基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质。基板处理方法包括：取得被处理基板的翘曲量；基于所述被处理基板的翘曲量来决定处理液相对于所述被处理基板的周缘部的供给位置；以及使表面形成有膜的所述被处理基板旋转，同时利用从所述供给位置供给的处理液使所述周缘部上的所述膜溶解而从所述被处理基板上去除。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法、基板处理装置以及计算机可读存储介质本申请是申请日为2017年2月22日、申请号为2017100973828、专利技术名称为“基板处理方法、基板处理装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
当前，在对基板(例如半导体晶圆)进行微细加工来制造半导体器件时，一般广泛地进行使用光刻技术而在基板上形成凹凸图案(例如抗蚀剂图案)的工序。在半导体晶圆上形成抗蚀剂图案的工序包括例如在晶圆的表面形成抗蚀剂膜(涂敷膜)的抗蚀剂膜形成处理、按照预定的图案对该抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、以及使曝光后的抗蚀剂膜和显影液反应而进行显影的显影处理。在抗蚀剂膜形成处理中，一般而言，可采用使晶圆旋转、同时向晶圆的表面滴下抗蚀剂液的旋涂法。因此，通常在晶圆的表面整体形成抗蚀剂膜。然而，若利用输送臂输送这样的晶圆W，在输送臂把持晶圆W的周缘之际抗蚀剂膜附着于输送臂。在该情况下，后续的晶圆可能被附着到输送臂的抗蚀剂膜的残渣污染。因此，有时进行将存在于晶圆的周缘区域的抗蚀剂膜去除的周缘去除处理。r>专利文献1公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，其包括以下工序：/n取得被处理基板的翘曲量；/n基于所述被处理基板的翘曲量来决定处理液相对于所述被处理基板的周缘部的供给位置；以及/n使表面形成有膜的所述被处理基板旋转，同时利用从所述供给位置供给的处理液使所述周缘部上的所述膜溶解而从所述被处理基板上去除。/n

【技术特征摘要】
20160222 JP 2016-0313691.一种基板处理方法，其包括以下工序：
取得被处理基板的翘曲量；
基于所述被处理基板的翘曲量来决定处理液相对于所述被处理基板的周缘部的供给位置；以及
使表面形成有膜的所述被处理基板旋转，同时利用从所述供给位置供给的处理液使所述周缘部上的所述膜溶解而从所述被处理基板上去除。


2.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括以下工序：
在所述被处理基板的周缘整周上利用照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄，并取得拍摄图像；以及
对所述拍摄图像进行图像处理，在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据，
其中，取得所述被处理基板的翘曲量的工序包括：基于翘曲量已知的基准基板的端面的形状数据以及利用图像处理得到的所述被处理基板的端面的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算。


3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
决定所述供给位置的工序包括：基于所述被处理基板的周缘的翘曲量的平均值决定所述供给位置。


4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
去除所述膜的工序包括：利用基于所述被处理基板的翘曲量调节流量后的所述处理液去除所述周缘部上的所述膜。


5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述膜为抗蚀膜，所述处理液为有机溶剂。


6.一种基板处理装置，其具备：
旋转保持部，其构成为保持被处理基板并使该被处理基板旋转；
处理液供给部，其构成为向所述被处理基板的表面供给处理液...

【专利技术属性】
技术研发人员：野田康朗，西山直，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP