和将处理液送出到处理液释放部的泵，暂时贮存部由挠性部件分隔为贮存处理液的贮存室和位于贮存室外侧的工作...

本文的技术包括用于在实时覆盖控制和去除控制下在衬底上分配液体的系统和方法。技术还包含对分配系统的质量控制。系统和方法使得能够视觉检查在衬底的表面上的液体进展。这包括捕获和/或检查给定液体在衬底的工作表面上的移动的频闪图像，以及然后生成反...

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供能得到较高生产率且使基板的输送路径的设定自由度较高的技术。其包括：容器载置部，其载置收容多张基板的收容容器；多个基板处理部，其分别处理基板；第1基板输送机构，其具有移动自如的基台以及第1基板保持...

本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法包括：将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；将上述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；在上述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻上述氧化硅膜的步...

本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并...

本发明提供图像生成装置和图像生成方法。生成关于基片的缺陷的检查用的基片图像的图像生成装置，其中：在基片的表面形成有对于该基片的各个种类的处理方案所特有的图案即框格图案，该图像生成装置包括：区域推断部，其基于通过事先的机器学习得到的、用于...

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质。基板处理方法包括：取得被处理基板的翘曲量；基于所述被处理基板的翘曲量来决定处理液相对于所述被处理基板的周缘部的供给位置；以及使表面形成有膜的所述被处理基板旋转，同时利用从所...

本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质。基板处理方法包括：从照相机取得被处理基板的端面的拍摄图像；对所述被处理基板的端面的拍摄图像进行图像处理而取得所述被处理基板的端面的形状数据；以及基于翘曲量已知的基准基板的端...

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：提供衬底，该衬底包括用于形成第一环绕栅极(GAA)晶体管的沟道的第一堆叠翅片结构和用于形成第二GAA晶体管的沟道的第二堆叠翅片结构，第一堆叠翅片结构包括初始体积的第一沟道材料，第二堆叠翅片结构包括初...

一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，该衬底上具有基础鳍片结构，该基础鳍片结构包括：第一堆叠部，其用于形成第一环绕式栅极(GAA)晶体管的沟道，该第一堆叠部包括第一沟道材料；第二堆叠部，其用于形成第二GAA晶体管的沟道，该第二堆叠部...

用于清洗被处理体的清洗装置具有：旋转体，其以所述被处理体的清洗面的径向为中心轴线旋转；以及多个清洗工具，该多个清洗工具设于所述旋转体，用于清洗所述清洗面，所述多个清洗工具在所述旋转体的表面沿轴向延伸且沿该旋转体的周向排列配置。

基板处理装置具备：保持部，其在用于吸附基板的吸附面具有圆状的第1区域和配置在所述第1区域的径向外侧的圆环状的第2区域，来作为用于吸附所述基板的吸附压力被单独地控制的多个区域；吸附压力产生部，其具有多个，多个所述吸附压力产生部使构成所述吸...

本发明提供一种滤波器装置和等离子体处理装置。滤波器装置具备：第一线圈组，其由沿中心轴线配置且以第一内径螺旋状地卷绕的多个线圈构成；以及第二线圈组，其由沿中心轴线配置且以比所述第一内径大的第二内径螺旋状地卷绕的多个线圈构成，其中，所述第二...

本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种等离子体处理装置，其包括进行控制以执行以下步骤的控制部：步骤(a)，将包含蚀刻对象膜的被加工物载置在载置台上；步骤(b)，在用温度调节机构将载置台的温度维持为‑...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。例示的实施方式的等离子体处理装置，在对基片的等离子体处理和等离子体清洁中，在腔室内生成等离子体，从直流电源装置将脉冲状的负极性的直流电压周期性地施加到上部电极。对基片的等离子体处理时的脉冲状...

本发明提供图像识别系统和图像识别方法。该图像识别系统包括：从设置于工厂内的多个检查装置收集包含识别对象的图像数据的图像数据收集部；对识别识别对象的特征部的第1模型，利用图像收集部所收集的图像数据执行追加的机器学习的学习执行部；基于机器学...

本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通...